電子產(chan) 品設備在使用的過程中最容易且最致命的一個(ge) 錯誤操作就是：正負極接反，運氣好沒啥大事，通常輕則燒毀電源電路器件，重則燒毀 MCU、昂貴的核心元器件。
本篇博文將分享幾種常用的防反接電源電路設計，希望可以幫助到各位朋友。
1、二極管防反接電路
通常情況，直流電源防反接保護電路最簡單節省成本的方式就是利用二極管的單向導電性來實現防反接保護，如下圖所示：

 
這種方式簡單可靠，成本低，但是不適合低電壓和大電流。
二極管具有正向電壓降，壓降範圍為(wei) 0.7V~3V，對於(yu) 低電壓而言可能不適用，分壓後可能導致負載電壓不夠。
二極管的耐壓很高，但是過電流能力有限，當輸入大電流的情況下功耗影響非常大，若輸入電流額定值達到 3A，一般二極管壓降為(wei) 0.7V，那麽(me) 功耗至少也要達到：Pd＝3A×0.7V＝2.1W，損耗這麽(me) 大，這樣效率必定低，且發熱量大，要加散熱器。這就不劃不來了。 所以這種隻能用在小電流，要求不高的電路中。

2、橋式整流管防反接電路
橋式整流管是由 4 個(ge) 二極管組成，不論輸入電源正負怎麽(me) 接，輸出極性都是正常的，如下圖所示：

 
橋式整流同時有兩(liang) 個(ge) 二極管導通，不再對電源的極性有要求，實現了電源的任意接法，這時最大的優(you) 點，但是功耗是單個(ge) 二極管防反接電路的 2 倍。若當輸入電流為(wei) 3A 時，Pd＝3A×0.7V×2＝4.2W，更要加散熱片了。成本更高，不實用。

3、MOS 管防反接電路
MOS 管是一種壓控型的半導體(ti) 器件，可以分為(wei) P-MOS 和 N-MOS，其內(nei) 阻很小（壓降小），可利用其開關(guan) 特性，控製電路的導通和斷開來設計防反接保護電路。
P-MOS 管防反接電路的導通條件是柵極和源極之間的電壓 VGS<0 時導通，否則截止，利用 P-MOS 管防電源反接時，P-MOS 管接在高側(ce) ，即靠近電源正極一側(ce) ，如下所示：

 
N-MOS 管防反接電路的導通條件是柵極和源極之間的電壓 VGS>0 時導通，否則截止，利用 N-MOS 管防電源反接時，N-MOS 管接在低側(ce) ，即靠近電源負極一側(ce) ，如下所示：
與(yu) P-MOS 管相比，N-MOS 管導通電阻小且價(jia) 格相對更便宜，最好選 N-MOS 管。