MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那麽(me) 是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？

三極管ON狀態時工作於(yu) 飽和區，導通電流Ice主要由Ib與(yu) Vce決(jue) 定，由於(yu) 三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅(jin) 由Vce來決(jue) 定，即不能采用飽和Rce來表示（因Rce會(hui) 變化）。由於(yu) 飽和狀態下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。

MOS管在ON狀態時工作於(yu) 線性區（相當於(yu) 三極管的飽和區），與(yu) 三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決(jue) 定，但MOS管的驅動電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅(jin) 受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。

電流可以雙向流過 MOSFET的D和S ，正是MOSFET這個(ge) 突出的優(you) 點，讓同步整流中沒有DCM的概念，能量可以從(cong) 輸入傳(chuan) 遞到輸出，也可以從(cong) 輸出返還給輸入。能實現能量雙向流動。

接下來我們(men) 往深入一點來進行討論，第一點、MOS的D和S既然可以互換，那為(wei) 什麽(me) 又定義(yi) DS呢？

對於(yu) IC內(nei) 部的MOS管，製造時肯定是完全對稱的，定義(yi) D和S的目的是為(wei) 了討論電流流向和計算的時候方便。

第二點、既然定義(yi) D和S，它們(men) 到底有何區別呢？

對於(yu) 功率MOS，有時候會(hui) 因為(wei) 特殊的應用，比如耐壓或者別的目的，在NMOS的D端做一個(ge) 輕摻雜區耐壓，此時D，S會(hui) 有不同。

第三點、D和S互換之後，MOS表現出來的特性，跟原來有何不同呢？比如Vth、彌勒效應、寄生電容、導通電阻、擊穿電壓Vds。

DS互換後，當Vgs=0時，隻要Vds》0.7V管子也可以導通，而換之前不能。當Vgs》Vth時，反型層溝道已形成，互換後兩(liang) 者特性相同。

D和S的確定

我們(men) 隻是說電流可以從(cong) D--to--S ，也可以從(cong) S----to---D。但是並不意味著：D和S 這兩(liang) 個(ge) 端子的名字可以互換。

DS溝道的寬度是靠GS電壓控製的。當G固定了，誰是S就唯一確定了。

如果將上麵確定為(wei) S端的，認為(wei) 是D。

將原來是D的認為(wei) 是S ，並且給G和這個(ge) S施加電壓，結果溝道並不變化，仍然是關(guan) 閉的。

當Vgs沒有到達Vth之前，通過驅動電阻R對Cgs充電，這個(ge) 階段的模型就是簡單的RC充電過程。

當Vgs充到Vth之後，DS導電溝道開始開啟，Vd開始劇烈下降。按照I=C*dV/dt ，寄生電容Cgd有電流流過 方向：G --》D 。按照G接點KCL Igd電流將分流IR，大部分驅動電流轉向Igd，留下小部分繼續流到Cgs。因此，Vgs出現較平坦變化的一小段。這就是miler平台。