電容器的常見失效模式有：

――擊穿短路；致命失效

――開路；致命失效

――電參數變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效

――漏液；部分功能失效

――引線腐蝕或斷裂；致命失效

――絕緣子破裂；致命失效

――絕緣子表麵飛弧；部分功能失效

引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結構、製造工藝、性能和使用環境各不相同，失效機理也各不一樣。

各種常見失效模式的主要產(chan) 生機理歸納如下。

3.1失效模式的失效機理

3.1.1引起電容器擊穿的主要失效機理

①電介質材料有疵點或缺陷，或含有導電雜質或導電粒子；
②電介質的電老化與(yu) 熱老化；
③電介質內(nei) 部的電化學反應；
④銀離子遷移；
⑤電介質在電容器製造過程中受到機械損傷(shang) ；
⑥電介質分子結構改變；
⑦在高濕度或低氣壓環境中極間飛弧；
⑧在機械應力作用下電介質瞬時短路。

3.1.2引起電容器開路的主要失效機理

①引線部位發生“自愈“，使電極與(yu) 引出線絕緣；
②引出線與(yu) 電極接觸表麵氧化，造成低電平開路；
③引出線與(yu) 電極接觸不良；

④電解電容器陽極引出箔腐蝕斷裂；

⑤液體(ti) 電解質幹涸或凍結；
⑥機械應力作用下電介質瞬時開路。

3.1.3引起電容器電參數惡化的主要失效機理

①受潮或表麵汙染；

②銀離子遷移；

③自愈效應；
④電介質電老化與(yu) 熱老化；
⑤工作電解液揮發和變稠；
⑥電極腐蝕；
⑦濕式電解電容器中電介質腐蝕；
⑧雜質與(yu) 有害離子的作用；
⑨引出線和電極的接觸電阻增大。

3.1.4引起電容器漏液的主要原因

①電場作用下浸漬料分解放氣使殼內(nei) 氣壓上升；
②電容器金屬外殼與(yu) 密封蓋焊接不佳；
③絕緣子與(yu) 外殼或引線焊接不佳；
④半密封電容器機械密封不良；
⑤半密封電容器引線表麵不夠光潔；
⑥工作電解液腐蝕焊點。

3.1.5引起電容器引線腐蝕或斷裂的主要原因

①高溫度環境中電場作用下產(chan) 生電化學腐蝕；

②電解液沿引線滲漏，使引線遭受化學腐蝕；

③引線在電容器製造過程中受到機械損傷(shang) ；

④引線的機械強度不夠。

3.1.6引起電容器絕緣子破裂的主要原因

①機械損傷(shang) ；
②玻璃粉絕緣子燒結過程中殘留熱力過大；
③焊接溫度過高或受熱不均勻。

3.1.7引起絕緣子表麵飛弧的主要原因

①絕緣子表麵受潮，使表麵絕緣電阻下降；
②絕緣子設計不合理
③絕緣子選用不當
④環境氣壓過低

電容器擊穿、開路、引線斷裂、絕緣子破裂等使電容器完全失去工作能力的失效屬致命性失效，其餘(yu) 一些失效會(hui) 使電容不能滿足使用要求，並逐漸向致命失效過渡；
電容器在工作應力與(yu) 環境應力綜合作用下，工作一段時間後，會(hui) 分別或同時產(chan) 生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機理，同一失效機理又可產(chan) 生多種失效模式。失效模式與(yu) 失效機理之間的關(guan) 係不是一一對應的。

3.2電容器失效機理分析

3.2.1潮濕對電參數惡化的影響

空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表麵，可使電容器的表麵絕緣電阻下降。此處，對於(yu) 半密封結構電容器來說，水分還可滲透到電容器介質內(nei) 部，使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫、高濕環境對電容器參數惡化的影響極為(wei) 顯著。經烘幹去濕後電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的後果是無法根除的。例如：電容器工作於(yu) 高溫條件下，水分子在電場作用下電解為(wei) 氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線根部產(chan) 生電化學腐蝕。即使烘幹去濕，也不可能引線複原。

