STM32、GD32、ESP32都是32位的單片機，本文對比其中的區別。

STM32：意法半導體(ti) 在2007年6月11日發布的產(chan) 品，基於(yu) ARM-CORTEX內(nei) 核。

GD32：兆易創新公司 2013 年發布的產(chan) 品，在芯片開發、配置、命名上基本模仿STM32，甚至 GPIO 和 STM32 都是 pin to pin 的，封裝不改焊上去直接用。有時候 STM32 的源碼不修改，重新編譯燒寫(xie) 到 GD32 上就可以跑。STM32有自己的庫文件，GD32 的庫文件也是模仿 STM32 的庫文件。當然也有很多不同，比如串口驅動、USB 等，需要額外調試。

ESP32：樂(le) 鑫公司 2017 年開發的產(chan) 品，和 STM32、GD32 不同，ESP32 主要麵向物聯網領域，支持功能很多，但引出 GPIO pin 腳很少，因此大多數 GPIO 都有很多複用功能。出廠就集成藍牙、WiFi 等物聯網必備功能，板子也很小，喜歡物聯網的可以玩玩。

GD32 和 STM32 的區別

GD32是國內(nei) 開發的一款單片機，據說開發的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為(wei) 模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，不過GD32畢竟是不同的產(chan) 品，不可能所有東(dong) 西都沿用STM32，有些自主開發的東(dong) 西還是有區別的。相同的地方我們(men) 就不說了，下麵我給大家講一下不同的地方。

GD32采用二代的M3內(nei) 核，STM32主要采用一代M3內(nei) 核，下圖是ARM公司的M3內(nei) 核勘誤表，GD使用的內(nei) 核隻有752419這一個(ge) BUG。

使用HSE(高速外部時鍾)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內(nei) 部時鍾)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M

主頻大意味著單片機代碼運行的速度會(hui) 更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，電機控製等操作，GD是一個(ge) 不錯的選擇。

外部供電：GD32外部供電範圍是2.63.6V，STM32外部供電範圍是23.6V。GD的供電範圍比STM32相對要窄一點。

內(nei) 核電壓：GD32內(nei) 核電壓是1.2V，STM32內(nei) 核電壓是1.8V。GD的內(nei) 核電壓比STM32的內(nei) 核電壓要低，所以GD的芯片在運行的時候運行功耗更低。

GD32 的 Flash 是自主研發的，和 STM32 的不一樣。

GD Flash 執行速度：GD32 Flash 中程序執行為(wei) 0 等待周期。

STM32 Flash 執行速度：ST 係統頻率不訪問 flash 等待時間關(guan) 係：0 等待周期，當 0<SYSCLK<24MHz，1 等待周期，當 24MHz<SYSCLK≤48MHz，2 等待周期，當 48MHz<SYSCLK≤72MHz。

Flash 擦除時間：GD 擦除的時間要久一點，官方給出的數據是這樣的：GD32F103/101 係列 Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值 100ms， 實際測量 60ms 左右。對應的 ST 產(chan) 品 Page Erase 典型值 20~40ms。

從(cong) 下麵的表可以看出GD的產(chan) 品在相同主頻情況下，GD的運行功耗比STM32小，但是在相同的設置下GD的停機模式、待機模式、睡眠模式比STM32還是要高的。

GD在連續發送數據的時候每兩(liang) 個(ge) 字節之間會(hui) 有一個(ge) Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖。

GD的串口在發送的時候停止位隻有1/2兩(liang) 種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。

GD 和STM32 USART的這兩(liang) 個(ge) 差異對通信基本沒有影響，隻是GD的通信時間會(hui) 加長一點。

GD的輸入阻抗和采樣時間的設置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體(ti) 情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鍾為(wei) 14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guan) 係：

STM32隻有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

GD103係列和ST103係列的ram和flash對比如下圖：

GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體(ti) 見下表：

GD 的抗幹擾能力不如 STM32，還需要一定打磨。

ESP32 和 STM32

ESP32 是樂(le) 鑫公司推出的一款采用兩(liang) 個(ge) 哈佛結構 Xtensa LX6 CPU 構成的擁有雙核係統的芯片。所有的片上存儲(chu) 器、片外存儲(chu) 器以及外設都分布在兩(liang) 個(ge) CPU 的數據總線和／或指令總線上。

相比於(yu) STM32的一個(ge) 大家族，ESP32雖然也代表一個(ge) 係列，但目前來說，這個(ge) 係列的成員還是比較少的，我們(men) 看下：

資源如下：

功能框圖如下：

模塊（非芯片）的引腳分布如下：

ESP32 這個(ge) 模塊的 IO 並不多，估計也就 30 個(ge) 左右（芯片有34個(ge) ，但是模塊中外接FLASH用掉了一些）。但是你會(hui) 發現它有幾個(ge) 特點：

1、集成了非常多的外設接口，SPI、IIC、IIS、AD、DA、PWM、IR、UART、CAN等等。IO 數量有限，所以基本上每個(ge) IO 都有多個(ge) 功能。

2、片內(nei) flash和ram很大，flash有448KB，ram有520KB。而模塊上直接掛了一個(ge) 4MB的flash。

3、速度快！雖然外接晶體(ti) 的頻率隻有40MHZ，但通過內(nei) 部主頻可以支持80MHZ、160MHZ、240MHZ，運算能力高達600MIPS。

4、有wifi和藍牙！當前兩(liang) 者不能同時使用。

STM32 和 ESP32 基本是有各自不同的定位。ESP32 偏向體(ti) 積小巧、速度超快、功能強大，通過 wifi 接入網絡，專(zhuan) 門為(wei) 物聯網而生；而 STM32 偏向管腳豐(feng) 富、功能全麵，雖然沒有 wifi 和藍牙，速度也沒有 ESP32 快，但是可以通過網口接入網絡，可以控製更多的外設，為(wei) 消費電子和工業(ye) 控製而生。

總結

STM32 和 GD32 是同質化產(chan) 品，區別一個(ge) 是國外，一個(ge) 是國產(chan) ，最近流行國產(chan) 化替代，所以 GD32 還是很有發展前景的。物聯網也是一個(ge) 好方向，因此 ESP32 也是很有前景的。