你們(men) 了解過場效應管開關(guan) 電路嗎?該電路一般分為(wei) 兩(liang) 種，一種是N溝道，另一種是P溝道，如果你的電路設計中要應用到高端驅動的話，可以采用PMOS來導通，感興(xing) 趣的話就隨小編一起來了解下P溝道和N溝道MOS管開關(guan) 電路圖吧!

Mos管關(guan) 電路圖

MOS管開關(guan) 電路是利用MOS管柵極(g)控製MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構造的電路。MOS管分為(wei) N溝道與(yu) P溝道，所以開關(guan) 電路也主要分為(wei) 兩(liang) 種。

各種MOS管，都是具有柵極（Gate，簡稱G）、漏極（Drain，簡稱D）、源極（Source，簡稱S）三個(ge) 電極。其主要的工作原理，就是通過在柵源之間電壓的改變，控製漏源之間的電流變化；這與(yu) 三極管，用基極電流控製集電極電流（Ic）是不同的。優(you) 點在於(yu) ，提供電壓控製比電流控製更容易實現。由於(yu) MOS管都具有三個(ge) 電極，因此，它們(men) 的順序自然可以任意排列，但使用時，一定要注意柵極G不要搞錯了，接了錯誤的電壓，容易到導致柵下氧化層被擊穿，導致器件損壞。

1、P溝道MOS管開關(guan) 電路

PMOS的特性，Vgs小於(yu) 一定的值就會(hui) 導通，適合用於(yu) 源極接VCC時的情況(高端驅動)。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與(yu) 源極S的電壓，即柵極低於(yu) 電源一定電壓就導通，而非相對於(yu) 地的電壓。但是因為(wei) PMOS導通內(nei) 阻比較大，所以隻適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

2、N溝道mos管開關(guan) 電路

NMOS的特性，Vgs大於(yu) 一定的值就會(hui) 導通，適合用於(yu) 源極接地時的情況(低端驅動)，隻要柵極電壓大於(yu) 參數手冊(ce) 中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與(yu) 源極S的壓差，所以當NMOS作為(wei) 高端驅動時候，當漏極D與(yu) 源極S導通時，漏極D與(yu) 源極S電勢相等，那麽(me) 柵極G必須高於(yu) 源極S與(yu) 漏極D電壓，漏極D與(yu) 源極S才能繼續導通。

以上就是關(guan) 於(yu) 場效應管開關(guan) 電路的相關(guan) 介紹,高端驅動一般應用的是PMOS的特性，而低端驅動一般應用於(yu) NMOS的特性，測量的是柵極G與(yu) 源極S的壓差。