3.2.2銀離子遷移的後果

無機介質電容多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作時，滲入電容器內(nei) 部的水分子產(chan) 生電解。在陽極產(chan) 生氧化反應，銀離子與(yu) 氫氧根離子結合生成氫氧化銀。在陰極產(chan) 生還原反應、氫氧化銀與(yu) 氫離子反應生成銀和水。由於(yu) 電極反應，陽極的銀離子不斷向陰極還原成不連續金屬銀粒，靠水膜連接成樹狀向陽極延伸。銀離子遷移不僅(jin) 發生在無機介質表麵，銀離子還能擴散到無機介質內(nei) 部，引起漏電流增大，嚴(yan) 重時可使兩(liang) 個(ge) 銀電極之間完全短路，導致電容器擊穿。
銀離子遷移可嚴(yan) 重破壞正電極表麵銀層，引線焊點與(yu) 電極表麵銀層之間，間隔著具有半導體(ti) 性質的氧化銀，使無機介質電容器的等效串聯電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。
由於(yu) 正電極有效麵積減小，電容器的電容量會(hui) 因此而下降。表麵絕緣電阻則因無機介質電容器兩(liang) 電極間介質表麵上存在氧化銀半導體(ti) 而降低。銀離子遷移嚴(yan) 重時，兩(liang) 電極間搭起樹枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。
綜上所述，銀離子遷移不僅(jin) 會(hui) 使非密封無機介質電容器電性能惡化，而且可能引起介質擊穿場強下降，最後導致電容器擊穿。
值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨石電容器由於(yu) 銀離子遷移而引起失效的現象比其他類型的陶瓷介質電容器嚴(yan) 重得多，原因在於(yu) 這種電容器的一次燒成工藝與(yu) 多層疊片結構。銀電極與(yu) 陶瓷介質一次燒結過程中，銀參與(yu) 了陶瓷介質表麵的固相反應，滲入了瓷-銀接觸處形成界麵層。如果陶瓷介質不夠致密，水分滲入後，銀離子遷移不僅(jin) 可以在陶瓷介質表麵發生，還可能穿透陶瓷介質層。多層疊片結構的縫隙較多，電極位置不易精確，介質表麵的留邊量小，疊片層兩(liang) 端塗覆外電極時銀漿滲入縫隙，降低了介質表麵的絕緣電阻，並使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時容易產(chan) 生短路現象。

3.2.3高濕度條件下陶瓷電容器擊穿機理

半密封陶瓷電容器在高濕度環境條件下工作時，發生擊穿失效是比較普遍的嚴(yan) 重問題。所發生的擊穿現象大約可以分為(wei) 介質擊穿和表麵極間飛弧擊穿兩(liang) 類。介質擊穿按發生時間的早晚又可分為(wei) 早期擊穿與(yu) 老化擊穿兩(liang) 種。早期擊穿暴露了電容介質材料與(yu) 生產(chan) 工藝方麵存在的缺陷，這些缺陷導致陶瓷介質電強度顯著降低，以致於(yu) 在高濕度環境中電場作用下，電容器在耐壓試驗過程中或工作初期，就產(chan) 生電擊穿。老化擊穿大多屬於(yu) 電化學擊穿範疇。由於(yu) 陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為(wei) 相當普遍的問題。銀遷移形成的導電樹枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現象多發生在管形或圓片形的小型瓷介電容器中，因為(wei) 擊穿時局部發熱厲害，較薄的管壁或較小的瓷體(ti) 容易燒毀或斷裂。

此外，以二氧化鈦為(wei) 主的陶瓷介質中，負荷條件下還可能產(chan) 生二氧化鈦的還原反應，使鈦離子由四價(jia) 變為(wei) 三價(jia) 。陶瓷介質的老化顯著降低了電容器的介電強度，可能引起電容器擊穿。因此，這種陶瓷電容器的電解擊穿現象比不含二氧化鈦的陶瓷介質電容器更加嚴(yan) 重。

銀離子遷移使電容器極間邊緣電場發生嚴(yan) 重畸變，又因高濕度環境中陶瓷介質表麵凝有水膜，使電容邊緣表麵電暈放電電壓顯著下降，工作條件下產(chan) 生表麵極間飛弧現象。嚴(yan) 重時導致電容器表麵極間飛弧擊穿。表麵擊穿與(yu) 電容結構、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與(yu) 透濕性等因素有關(guan) 。主要就是邊緣表麵極間飛弧擊穿，原因是介質留邊量較小，在潮濕環境中工作時銀離子遷移和表麵水膜形成使電容器邊緣表麵絕緣電阻顯著下降，引起電暈放電，最終導致擊穿。高濕度環境中尤其嚴(yan) 重。由於(yu) 銀離子遷移的產(chan) 生與(yu) 發展需要一段時間，所以在耐壓試驗初期，失效模式以介質擊穿為(wei) 主，直到試驗500h以後，主要失效模式才過渡為(wei) 邊緣表麵極間飛弧擊穿。

