本文主要講了rcd吸收電路的原理、設計及作用，具體(ti) 的隨小編來看看吧。

一、RCD吸收電路原理

若開關(guan) 斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關(guan) 的寄生電容充電，開關(guan) 電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時，吸收二極管導通，開關(guan) 電壓被吸收二極管所嵌位，約為(wei) 1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關(guan) 接通期間，吸收電容通過電阻放電。

二、rcd吸收電路參數

三、rcd吸收電路設計

1、測量主變壓器的初級漏感電感量Lr

這兩(liang) 種鉗位電路均是為(wei) 了吸收漏感的能量以降低主開關(guan) 管的電壓應力，既然是吸收漏感的能量，顯然我們(men) 要知道變壓器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我們(men) 就要測量變壓器的漏感Lr。

2、計算漏感能量E

E=1/2*Lr*Ipk2

3、確定Vcmax或Vtvs

一般我們(men) 至少要給MOS電壓應力留有10%的裕量，保守情況留有20%的裕量，尤其是沒有軟啟動切功率相對較大的電源裏，這裏我們(men) 取20%的裕量。所以就有Vcmax（Vtvs）=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

4、確定△Vc，Vcavg，Vcmin（TVS方案無此步驟）

RCD電路中C1兩(liang) 端電壓是變化的，主開關(guan) 關(guan) 斷時漏感能量迅速將其充電至Vcmax，然後通過R慢慢放電到Vcmin。這個(ge) △Vc一般我們(men) 會(hui) 設計在10%-15%Vcmax左右。有了△Vc即可得到Vcavg，Vcmin。

5、確定R2大小

在第二步中我們(men) 已經計算出了漏感能量，假設我們(men) 的漏感能量全部被轉移到C1（或被TVS消耗掉）中，那麽(me) R2上必然消耗掉這些能量。當然，漏感的能量不會(hui) 全部轉移到C1中或被TVS消耗掉，但是作為(wei) 一個(ge) 理論設計指導，此假設是合理的（假設誤差由實際測試結果來調整）。

所以，Vcavg2/R=E*f

由此式即可計算出R2的大小，亦可得出R2的功率要求，一般要保證R2的功率要大於(yu) 此功率（E*f）的1.5-2.5倍。若為(wei) TVS則，TVS的功率也要和電阻的功率要求一樣，要大於(yu) 1.5-2.5*E*f。

6、確定C1的大小

由第五步中的假設，可知：E=1/2*C1*（Vcmax2-Vcmin2）所以C1大小可求出。至此我們(men) 分析了R2，C1，ZD1（TVS）的設計流程，還有R1和D1的要求了。

7、R1可以改善EMI，同時限製D1的反向恢複電流，小功率電源中常用。

一般我們(men) 會(hui) 選取幾十Ω左右，當然功率越大，Ipk越大，此電阻的損耗越大，所以要取的越小，大功率此電阻取幾Ω即可，甚至不要此電阻。大功率電源中慎用此電阻。

功耗要大於(yu) Ipk2*R1

8、D1一般用快恢複或超快恢複二極管

二極管電流電壓按一般裕量原則1.5Ipk，1.5Vcmax即可，功耗要求大於(yu) 1/2*Ipk*Vf（DCM模式），CCM模式1/2*Ipk替換為(wei) 初級平均電流即可，主要還是看此二極管的發熱量。關(guan) 於(yu) D1用慢管的運用，一定要配合好R1且在小功率場合。

四、RCD吸收電路作用

RCD電路在電源中能夠較大程度的吸收電阻，從(cong) 而起到降低損耗的作用。

在原邊反饋IC恒流方案中，RCD起到的作用：

1，可以減少漏感在主開關(guan) 上形成的電壓尖峰，

2，減少EMI幹擾