MOS管因為(wei) 其導通內(nei) 阻低，開關(guan) 速度快，因此被廣泛應用在開關(guan) 電源上。而用好一個(ge) MOS管，其驅動電路的設計就很關(guan) 鍵。下麵分享幾種常用的驅動電路。

1.電源IC直接驅動

電源IC直接驅動是最簡單的驅動方式，應該注意幾個(ge) 參數以及這些參數的影響。

①查看電源IC手冊(ce) 的最大驅動峰值電流，因為(wei) 不同芯片，驅動能力很多時候是不一樣的。
②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(ge) 寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流，那麽(me) 管子導通的速度就比較慢，就達不到想要的效果。

２.推挽驅動

當電源IC驅動能力不足時，可用推挽驅動。

這種驅動電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對於(yu) 柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guan) 斷時間，開關(guan) 管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

３.加速關(guan) 斷驅動

MOS管一般都是慢開快關(guan) 。在關(guan) 斷瞬間驅動電路能提供一個(ge) 盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guan) 管能快速關(guan) 斷。

為(wei) 使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動電阻上並聯一個(ge) 電阻和一個(ge) 二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢複二極管。這使關(guan) 斷時間減小，同時減小關(guan) 斷時的損耗。Rg2是防止關(guan) 斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。

如上圖，是我之前用的一個(ge) 電路，量產(chan) 至少上萬(wan) 台，推薦使用。

用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發射極沒有電阻，當PNP三極管導通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內(nei) 把電荷放完，最大限度減小關(guan) 斷時的交叉損耗。
還有一個(ge) 好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源IC，提高了可靠性。

４.隔離驅動

為(wei) 了滿足高端MOS管的驅動，經常會(hui) 采用變壓器驅動。其中R1目的是抑製PCB板上寄生的電感與(yu) C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時也能防止磁芯飽和。