3.2.4高頻精密電容器的低電平失效機理

雲(yun) 母是一種較理想的電容器介質材料，具有很高的絕緣性能，耐高溫，介質損耗小，厚度可薄達25微米。雲(yun) 母電容器的主要優(you) 點是損耗小，頻率穩定性好、分布電感小、絕緣電阻大，特別適合在高頻通信電路中用做精密電容器。但是，雲(yun) 母資源有限，難於(yu) 推廣使用。近數十年內(nei) ，有機薄膜電容器獲得迅速發展，其中聚苯乙烯薄膜電容器具有損耗小、絕緣電阻大、穩定性好、介質強度高等優(you) 點。精密聚苯乙烯電容器可代替雲(yun) 母電容器用於(yu) 高頻電路。需要說明的是：應用於(yu) 高頻電路中的精密聚苯乙烯電容器，一般采用金屬箔極板，以提高絕緣電阻與(yu) 降低損耗。
電容器的低電平失效是20世紀60年代以來出現的新問題。低電平失效是指電容器在低電壓工作條件下出現的電容器開路或容量下降超差等失效現象。60年代以來半導體(ti) 器件廣泛應用，半導體(ti) 電路電壓比電子管電路低得多，使電容器的實際工作電壓在某些電路中僅(jin) 為(wei) 幾毫伏，引起電容器低電平失效，具體(ti) 表現是電容器完全喪(sang) 失電容量或部分喪(sang) 失電容量。對於(yu) 低電平衝(chong) 擊，使電容器的電容量恢複正常。
產(chan) 生低電平失效的原因主要在於(yu) 電容器引出線與(yu) 電容器極板接觸不良，接觸電阻增大，造成電容器完全開路或電容量幅度下降。

精密聚苯乙烯薄膜電容器一般采用鋁箔作為(wei) 極板，銅引出線與(yu) 鋁箔極板點焊在一起。鋁箔在空氣中極易氧化；極板表麵生成一層氧化鋁半導體(ti) 薄膜，在低電平條件下氧化膜層上的電壓不足以把它擊穿，因而鋁箔間形成的間隙電容量的串聯等效容量，間隙電容量愈小，串聯等效容量也愈小。因此，低電平容量取決(jue) 於(yu) 極板表麵氧化鋁層的厚薄，氧化鋁層愈厚，低電平條件下電容器的電容量愈小。此外，電容器在交流電路中工作時，其有效電容量會(hui) 因接觸電阻過大而下降，接觸電阻很大時有效電容量可減小到開路的程度。即使極板一引線間不存在導電不良的間隔層，也會(hui) 產(chan) 生這種後果。

引起精密聚苯乙烯電容器低電平失效的具體(ti) 因素歸納如下：
①引線表麵氧化或沾層太薄，以致焊接不牢；
②引線與(yu) 鋁箔點焊接不良，沒有消除鋁箔表麵點焊處的氧化鋁膜層；
③單引線結構的焊點數過少，使出現低電平失效的概率增大；
④粗引線根部打扁部分接觸麵積雖然較大，但點焊後焊點處應力也較大，熱處理或溫循過程中，可能損傷(shang) 接觸部位，惡化接觸情況；
⑤潮氣進入電容器芯子，氧化腐蝕焊點，使接觸電阻增大。
引起雲(yun) 母電容器低電平失效的具體(ti) 因素歸納如下：
①銀電極和引出銅箔之間以及銅箔和引線卡之間存在一層很薄的地臘薄膜。低電平條件下，外加電壓不足以擊穿這層絕緣膜，產(chan) 生間隙電容，並使接觸電阻增大；
②銀電極和銅箔受到有害氣體(ti) 侵蝕，使接觸電阻增大。在潮濕的硫氣環境中銀和銅容易硫化，使極板與(yu) 引線間的接觸電阻上升。

