基礎知識中 MOS 部分遲遲未整理，實際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

                                                   

前言

雖然我把MOS管歸結為(wei) 基礎知識一大類，但是遲遲沒有更新，正好最近博客專(zhuan) 欄《電路小課堂》分享總結的一些電路還比較受歡迎，而其中 MOS 管都是關(guan) 鍵元器件，那麽(me) 正好借此機會(hui) 來好好的理一理 MOS管。

既然要說，那就給他整到位了，從(cong) 原理到應用一網打盡。

開局一張圖（內(nei) 容用心寫(xie) ！）：

 

一、場效應管和MOS管

什麽(me) 是MOS管？

這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下：

MOS，是MOSFET的縮寫(xie) 。MOSFET 金屬-氧化物半導體(ti) 場效應晶體(ti) 管，簡稱金氧半場效晶體(ti) 管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(ti) (semiconductor)場效應晶體(ti) 管，或者稱是金屬—絕緣體(ti) (insulator)—半導體(ti) 。

記住 MOS管有 三個(ge) 引腳名稱：G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。

我們(men) 經常提到場效應管，MOS管是什麽(me) 關(guan) 係呢？

MOS管屬於(yu) 場效應管。

什麽(me) 是場效應管？

場效應晶體(ti) 管（Field Effect Transistor縮寫(xie) (FET)）簡稱場效應管。它是利用控製輸入回路的電場效應來控製輸出回路電流的一種半導體(ti) 器件。由於(yu) 它僅(jin) 靠半導體(ti) 中的多數載流子導電，又稱單極型晶體(ti) 管。

場效應管屬於(yu) 電壓控製型半導體(ti) 器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於(yu) 集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(you) 點。

場效應管主要有兩(liang) 種類型：

1、結型場效應管（junction FET—JFET)（不是本文討論範圍）。

2、金屬 - 氧化物半導體(ti) 場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）（本文的主角）。

二、MOS管分類

按溝道分類，場效應管分為(wei) PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。

按材料分類，可以分為(wei) 分為(wei) 耗盡型和增強型：

增強型管：柵極-源極電壓 Vgs 為(wei) 零時漏極電流也為(wei) 零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為(wei) 零時漏極電流不為(wei) 零。

其實歸納一下，就 4種類型的MOS管：

增強型 PMOS，增強型 NMOS，耗盡型 PMOS，耗盡型 NMOS。

在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為(wei) 主。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩(liang) 種。 結合下圖與(yu) 上麵的內(nei) 容也能解釋為(wei) 什麽(me) 實際應用以增強型為(wei) 主，主要還是電壓為(wei) 0的時候，D極和S極能否導通的問題

下圖列出了四種MOS管的比較：

 

三、MOS管原理

本文MOS管的原理說明以 增強型NMOS 為(wei) 例。

了解MOS管的工作原理，能夠讓我們(men) 能更好的運用MOS管，而不是死記怎麽(me) 用。

為(wei) 了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎的 N 型半導體(ti) 和 P 型半導體(ti) 。

N 型半導體(ti)

N 型半導體(ti) 也稱為(wei) 電子型半導體(ti) 。N型半導體(ti) 即自由電子濃度遠大於(yu) 空穴濃度的雜質半導體(ti) 。

 

P型半導體(ti)

P型半導體(ti) 又稱空穴型半導體(ti) ，是以帶正電的空穴導電為(wei) 主的半導體(ti) 。在P型半導體(ti) 中，空穴為(wei) 多子，自由電子為(wei) 少子，主要靠空穴導電。 摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。

3.1 MOS管的製造

MOS管是怎麽(me) 製造的

以P型半導體(ti) 為(wei) 襯底，在一個(ge) 低摻雜容度 的 P 型半導體(ti) 上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體(ti) ，引出去分別作為(wei) 源級（S） 和 漏極（D）。 P型襯底在 MOS管內(nei) 部是和 源級（S）相連。 在P型襯底和兩(liang) 個(ge) N型半導體(ti) 之間加一層 二氧化矽（SiO₂）絕緣膜，然後通過多晶矽引出引腳組成柵極（G）。

組成結構如下圖（增強型N溝道為(wei) 例）：

 

3.2 MOS管命名由來

我們(men) 前麵說過MOS管全名為(wei) ：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體(ti) (Semiconductor)場效應晶體(ti) 管，為(wei) 什麽(me) 會(hui) 叫這個(ge) 名字，我們(men) 通過上麵的組成結構用圖來說明：

 

3.3 MOS管圖標由來

在前言部分我們(men) 就給出了MOS管的電路圖標，那麽(me) 我們(men) 還是通過MOS管 組成結構來說明：

 

3.4 MOS管原理簡析

MOS管結構原理圖解：

 

Vgs電壓的強弱決(jue) 定了反型層的厚薄！

而反型層的厚薄決(jue) 定了MOS管內(nei) 阻的大小！

內(nei) 阻的大小決(jue) 定了D和S之間經過電流的大小！

3.5 MOS管輸出特性曲線

對於(yu) N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會(hui) 開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會(hui) 有電流Id產(chan) 生。 在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與(yu) G極電壓Vgs有關(guan) 的。 我們(men) 先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為(wei) 三個(ge) 區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。

