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    TOPSwitch係列單片開關(guan) 電源的典型應用電路如圖所示。高頻變壓器在電路中具備能量存儲(chu) 、隔離輸出和電壓變換這三大功能。由圖可見，高頻變壓器初級繞組Np的極性（同名端用圓點表示），恰好與(yu) 次級繞組Ns、反饋繞組NF的極性相反。這表明在TOPSwitch導通時，電能就以磁場能量形式儲(chu) 存在初級繞組中，此時VD2截止。當TOPSwitch截止時，VD2導通，能量傳(chuan) 輸給次級，此即反激式開關(guan) 電源的特點。圖中，BR為(wei) 整流橋，Cin為(wei) 輸入端濾波電容。交流電壓u經過整流濾波後得到直流高壓V1，經初級繞組加至TOPSwitch的漏極上。鑒於(yu) 在TOPSwitch關(guan) 斷時刻，由高頻變壓器漏感產(chan) 生的尖峰電壓，會(hui) 疊加在直流高壓V1和感應電壓Vor上，可使功率開關(guan) 管的漏極電壓超過700V而損壞芯片；為(wei) 此在初級繞組兩(liang) 端必須增加漏極鉗位保護電路。鉗位電路由瞬態電壓抑製器或穩壓管（VDz1）、阻塞二極管（VD1）組成，VD1宜采用超快恢複二極管（SRD）。VD2為(wei) 次級整流管，Cout是輸出端濾波電容。

    該電源采用配穩壓管的光耦反饋電路。反饋繞組電壓經過VD3、Cf整流濾波後獲得反饋電壓Vfb，經光耦合器中的光敏三極管給TOPSwitch的控製端提供偏壓。CT是控製端C的旁路電容。設穩壓管VDz2的穩定電壓為(wei) Vz2，限流電阻R1兩(liang) 端電阻的壓降為(wei) Vr，光耦合器中LED發光二極管的正向壓降為(wei) VF，輸出電壓VO由下式設定:  VO=Vz2+VF+Vr   

該電源的穩壓原理簡述如下:當由於(yu) 某種原因(如交流電壓升高或負載變輕)致使VO升高時,因VZ2不變,故VF就隨之升高,使LED的工作電流IF增大,再通過光耦合器使TOP-Switch的控製端電流IC增大。但因TOPSwitch的輸出占空比D與(yu) IC成反比,故D減小,這就迫使VO降低,達到穩壓目的。反之,VO↓→VF↓→IF↓→IC↓→D↑→VO↑,同樣起到穩壓作用。由此可見,反饋電路正是通過調節TOPSwitch的占空比,使輸出電壓趨於(yu) 穩定的。