3.2.5金屬化紙介電容失效機理

金屬化紙介電容器的極板是真空蒸發在電容器紙表麵的金屬膜

A、電參數惡化失效
“自愈”是金屬化電容器的一個(ge) 獨特優(you) 點，但自愈過程頗為(wei) 複雜，自愈雖能避免電容器立即因介質短路而擊穿，但自愈部位肯定會(hui) 出現金屬微粒遷移與(yu) 介質材料受熱裂解的現象。電容器紙由纖維組成，纖維素是碳水化合物類的高分子物質。在高溫下電容器纖維素解成遊離狀態的碳原子或碳離子，使自愈部位表麵導電能力增加，導致電容器電阻下降、損耗增大與(yu) 電容減小。嚴(yan) 重時可使電容器因電參數惡化程度超過技術條件許可範圍而失效。
金屬化紙介電容器在低於(yu) 額定工作電壓的條件下工作時，自愈能量不足，電容器紙中存在的導電雜質在電場作用於(yu) 下形成低阻通路，也可導致電容器絕緣電阻降低和損耗增大。
電容器紙是多孔性的極性有機介質材料，極易吸收潮氣。電容器芯子雖浸漬處理，但如果工藝不當或浸漬不純，或在電場作用下工作相當時間後產(chan) 生浸漬老化現象，則電容器的絕緣電阻將因此降低，損耗也將因此增大。
電容量超差失效產(chan) 金屬化紙介電容器的一種失效形式。在高溫條件下儲(chu) 存時金屬化紙介電容器可能因電容量增加過多而失效，在高溫條件下加電壓工作時又可能因電容量減少過多而失效。高溫儲(chu) 存時半密封型金屬化紙介電容器免不了吸潮，水是強極性物質，其介電常數接近浸漬電容器介電常數的20倍。因此，少量潮氣侵入電容器芯子，也會(hui) 引起電容量顯著增大。烘烤去濕後電容呈會(hui) 有所下降。如果電容器在高溫環境中工作，則水分和電場的共同作用會(hui) 使金屬膜電極產(chan) 生電解性腐蝕，使極板有效麵積減小與(yu) 極板電阻增大，導致電容量大幅度下降。如果引線與(yu) 金屬膜層接觸部位產(chan) 生腐蝕，則接觸電阻增大，電容器的有效電容量將更進一步減小。個(ge) 別電容器的電容量可降到接近於(yu) 開路的程度。

B、引線斷裂失效
金屬化紙介電容器在高濕環境中工作時，電容器正端引線根部會(hui) 遭到嚴(yan) 重腐蝕，這種電解性腐蝕導致引線機械強度降低，嚴(yan) 重時可造成引線斷裂失效。

3.2.6鋁電解電容器的失效機理

鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質是在金屬表麵形成的三氧化二鋁膜，負極是黏稠狀的電解液，工作時相當一個(ge) 電解槽。鋁電解電容器常見失效模式有：漏液、爆炸、開路、擊穿、電參數惡化等，有關(guan) 失效機理分析如下。
A、漏液
鋁電解電容器的工作電解液泄漏是一個(ge) 嚴(yan) 重問題。工作電解液略呈現酸性，漏出的工作電解液嚴(yan) 重汙染和腐蝕電容器周圍的其他元器件和印刷電路板。同時電解電容器內(nei) 部，由於(yu) 漏液而使工作電解液逐漸幹涸，喪(sang) 失修補陽極氧化膜介質的能力，導致電容器擊穿或電參數惡化而失效。
產(chan) 生漏液的原因很多，主要是鋁電解電容器密封不佳。采用鋁負極箔夾在外殼邊與(yu) 封口板之間的封口結構時很容易在殼邊滲漏電解液。采用橡膠塞密封的電容器，也可能因橡膠老化、龜裂而引起漏液。此外，機械密封工藝有問題的產(chan) 品也容易漏液。總之，漏液與(yu) 密封結構、密封材料與(yu) 密封工藝有密切的關(guan) 係。
B、爆炸
鋁電解電容器在工作電壓中交流成分過大，或氧化膜介質有較多缺陷，或存在氯根、硫酸根之類有害的陰離子，以致漏電流較大時電解作用產(chan) 生氣體(ti) 的速率較快，大部分氣體(ti) 用於(yu) 修補陽極氧化膜，少部分氧氣儲(chu) 存在電容器殼內(nei) 。工作時間愈長，漏電流愈大，殼內(nei) 氣體(ti) 愈多，溫度愈高。電容器金屬殼內(nei) 外的氣壓差值將隨工作電壓和工作時間的增加而增大。如果產(chan) 品密封不佳，則將造成漏液；如果密封良好，又沒有任何防爆措施，則氣壓增大到一定程度就會(hui) 引起電容器爆炸。高壓大容量電容器的漏電流較大，爆炸可能性更大。目前，已普遍采用防爆外殼結構，在金屬外殼上部增加一道褶縫，氣壓高時將褶縫頂開，增大殼內(nei) 容積，從(cong) 而降低氣壓，減少爆炸危險。
C、開路
鋁電解電容器在高溫或潮熱環境中長期工作時可能出現開路失效，其原因在於(yu) 陽極引出箔片遭受電化學腐蝕而斷裂。對於(yu) 高壓大容量電容器，這種失效模式較多。此外，陽極引出箔片和陽極箔鉚接後，未經充分平，則接觸不良會(hui) 使電容器出現間歇開路。
鋁電解電容器內(nei) 采用以DMF（二甲基酰胺）為(wei) 溶劑的工作電解液時，DMF溶液是氧化劑，在高溫下氧化能力更強。工作一段時間後可能因陽極引出箔片與(yu) 焊片的鉚接部位生成氧化膜而引起電容器開路。如果采用超聲波焊接機把引出箔片與(yu) 焊點在一起，可則減少這類失效現象。

