控製電壓Vc能向並聯調整器和門驅動級提供偏置電壓，而控製端電流Ic則能調節占空比。在C-S極之間外接一隻47 μF旁路電容，即可為(wei) 門驅動級提供電流。控製端的總電容用CT表示，由它決(jue) 定自動重啟動的定時，同時控製環路的補償(chang) 。Vc有兩(liang) 種工作模式，一種是滯後調節，用於(yu) 啟動和過載兩(liang) 種情況

(1)控製電壓源  
   　　控製電壓Vc能向並聯調整器和門驅動級提供偏置電壓，而控製端電流Ic則能調節占空比。在C-S極之間外接一隻47 μF旁路電容，即可為(wei) 門驅動級提供電流。控製端的總電容用CT表示，由它決(jue) 定自動重啟動的定時，同時控製環路的補償(chang) 。Vc有兩(liang) 種工作模式，一種是滯後調節，用於(yu) 啟動和過載兩(liang) 種情況，具有延遲控製作用；另一種是並聯調節，用於(yu) 分離誤差信號與(yu) 控製電路的高壓電流源。電路剛啟動時由D-C極之間的高壓電流源提供控製端電源Ic，以便給控製電路供電並對CT充電。  
   　　（2）帶隙基準電壓源  
   　　帶隙基準電壓源除向內(nei) 部提供各種基準電壓之外，還產(chan) 生一個(ge) 具有溫度補償(chang) 並可調整的電流源，以保證精確設定振蕩器頻率和門級驅動電流。  
   　　（3）振蕩器  
   　　內(nei) 部振蕩電容是在設定的上、下閾值VH、VL之間周期性地線性充、放電，以產(chan) 生脈寬調製器所需要的鋸齒波(SAW），與(yu) 此同時還產(chan) 生最大占空比信號（DMAx）和時鍾信號(CLOCK)。為(wei) 減小電磁幹擾，高電源效率，振蕩頻率（即開關(guan) 頻率）設計為(wei) 100 kHz。需要指出，對於(yu) TOP係列開關(guan) 電源(Ⅱ)脈衝(chong) 波形的占空比設定濰D，其最小值Dmin＝0.7％，對應於(yu) 空載；最大值Dmax＝70％，對應於(yu) 滿載。  
   　　（4）誤差放大器  
   　　誤差放大器的增益由控製端的動態阻抗Zc來設定。Zc變化範圍是10~20 Ω，典型值為(wei) 15 Ω。誤差放大器的同相輸入端接5.7 V基準電壓，作為(wei) 參考電壓。反相輸入端接反饋電壓VF。輸出端接的P溝道MOSFRT管等效於(yu) 一隻可調電阻，其阻值用R′DS表示。控製電壓Vc經Zc、R′DS、RE分壓後獲得VFOIC可直接取自反饋電路，亦可接外部誤差放大器的光電耦合反饋電路。誤差放大器將反饋電壓VF與(yu) 5.7 V基準電壓進行比較後，輸出誤差電流Ir，在RE上形成誤差電壓Vr。

（5）脈寬調製器（PWM）  
  　　脈寬調製器是一個(ge) 電壓反饋式控製電路，它具有兩(liang) 層含義(yi) ，第一，改變控製端電流Ic的大小，即可調節占空比D，實現脈寬調製；第二，誤差電壓Vr，經由RA、CA組成的截止頻率為(wei) 7 kHz的低通濾波器，濾掉開關(guan) 噪聲電壓之後，加至PWM比較器的同相輸入端，再與(yu) 鋸齒波電壓VJ進行比較，產(chan) 生脈寬調製信號VB。VB通過與(yu) 門Y1、或門H之後，可將觸發器I置零，使Q=0，把N溝道MOSFET管關(guan) 斷；而時鍾信號則把觸發器I置位，使Q=１，又使MOSFET導通，二者交替動作，就實現了脈寬調製信號的功率輸出。  
  　　（6）門驅動級和輸出級  
  　　門驅動級(F)用於(yu) 驅動功率開關(guan) 管（MOSFET），使之按一定速率導通，從(cong) 而將共模電磁幹擾減至最小，漏-源導通電阻與(yu) 產(chan) 品的型號和芯片結溫有關(guan) ，MOSFET管的漏-源擊穿電壓V(BO)DS≥700 V。  
   　　（7）過流保護電路過流比較器的反相輸入端接閾值電壓VLIMIT，同相輸入端接MOSFET管的漏極。這裏巧妙地利用MOSFET管的導通電阻RDS(ON)來代替外部過流檢測電阻Rs。當IO過大時，V(BO)DS＞VLIMIT，過流比較器就翻轉，輸出變成高電平，經過與(yu) 門Y2和或門H，將觸發器I置零，進而使MOSFET管關(guan) 斷，起到過流保護作用。  
   　　此外，芯片還具有初始輸入電流限製功能，剛通電時可將整流後的直流限製在0.6 A（對應於(yu) 交流265 V輸入電壓）或0.75 A（對應於(yu) 交流85 V）。　（8）過熱保護電路  
   　　當芯片結溫Tj＞135℃時，過熱保護電路就輸出高電平，將觸發器Ⅱ置位，Q＝1，Q＝0，關(guan) 斷輸出級。此時Vc進入滯後調節模式，Vc端波形也變成幅度為(wei) 4.7～5.7 V的鋸齒波。若要重新啟動電路，需斷電後再接通電源開關(guan) ，或者將控製端電壓Vc降至3.3 V以下，達到VC(RESET)值，再利用上電複位電路將觸發器Ⅱ置零，使MOSFET恢複正常工作。  

(9)關(guan) 斷/自動重啟動電路  
   　　一旦調節失控，關(guan) 斷/自動重啟動電路立即使芯片在5%占空比下工作，同時切斷從(cong) 外部流入C端的電流，Vc再次進入滯後調節模式。倘若故障已排除，Vc又回到並聯調節模式，自動重新啟動電源恢複正常工作，自動重啟動的頻率為(wei) 1.2 Hz。  
  　　(10)高壓電流源  
  　　在啟動或滯後調節模式下，高壓電流源經過電子開關(guan) SI給內(nei) 部電路提供偏置，並且對CT進行充電。電源正常工作時SI改接內(nei) 部電源，將高壓電流源關(guan) 斷。