肖特基二極管自從(cong) 替代傳(chuan) 統的普通的二極管後受到了用戶的的青睞和喜歡，但是有些時候也會(hui) 有傻傻分不肖的時候，肖特基二極管和場效應管有什麽(me) 區別？
　　肖特基二極管是二極管，特點是低功耗、超高速、反向恢複時間極短、正向壓降小，適合做整流電路；場效應管是三極管，特點是輸入阻抗高、噪聲小、功耗低、漏電流小，開關(guan) 特性好，適合做放大電路或開關(guan) 電路。
　　二極管與(yu) 三極管完全是2種類型，不能相比，但同屬電子元件類。
　　肖特基二極管和普通二極管或場效應管的外觀還是多少有點相似的，用戶在使用時會(hui) 有所困惑也是難免的
　　

　　如何區分場效應管和肖特基二極管
　　什麽(me) 是場效應管
　　場效應管是場效應晶體(ti) 管的簡稱，應為(wei) 縮寫(xie) 為(wei) FET。場效應管通常分為(wei) 兩(liang) 類：1）JFET和MOSFET。這兩(liang) 類場效應管都是壓控型的器件。場效應管有三個(ge) 電極，分別為(wei) ：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應用廣泛，JFET相對較少。MOSFET可以分為(wei) NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結構圖、NMOS和MOSFET的電路符號圖。

　　PMOS的結構是這樣的： 在N型矽襯底上做了兩(liang) 個(ge) P型半導體(ti) 的P+區，這兩(liang) 個(ge) 區分別叫做源極S和漏極D，在N型半導體(ti) 的絕緣層上引出柵極G。NMOS的實物圖和引腳分布如下圖所示。
　

　　什麽(me) 是肖特基二極管
　　肖特基二極管又叫勢壘二極管，是由金屬和半導體(ti) 接觸形成的二極管，其特點為(wei) ：
　　反向恢複時間非常短，為(wei) ns級別；
　　正向導通壓降非常低：為(wei) 0.3-0.5V左右；
　　漏電流較大、反向擊穿電壓比較低；
　　通常用在低壓開關(guan) 電源中，以肖特基二極管MBR30100為(wei) 例，其實物圖和結構圖如下圖所示。

　　該肖特基二極管有三個(ge) 電極，其中一個(ge) 公共端是陰極，由兩(liang) 個(ge) 二極管共陰極構成。
　　關(guan) 於(yu) 場效應管的反向並接的二極管的問題?
　　有些場效應管的規格書(shu) 裏原理圖上標有一個(ge) 穩壓管符號，為(wei) 了搞清楚其中的真正情況，我們(men) 抽取了幾種有該二極管符號的樣品進行檢測試驗，發現有以下兩(liang) 種情況：
　　1.實際是本體(ti) 的寄生二極管；2集成的肖特基二極管

　　前一種情況，估計是做文件時直接將其他文件中的圖形複製過來所致。?關(guan) 於(yu) 該本體(ti) 二級管的特性，在規格書(shu) 中應該有規格說明的。但請大家注意，是二極管而不是穩壓管，不要被穩壓管的圖形搞暈了。
　　第二種情況，注意，是肖特基二極管，圖中標注的符號也不對。有些元件有這樣集成的情況，且在其參數表中一定有相關(guan) 方麵的參數說明，即：肖特基二極管的電壓電流參數，大家在識別元件時應該注意相關(guan) 的參數

　另外還有一種可能，那就是標示的場效應管擊穿區的穩壓管特征。

　　當然，作為(wei) 生產(chan) 廠商，他們(men) 對場效應管的這種特性是不會(hui) 做任何保障承諾的。所以規格書(shu) 中一般沒有其特性的說明和參數表。元件實際使用時也不能工作在該區域。
　　隻是，對於(yu) 不同廠商，元件的耐受能力是不同的，有些原件在超過擊穿電壓後，很容易就損壞了，而有些元件，可以耐受較高的擊穿電流的衝(chong) 擊，而這，也在一些場合，決(jue) 定了元件質量在用戶心中的感覺。
　　表，並且，要注意和本體(ti) 二極管參數的區別。如果無誤，則說明確有並聯的二極管，否則是圖形錯誤。