雙向可控矽原理

　　“雙向可控矽”：是在普通可控矽的基礎上發展而成的，它不僅(jin) 能代替兩(liang) 隻反極性並聯的可控矽，而且僅(jin) 需一個(ge) 觸發電路，是比較理想的交流開關(guan) 器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guan) 之意。

　　先看下圖的工作原理：

　　如果想簡單一點隻要記住一句話即可，隻要在G端有信號，那麽(me) T1-T2這條路就是通的，隻有G在零點的時候才不會(hui) 導通，主要來看一下應用吧。

　　來看一個(ge) 電路圖，其實雙向可控矽多數用在交流電路中。

　　簡單介紹一下，Q5是三極管，U2是個(ge) 光耦，BT1就是雙向可控矽，R144是一個(ge) 壓敏電阻，正常工作時候相當於(yu) 斷路，超過470V才起作用，CN5接負載，也就是說我隻要給AirPumpSwitch一個(ge) 信號，可控矽就是導通的了，不管是在交流電正負部分。

　　雙向可控矽特點及應用

　　雙向可控矽可被認為(wei) 是一對反並聯連接的普通可控矽的集成，工作原理與(yu) 普通單向可控矽相同。雙向可控矽有兩(liang) 個(ge) 主電極T1和T2，一個(ge) 門極G，門極使器件在主電極的正反兩(liang) 個(ge) 方向均可觸發導通，所以雙向可控矽在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控矽門極加正、負觸發脈衝(chong) 都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控矽應用為(wei) 正常使用雙向可控矽，需定量掌握其主要參數，對雙向可控矽進行適當選用並采取相應措施以達到各參數的要求。

　　·耐壓級別的選擇：通常把VDRM（斷態重複峰值電壓）和VRRM（反向重複峰值電壓）中較小的值標作該器件的額定電壓。選用時，額定電壓應為(wei) 正常工作峰值電壓的2~3倍，作為(wei) 允許的操作過電壓裕量。

　　·電流的確定：由於(yu) 雙向可控矽通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由於(yu) 可控矽的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控矽的電流值為(wei) 實際工作電流值的2~3倍。同時，可控矽承受斷態重複峰值電壓VDRM和反向重複峰值電壓VRRM時的峰值電流應小於(yu) 器件規定的IDRM和IRRM。

　　·通態（峰值）電壓VTM的選擇：它是可控矽通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為(wei) 減少可控矽的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控矽。

　　·維持電流：IH是維持可控矽保持通態所必需的最小主電流，它與(yu) 結溫有關(guan) ，結溫越高，則IH越小。

　　·電壓上升率的抵製：dv/dt指的是在關(guan) 斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個(ge) 關(guan) 鍵參數。此值超限將可能導致可控矽出現誤導通的現象。由於(yu) 可控矽的製造工藝決(jue) 定了A2與(yu) G之間會(hui) 存在寄生電容。

　　雙向可控矽好壞判斷

　　方法一：

　　測量極間電阻法。將萬(wan) 用表置於(yu) 皮Rx1k檔，如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wan) 用表置於(yu) Rx10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆時，就說明雙向可控矽是好的，可以使用;反之，若測得T2-T1，、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等於(yu) 零，而T1-G之間的正反向電阻很小或接近於(yu) 零時，就說明雙向可控矽的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;如果測得T1-G之間的正反向電阻很大（接近∞）時，說明控製極G與(yu) 主電極T1之間內(nei) 部接觸不良或開路損壞，也不能使用。

　　方法二：

　　檢查觸發導通能力。萬(wan) 用表置於(yu) Rx10檔：①如圖，1（a）所示， 用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與(yu) T1（或T2）短接一下後離開，如果表頭指針發生了較大偏轉並停留在一固定位置，說明雙向可控矽中的一部分（其中一個(ge) 單向可控矽）是好的，如圖1（b）所示， 改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與(yu) T1（或T2）短接一下後離開，如果結果同上，也證明雙向可控矽中的另一部分（其中的一個(ge) 單向可控矽是好的。測試到止說明雙向可控矽整個(ge) 都是好的，即在兩(liang) 個(ge) 方向（在不同極性的觸發電壓證）均能觸發導通。

　　方法三：

　　檢查觸發導通能力。如圖2所示，取一隻10uF左右的電解電容器，將萬(wan) 用表置於(yu) Rx10k檔（V電壓），對電解電容器充電3~5s後用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為(wei) 觸發信號，然後再將萬(wan) 用表置於(yu) Rx10檔，照圖2（b）連接好後進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下後離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與(yu) “方法二’相同，就證明雙向可控矽是好的。

　　應用此法判斷雙向可控矽的觸發導通能力更為(wei) 可靠。由於(yu) 電解電容器上充的電壓較高，使觸發信號增大，更利於(yu) 判斷大功率雙向可控矽的觸發能力。