IGBT模塊五種不同的內(nei) 部結構和電路圖

IGBT模塊的內(nei) 部電路與(yu) IGBT單管及分立元件構成的電路形式略有不同。
1.單管模塊，1 in 1模塊
      單管模塊的內(nei) 部由若幹個(ge) IGBT並聯，以達到所需要的電流規格，可以視為(wei) 大電流規格的IGBT單管。受機械強度和熱阻的限製，IGBT的管芯麵積不能做得太大，大電流規格的IGBT需要將多個(ge) 管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標簽上的等效電路如圖1所示，副發射極（第二發射極）連接到柵極驅動電路，主發射極連接到主電路中。

 

      多個(ge) 管芯並聯時，柵極已經加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同製造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個(ge) 模塊內(nei) 部的柵極電阻，其阻值是相同的。

 

       IGBT單管模塊通常稱為(wei) 1 in 1模塊，前麵的“1”表示內(nei) 部包含一個(ge) IGBT管芯，後麵的“1”表示同一個(ge) 模塊塑殼之中。
2.半橋模塊，2 in 1模塊
       半橋（Half bridge）模塊也稱為(wei) 2 in 1模塊，可直接構成半橋電路，也可以用2個(ge) 半橋模塊構成全橋，3個(ge) 半橋模塊也構成三相橋。因此，半橋模塊有時候也稱為(wei) 橋臂（Phase-Leg）模塊。
       圖3是半橋模塊的內(nei) 部等效。不同的製造商的接線端子名稱也有所不同，如C2E1可能會(hui) 標識為(wei) E1C2，有的模塊隻在等效電路圖上標識引腳編號等。

 

        半橋模塊的電流/電壓規格指的均是其中的每一個(ge) 模塊單元。如1200V/400A的半橋模塊，表示其中的2個(ge) IGBT管芯的電流/電壓規格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受最高2400V的瞬間直流電壓。
        不僅(jin) 半橋模塊，所有模塊均是如此標注的。
3.全橋模塊，4 in 1模塊
        全橋模塊的內(nei) 部等效電路如圖4所示。

       全橋（Full bridge)模塊也稱為(wei) 4 in 1模塊，用於(yu) 直接構成全橋電路；也可以用模塊中的2個(ge) 半橋電路並聯構成電流規格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。
4.三相橋模塊，6 in 1模塊
       三相橋（3-Phase bridge模塊的內(nei) 部等效電流如圖5所示。

 

       三相橋模塊也稱為(wei) 6 in 1模塊，用於(yu) 直接構成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(ge) 半橋電路並聯構成電流規格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應用對IGBT的要求有所不同，故製造商習(xi) 慣上會(hui) 推出以實際應用為(wei) 產(chan) 品名稱的三相橋模塊，如3-Phase inverter module（三相逆變器模塊）等。
5.PIM模塊，CBI模塊，7 in 1模塊
       歐美廠商一般將包含圖6所示的7 in 1模塊稱為(wei) CBI模塊（Converter-Brake-Inverter Module，整流-刹車-逆變）模塊，日係廠商則習(xi) 慣稱其為(wei) PIM模塊。

  

       製造商一般都會(hui) 分別給出模塊中個(ge) 功能單元的參數，表1 是IXYS的MUBW 15-12 T7模塊的主要技術規格。

      其中，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術規格，具體(ti) 含義(yi) 參見第3章相關(guan) 內(nei) 容；三相整流橋的參數含義(yi) 如下。
     ·VRRM：最大反向峰值電壓，峰值，其中一個(ge) 二極管的電壓規格最大值。
     ·IFAVM：最大正向平均電流，最大整流電流，與(yu) 結溫或環境溫度有關(guan) 。
     ·IFSM：最大正向浪湧電流，最大正向峰值電流，與(yu) 結溫或環境溫度有關(guan) 。  
    NTC的技術參數含義(yi) 如下。
     · R25：額定零功率電阻值，NTC的冷態電阻值，電阻本體(ti) 溫度為(wei) 25℃時的電阻值，典型值。R25就是NTC熱敏電阻的標稱電阻值。通常所說“NTC多少阻值”指的就是R25。
     · B25/50：熱敏常數，NTC 電阻材料的電阻—溫度特性，25/50 表示電阻本體(ti) 的溫度分別為(wei) 25℃和50℃。根據 R25和B25/50；。可以計算出R50，計算公式如下：