D、擊穿
鋁電解電容器擊穿是由於(yu) 陽極氧化鋁介質膜破裂，導致電解液直接與(yu) 陽極接觸而造成的。氧化鋁膜可能因各種材料，工藝或環境條件方麵的原因而受到局部損傷(shang) 。在外加電場的作用下工作電解液提供的氧離子可在損傷(shang) 部位重新形成氧化膜，使陽極氧化膜得以填平修複。但是如果在損傷(shang) 部位存在雜質離子或其他缺陷，使填平修複工作無法完善，則在陽極氧化膜上會(hui) 留下微孔，甚至可能成為(wei) 穿透孔，使鋁電解電容器擊穿。
此外，隨著使用和儲(chu) 存時間的增長，電解液中溶劑逐漸消耗和揮發，使溶液酸值上升，在儲(chu) 存過程中對氧化膜層發生腐蝕作用。同時，由於(yu) 電解液老化與(yu) 幹涸，在電場作用下已無法提供氧離子修補氧化膜，從(cong) 而喪(sang) 失了自愈作用，氧化膜一經損壞就會(hui) 導致電容器擊穿。工藝缺陷也是鋁電解電容器擊穿的一個(ge) 主要原因。如果賦能過程中形成的陽極氧化膜不夠致密與(yu) 牢固，在後續的裁片、鉚接工藝中又使氧化膜受到嚴(yan) 重損傷(shang) 。這種陽極氧化膜難以在最後的老煉工序中修補完善，以致電容器使用過程中，漏電流很大，局部自愈已挽救不了最終擊穿的命運。又如鉚接工藝不佳時，引出箔條上的毛剌嚴(yan) 重剌傷(shang) 氧化膜，刺傷(shang) 部位漏電流很大，局部過熱使電容器產(chan) 生熱擊穿。
E、電參數惡化
A、電容量下降與(yu) 損耗增大
鋁電解電容器的電容量在工作早期緩慢下降，這是由於(yu) 負荷過程中工作電解液不斷修補並增厚陽極氧化膜所致。鋁電解電容器在使用後期，由於(yu) 電解液耗損較多、溶液變稠，電阻率因黏度增大而上升，使工作電解質的等效串聯電阻增大，導致電容器損耗明顯增大。同時，黏度增大的電解液難於(yu) 充分接觸經腐蝕處理的凹凸不平鋁箔表麵上的氧化膜層，這樣就使鋁電解電容器的極板有效麵積減小，引起電容量急劇下降。這也是電容器使用壽命臨(lin) 近結束的表現。
此外，如果工作電解液在低溫下黏度增大過多，也會(hui) 造成損耗增大與(yu) 電容量急劇下降的後果。硼酸一乙二醇係統工作電解液的低溫性能不佳，黏度過大導致等效串聯電阻激增，使損耗變大和有效電容量驟減，從(cong) 而引起鋁電解電容器在嚴(yan) 寒環境中使用時失效。
B、漏電流增加
漏電流增加往往導致鋁電解電容器失效。賦能工藝水平低，所形成的氧化膜不夠致密與(yu) 牢固，開片工藝落後，氧化膜損傷(shang) 與(yu) 沾汙嚴(yan) 重，工作電解液配方不佳，原材料純度不高，電解液的化學性質與(yu) 電化學性質難以長期穩定，鋁箔純度不高，雜質含量多……這些因素均可能造成漏電流超差失效。
鋁電解電容器中氯離子沾汙嚴(yan) 重，漏電流導致沾汙部位氧化膜分解，造成穿孔，促使電流進一步增大。此外，鋁箔的雜質含量較高，一般鐵雜質顆粒的尺寸大於(yu) 陽極氧化膜的厚度，使電流易於(yu) 傳(chuan) 導。銅與(yu) 矽雜質的存在影響鋁氧化物向晶態結構轉變。銅和鋁還可在電解質內(nei) 組成微電池，使鋁箔遭到腐蝕破壞。總之，鋁箔中金屬雜質的存在，會(hui) 使鋁電解電容器漏電流增大，從(cong) 而縮短電容器的壽命。