NMOS英文全稱為(wei) N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為(wei) N型金屬-氧化物-半導體(ti) ，而擁有這種結構的晶體(ti) 管我們(men) 稱之為(wei) NMOS晶體(ti) 管。 MOS晶體(ti) 管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為(wei) MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩(liang) 種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

　　PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。

　　P溝道MOS晶體(ti) 管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體(ti) 管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體(ti) 管的跨導小於(yu) N溝道MOS晶體(ti) 管。此外，P溝道MOS晶體(ti) 管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與(yu) 雙極型晶體(ti) 管——晶體(ti) 管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見N溝道金屬—氧化物—半導體(ti) 集成電路）出現之後，多數已為(wei) NMOS電路所取代。隻是，因PMOS電路工藝簡單，價(jia) 格便宜，有些中規模和小規模數字控製電路仍采用PMOS電路技術。

　　在實際項目中，我們(men) 基本都用增強型

　　mos管，分為(wei) N溝道和P溝道兩(liang) 種。我們(men) 常用的是NMOS，因為(wei) 其導通電阻小，且容易製造。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(ge) 寄生二極管。這個(ge) 叫體(ti) 二極管，在驅動感性負載（如馬達），這個(ge) 二極管很重要。順便說一句，體(ti) 二極管隻在單個(ge) 的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nei) 部通常是沒有的。

　　1、導通特性

　　NMOS的特性，Vgs大於(yu) 一定的值就會(hui) 導通，適合用於(yu) 源極接地時的情況（低端驅動），隻要柵極電壓達到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小於(yu) 一定的值就會(hui) 導通，適合用於(yu) 源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於(yu) 導通電阻大，價(jia) 格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

　　2.MOS開關(guan) 管損失

　　不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會(hui) 在這個(ge) 電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會(hui) 減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩(liang) 端的電壓有一個(ge) 下降的過程，流過的電流有一個(ge) 上升的過程，在這段時間內(nei) ，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guan) 損失。通常開關(guan) 損失比導通損失大得多，而且開關(guan) 頻率越高，損失也越大。 導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關(guan) 時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關(guan) 頻率，可以減小單位時間內(nei) 的開關(guan) 次數。這兩(liang) 種辦法都可以減小開關(guan) 損失。

　　3.MOS管驅動

　　跟雙極性晶體(ti) 管相比，一般認為(wei) 使MOS管導通不需要電流，隻要GS電壓高於(yu) 一定的值，就可以了。這個(ge) 很容易做到，但是，我們(men) 還需要速度。 在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(ge) 電流，因為(wei) 對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(hui) 比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

　　第二注意的是，普遍用於(yu) 高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於(yu) 源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與(yu) 漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(ge) 係統裏，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuan) 門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。