MOS管概念

　　MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為(wei) 金屬-氧化物-半導體(ti) ，描述了集成電路中的結構，即：在一定結構的半導體(ti) 器件上，加上二氧化矽和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。

　　MOS管工作原理

　　MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管）它是利用VGS來控製“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然後達到控製漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界麵的另一側(ce) 能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nei) 被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　MOS管的性能參數

　　優(you) 質的MOS管可以接受的電流峰值更高。普通狀況下我們(men) 要判別主板上MOS管的質量上下，能夠看它能接受的最大電流值。影響MOS管質量上下的參數十分多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標注這麽(me) 多參數，所以在MOS管外表普通隻標注了產(chan) 品的型號，我們(men) 能夠依據該型號上網查找詳細的性能參數。還要闡明的是，溫度也是MOS管一個(ge) 十分重要的性能參數。主要包括環境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由於(yu) CPU頻率的進步，MOS管需求接受的電流也隨著加強，提供近百A的電流曾經很常見了。如此宏大的電流經過時產(chan) 生的熱量當然使MOS管“發燒”了。為(wei) 了MOS管的平安，高質量主板也開端為(wei) MOS管加裝散熱片了。

　　mos管三個引腳怎麽區分

　　G極 柵極，不用說比較好認。

　　S極 源極，不論是p溝道還是N溝道，兩(liang) 根線相交的就是；

　　D極 漏極，不論是p溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。

　　判定柵極G：將萬(wan) 用表撥至R&TImes;1k檔，用萬(wan) 用表的負極任意接一電極，另一隻表筆依次去接觸其餘(yu) 的兩(liang) 個(ge) 極，測其電阻。若兩(liang) 次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為(wei) 柵極，另外兩(liang) 電極為(wei) 漏極和源極。漏極和源極互換，若兩(liang) 次測出的電阻都很大，則為(wei) N溝道；若兩(liang) 次測得的阻值都很小，則為(wei) P溝道。

　　判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個(ge) PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與(yu) D極。用交換表筆法測兩(liang) 次電阻，其中電阻值較低（一般為(wei) 幾千歐至十幾千歐）的一次為(wei) 正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

　　MOS管如何快速判斷與好壞及引腳性能

　　1、用10K檔，內(nei) 有15伏電池。可提供導通電壓。

　　2、因為(wei) 柵極等效於(yu) 電容，與(yu) 任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。

　　3、利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由於(yu) 柵極上電荷能保持，上述兩(liang) 步可分先後，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。

　　4、大都源漏間有反並二極管，應注意，及幫助判斷。

　　5、大都封莊為(wei) 字麵對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，後兩(liang) 點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。

　　如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，隻有準確判定腳的排列，才能正確使用。

　　管腳測定方法：

　　①柵極G的測定：用萬(wan) 用表R&TImes;100檔，測任意兩(liang) 腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為(wei) 數百Ω），該兩(liang) 腳是D、S，第三腳為(wei) G。

　　②漏極D、源極S及類型判定：用萬(wan) 用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為(wei) 0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳後，與(yu) G碰一下，然後回去再接原引腳，出現兩(liang) 種情況：

　　a．若讀數由原來較大值變為(wei) 0（0×10kΩ），則紅表筆所接為(wei) S，黑表筆為(wei) D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為(wei) 0Ω，還可證明該管為(wei) N溝道。

　　b．若讀數仍為(wei) 較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之後立即回到原腳，此時若讀數為(wei) 0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為(wei) D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為(wei) P溝道。

　　MOS管的發熱情況有：

　　1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關(guan) 電路狀態。這也是導致MOS管發熱的一個(ge) 原因。如果N-MOS做開關(guan) ，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

　　2.頻率太高，主要是有時過分追求體(ti) 積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。

　　3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小於(yu) 最大電流，也可能發熱嚴(yan) 重，需要足夠的輔助散熱片。

　　4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nei) 阻沒有充分考慮，導致開關(guan) 阻抗增大。

　　MOS管作用

　　MOS管可以用作可變電阻也可應用於(yu) 放大。由於(yu) 場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於(yu) 多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關(guan) 。

　　有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體(ti) 管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

　　在一般電子電路中，通常被用於(yu) 放大電路或開關(guan) 電路。而在主板上的電源穩壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數字表示。