可控矽做的電爐功率調節電路圖如下圖所示。調節單刀四擲開關(guan) SA的檔位，可以改變電容C1的充放電速率。利用C1兩(liang) 端交流電壓通過雙向觸發二極管VD3去觸發雙向晶閘管VS導通、並改變了VS的導通角，使負載RL兩(liang) 端交流電壓隨之發生變化。

兩(liang) 隻發光二極管VD2、VD5是指示燈，它們(men) 的亮度會(hui) 隨著檔位的調節反比例變化，輸出電壓最高時（功率最大）VD2最亮，輸出電壓最低時（功率最小）VD5最亮。R5是限流電阻，用來保護可控矽。電阻R7、電容C2為(wei) 吸收回路，用以濾除電磁幹擾脈衝(chong) 。

元器件選擇

電容C1選用0.1uF/160V，C2選0.022uF/400V(滌綸電容器)。
電阻R1為(wei) 56kΩ、1/2W，R2為(wei) 39kΩ、1/4W，R3為(wei) 27kΩ、1/4W，R4為(wei) 2kΩ、1/4W，R5為(wei) 47Ω、1/2W，R6為(wei) 100kΩ、1/2W(可變)，R7為(wei) 300Ω、1/4W，R8為(wei) 43kΩ、1/2W。
二極管VD1、VD4用1N4007。兩(liang) 隻發光二極管用普通型即可。雙向觸發二極管VD3為(wei) DB3或VR60。雙向可控矽根據電爐的功率來選擇。