兩(liang) 種二極管都是單向導電，可 用於(yu) 整流場合。區別是普通矽二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢複速度低，隻能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(hui) 因為(wei) 無法快速恢複而發生反向漏電，最 後導致管子嚴(yan) 重發熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢複速度快，可以用在高頻場合，故開關(guan) 電源采用此種二極管作為(wei) 整流輸出用，盡管如此，開關(guan) 電源上的整流管溫度還是很高的。

快恢複二極管是指反向恢複時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結 型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高於(yu) 普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從(cong) 性能上可分為(wei) 快恢複和超快恢複兩(liang) 個(ge) 等級。

前者 反向恢複時間為(wei) 數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導體(ti) 接觸形成的勢壘為(wei) 基礎的二極管，簡稱肖特基二極管（Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢複時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於(yu) 150V，多用於(yu) 低電 壓場合。 這兩(liang) 種管子通常用於(yu) 開關(guan) 電源。

肖特基二極管和快恢複二極管區別：

肖特基二極管與(yu) 普通二極管都是單向導電，可用於(yu) 整流電路中。

肖特基二極管與(yu) 普通二極管的區別主要是普通二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢複速度低，隻能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(hui) 因為(wei) 無法快速恢複而發生反向漏電，最後導致管子嚴(yan) 重發熱燒毀；

肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢複速度快，可以用在高頻場合，故開關(guan) 電源采用此種二極管作為(wei) 整流輸出用，盡管如此，開關(guan) 電源上的整流管溫度還是很高的。

前者的恢複時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢複時間大約為(wei) 幾納秒~！ 前者的優(you) 點還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當然都是二極管阿~！快恢複二極管在製造工藝上采用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關(guan) 速度，同 時也能得到較高的耐壓。目前快恢複二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。

普通二極管伏安特性和肖特基二極管電壓電流特性

普通二極管的伏安特性如下圖：

1、普通二極管在電流流過時，會(hui) 產(chan) 生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降隻有0.15-0.45伏特，因此可以提升係統的效率。

2、肖特基二極管是利用金屬-半導體(ti) 接麵作為(wei) 肖特基勢壘，以產(chan) 生整流的效果，和普通二極管中由半導體(ti) -半導體(ti) 接麵產(chan) 生的P-N接麵不同。

3、肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。

4、二極管由流過正向電流的導通狀態，切換到不導通狀態所需的時間。普通二極管的反向恢複時間大約是數百nS，若是高速二極管則會(hui) 低於(yu) 一百nS，肖特基二極管沒有反向恢複時間，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為(wei) 數十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數十pS。由於(yu) 普通二極管在反向恢複時間內(nei) 會(hui) 因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢複時間及反相電流的問題。

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xie) 成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體(ti) 與(yu) N型半導體(ti) 接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與(yu) 半導體(ti) 接觸形成的金屬－半導體(ti) 結原理製作的。因此，SBD也稱為(wei) 金屬－半導體(ti) （接觸）二極管或表麵勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

下麵為(wei) 肖特基二極管：