很多初學者都會(hui) 認為(wei) 三極管是兩(liang) 個(ge) PN 結的簡單湊合（如圖1）。這種想法是錯誤的，兩(liang) 個(ge) 二極管的組合不能形成一個(ge) 三極管。我們(men) 以NPN 型三極管為(wei) 例（見圖2 ），兩(liang) 個(ge) PN 結共用了一個(ge) P 區——基區，基區做得極薄，隻有幾微米到幾十微米，正是靠著它把兩(liang) 個(ge) PN 結有機地結合成一個(ge) 不可分割的整體(ti) ，它們(men) 之間存在著相互聯係和相互影響，使三極管完全不同於(yu) 兩(liang) 個(ge) 單獨的PN 結的特性。三極管在外加電壓的作用下，形成基極電流、集電極電流和發射極電流，成為(wei) 電流放大器件。

　　二、三極管的電流放大作用與(yu) 其物理結構有關(guan) ，三極管內(nei) 部進行的物理過程是十分複雜的，初學者暫時不必去深入探討。從(cong) 應用的角度來講，可以把三極管看作是一個(ge) 電流分配器。一個(ge) 三極管製成後，它的三個(ge) 電流之間的比例關(guan) 係就大體(ti) 上確定了（見圖 3 ），用式子來表示就是

　　β 和 α 稱為(wei) 三極管的電流分配係數，其中 β 值大家比較熟悉，都管它叫電流放大係數。三個(ge) 電流中，有一個(ge) 電流發生變化，另外兩(liang) 個(ge) 電流也會(hui) 隨著按比例地變化。例如，基極電流的變化量 ΔI b ＝ 10 μA ， β ＝ 50 ，根據 ΔI c ＝ βΔI b 的關(guan) 係式，集電極電流的變化量 ΔI c ＝ 50&TImes;10 ＝ 500μA ，實現了電流放大。

　　三、三極管自身並不能把小電流變成大電流，它僅(jin) 僅(jin) 起著一種控製作用，控製著電路裏的電源，按確定的比例向三極管提供 I b 、 I c 和 I e 這三個(ge) 電流。為(wei) 了容易理解，我們(men) 還是用水流比喻電流（見圖 4 ）。這是粗、細兩(liang) 根水管，粗的管子內(nei) 裝有閘門，這個(ge) 閘門是由細的管子中的水量控製著它的開啟程度。如果細管子中沒有水流，粗管子中的閘門就會(hui) 關(guan) 閉。注入細管子中的水量越大，閘門就開得越大，相應地流過粗管子的水就越多，這就體(ti) 現出“以小控製大，以弱控製強”的道理。由圖可見，細管子的水與(yu) 粗管子的水在下端匯合在一根管子中。三極管的基極 b 、集電極 c 和發射極 e 就對應著圖 4 中的細管、粗管和粗細交匯的管子。電路見圖 5 ，若給三極管外加一定的電壓，就會(hui) 產(chan) 生電流 I b 、 I c 和 I e 。調節電位器 RP 改變基極電流 I b ， I c 也隨之變化。由於(yu) I c ＝ βI b ，所以很小的 I b 控製著比它大 β 倍的 I c 。 I c 不是由三極管產(chan) 生的，是由電源 V CC 在 I b 的控製下提供的，所以說三極管起著能量轉換作用。

　　四、如圖，假設三極管的β=100，RP=200K，此時的Ib=6v/（200k+100k）=0.02mA，Ic=βI b=2mA當RP=0時，Ib=6v/100k=0.06mA，Ic=βI b=2mA。以上兩(liang) 種狀態都符合Ic=βI b，我們(men) 說，三極管處於(yu) “放大區”。假設RP=0，Rb=1k，此時，Ib=6v/1k=6mA按Ic=βI b計算，Ic應等於(yu) 600mA，而實際上，由於(yu) 圖中300歐姆限流電阻（Rc）的存在，實際上Ic=（6v/300）≈20mA，此時，Ic≠βI b，而且，Ic不再受Ib控製，即處於(yu) “飽和區”，當RP和Rb大到一定程度，使Ube《死區電壓（矽管約0.5V，鍺管約0.3）此時be結處於(yu) 不導通狀態，Ib=0，則Ic=0，處於(yu) “截止區”。

