1、霍爾效應

　　置於(yu) 磁場中的靜止載流導體(ti) ，當它的電流方向與(yu) 磁場方向不一致時，載流導體(ti) 上平行於(yu) 電流和磁場方向上的兩(liang) 個(ge) 麵之間產(chan) 生電動勢，這種現象稱霍爾效應。該電勢稱霍爾電勢。

　　霍爾效應演示：

　　當磁場垂直於(yu) 薄片時，電子受到洛侖(lun) 茲(zi) 力的作用，向內(nei) 側(ce) 偏移，在半導體(ti) 薄片c、d方向的端麵之間建立起霍爾電勢。

2、霍爾元件材料

　　1）由RH=μρ，霍爾常數RH要大，即要求μρ 大；

　　2）金屬材料載流子遷移率很高，但電阻率很小；

　　3）絕緣材料電阻率極高，但載流子遷移率極低；

　　4）故隻有半導體(ti) 材料才適於(yu) 製造霍爾片；

　　5）常用材料：鍺、矽、砷化銦、銻化銦。

3、霍爾元件基本結構

　　外形結構：　　　　　　　　　　　　　　　圖形符號：

　　殼體(ti) 是用非導磁金屬、 陶瓷或環氧樹脂封裝

4、霍爾元件幾個(ge) 主要參數

　　霍爾常數RH ：RH = μρ

　　霍爾靈敏係數KH ：KH = RH /d

　　輸入電阻：激勵電極間的電阻值稱為(wei) 輸入電阻。

　　輸出電阻：霍爾電極輸出電勢對電路外部來說相當於(yu) 一個(ge) 電壓源，其電源內(nei) 阻即為(wei) 輸出電阻

　　額定激勵電流：霍爾元件溫升10℃時流過的激勵電流．

　　措施：改善散熱條件，可以使激勵電流增加。