　　五、單純從(cong) “放大”的角度來看，我們(men) 希望 β 值越大越好。可是，三極管接成共發射極放大電路時，從(cong) 管子的集電極 c 到發射極 e 總會(hui) 產(chan) 生一有害的漏電流，稱為(wei) 穿透電流 I ceo ，它的大小與(yu) β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控製，卻成為(wei) 集電極電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關(guan) 係，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩定性。所以，選擇三極管時，並不是 β 越大越好，一般取矽管 β 為(wei) 40 ～ 150 ，鍺管取 40 ～ 80 。

　　六、在常溫下，鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，矽管的穿透電流就比較小，一般隻有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與(yu) 溫度有著密切的關(guan) 係，它們(men) 遵循著所謂的“加倍規則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為(wei) 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單（圖 7 ），三極管的基極開路，在集電極與(yu) 發射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯在電路中的電流表（可用萬(wan) 用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。

　　七、嚴(yan) 格地說，三極管的 β 值不是一個(ge) 不變的常數。在實際使用中，調整三極管的集電極電流 I ， β 值會(hui) 隨著發生變化（圖  ）。一般說來，在 I c 很小（例如幾十微安）或很大（即接近集電極最大允電流 I CM ）時， β 值都比較小，在 1mA 以上相當寬的範圍內(nei) ，小功率管的 β 值都比較大，所以，同學們(men) 在調試放大電路時，要確定合適的工作電流 I c ，以獲得最佳放大狀態。另外， β 值也和三極管的其它參數一樣，跟溫度有密切的關(guan) 係。溫度升高， β 值相應變大。一般溫度每升高 1℃ ， β 值增加 0.5 ％～ 1 ％。

　　八、三極管有一個(ge) 極限參數叫集電極最大允許電流，用 I CM 表示。 I CM 常稱為(wei) 三極管的額定電流，所以人們(men) 常常誤認為(wei) 超過了 I CM 值，由於(yu) 過熱會(hui) 把管子燒壞。實際上，規定 I CM 值是為(wei) 避免集電極電流太大時引起 β 值下降過多。一般把 β 值降低到它的最大值一半左右時的集電極電流定為(wei) 集電極最大允許電流 I CM 。

　　九、三極管的電流放大係數 β 值還與(yu) 電路的工作頻率有關(guan) 。在一定的頻率範圍內(nei) ，可以認為(wei) β 值是不隨頻率變化的（圖  ），可是當頻率升高到超過某一數值後， β 值就會(hui) 明顯下降。為(wei) 了保證三極管在高頻時仍然具有足夠的放大能力，人們(men) 規定：當頻率升高到使 β 值下降到低頻（ 1000Hz ）值 β 0 的 0.707 倍時，所對應的頻率稱為(wei) β 截止頻率，用 f β 表示。 f β 就是三極管接成共發射極電路時所允許的最高工作頻率。

　　三極管 β 截止頻率 f β 是在三極管接成共發射極放大電路時測定的。如果三極管接成共基極電路，隨著頻率的升高，其電流放大係數 α （ α ＝ I c ／ I e ）值下降到低頻（ 1000Hz ）值 α o 的 0.707 倍時，所對應的頻率稱為(wei) α 截止頻率，用 f α 表示（圖 ）。 f α 反映了三極管共基極運用時的頻率限製。在三極管產(chan) 品係列中，常根據 f α 的大小劃分低頻管和高頻管。國家規定， f α ＜ 3MHz 的為(wei) 低頻管， f α ＞ 3MHz 的為(wei) 高頻管。

　　當頻率高於(yu) f β 值後，繼續升高頻率， β 值將隨之下降，直到 β ＝ 1 ，三極管就失去了放大能力。為(wei) 此，人們(men) 規定：在高頻條件下， β ＝ 1 時所對應的頻率，稱為(wei) 特征頻率，用 f T 表示。 f T 常作為(wei) 標誌三極管頻率特性好壞的重要參數。在選擇三極管時，應使管子的特征頻率 f T 比實際工作頻率高出 3 ～ 5 倍。

　　f α 與(yu) f β 的物理意義(yi) 是相同的，僅(jin) 僅(jin) 是放大電路連接方式不同。理論分析和實驗都可以證明，同一隻三極管的 f β 值遠比 f α 值要小，它們(men) 之間的關(guan) 係為(wei)

　　f β ＝（ 1 － α ） f α

　　這就說明了共發射極電路的極限工作頻率比共基極電路低得多。所以，高頻放大和振蕩電路大多采用共基極連接。