 

VGS < VGS(th)時，MOS管處於(yu) 夾斷區(截止區)：

夾斷區在輸出特性最下麵靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。電流ID為(wei) 0，管子不工作。

VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區：

恒流區在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決(jue) 定於(yu) 電壓VGS，所以叫做恒流區，也叫飽和區，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區（飽和區）。 注：MOS管輸出特性的恒流區（飽和區），相當於(yu) 三極管的放大區。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區：

可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩(liang) 者基本上是線性關(guan) 係，所以可以看作是一個(ge) 線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會(hui) 不同，所以在該區MOS管相當就是一個(ge) 由VGS控製的可變電阻。

擊穿區:

隨著VDS增大，PN結承受太大的反向電壓而被擊穿。

3.6 MOS管轉移特性曲線

根據MOS管的輸出特性曲線，可取得到相應的轉移特性曲線。

 

反應了 MOS管的特性，通過 Vgs的電壓來控製 ID(導通電流)， 壓控流型器件！

為什麽介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？

說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。

這個(ge) 簡單點，包括生產(chan) 難度，實現成本，實現方式等等。對於(yu) 人類發展而言，肯定是從(cong) 某個(ge) 事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從(cong) 某個(ge) 簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個(ge) 事物，然後再步步深入。

究其根本原因，簡單概括如下：

我們(men) 通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與(yu) 電壓相等的條件下，PMOS的跨導小於(yu) NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。

PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關(guan) 速度更低。

PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。

所以導致現在的格局：NMOS價(jia) 格便宜，廠商多，型號多。PMOS價(jia) 格貴，廠商少，型號少。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）

四、MOS管特點

1、輸入阻抗非常高，因為(wei) MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億(yi) 歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關(guan) 。

2、導通電阻低，可以做到幾個(ge) 毫歐的電阻，極低的傳(chuan) 導損耗，。

3、開關(guan) 速度快，開關(guan) 損耗低，特別適應PWM輸出模式。

4、在電路設計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管隻能在正向偏置下工作，電子管隻能在負偏壓下工作；

4、低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，製造成本低廉與(yu) 使用麵積較小、高整合度。

5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。

所以現在芯片內(nei) 部集成的幾乎都是MOS管。

6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。

前麵的幾點也可以說是MOS管的優(you) 點。最後一點容易擊穿也是相對來說的，現在的mos管沒有那麽(me) 容易被擊穿，不少都有二極管保護，在大多數CMOS器件內(nei) 部已經增加了IO口保護。

用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習(xi) 慣。

曾經使用使用過一個(ge) 運放：TI 的 TLV70433，CMOS器件，因為(wei) 焊接沒注意防護靜電，那結局真的是一言難盡。

五、MOS管參數

MOS管的參數在每一個(ge) MOS管的手冊(ce) 上麵都有說明，比如：

 

這裏推薦一篇博文，文內(nei) 對每個(ge) 參數有詳細的解釋：

MOS管參數詳解

對於(yu) 實際項目應用，主要關(guan) 注下麵幾個(ge) 參數，其他參數可以自己根據需求你查看手冊(ce) 。

1、VGS(th)(開啟電壓)

當外加柵極控製電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表麵反型層形成了連接的溝道。

應用中，常將漏極短接條件下 ID 等於(yu) 1 毫安時的柵極電壓稱為(wei) 開啟電壓。此參數一般會(hui) 隨結溫度的上升而有所降低。

MOS管的導通條件

MOS管的開關(guan) 條件：

N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通；

P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。

MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|

2、VGS(最大柵源電壓)

柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個(ge) 最大電壓。

3、RDS(on)(漏源電阻)

導通時漏源間的最大阻抗，它決(jue) 定了MOSFET導通時的消耗功率。這個(ge) 值要盡可能的小，因為(wei) 一旦阻值偏大，就會(hui) 使得功耗變大。

MOS管 導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會(hui) 在這個(ge) 電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會(hui) 減小導通損耗。

現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

4、ID(導通電流)

最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。 場效應管的工作電流不應超過 ID 。

一般實際應用作為(wei) 開關(guan) 用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會(hui) 超過 ID。

5、VDSS(漏源擊穿電壓)

漏源擊穿電壓是指柵源電壓VGS 為(wei) 0 時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。

擊穿後會(hui) 使得 ID 劇增。

這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小於(yu) V（BR）DSS 。

6、gfs(跨導)

是指漏極輸出電流的變化量與(yu) 柵源電壓變化量之比，

是表征MOS管放大能力的一個(ge) 重要參數,是柵源電壓對漏極電流控製能力大小的量度。

過小會(hui) 導致 MOS 管關(guan) 斷速度降低，過大會(hui) 導致關(guan) 斷速度過快， EMI特性差。

7、充電參數

柵極充電信息：

 

因為(wei) MOS管的都有寄生電容，其被大多數製造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容。

輸入電容值隻給出一個(ge) 大概的驅動電路所需的充電說明，而柵極充電信息更為(wei) 有用，它表明為(wei) 達到一個(ge) 特定的柵源電壓柵極所必須充的電量。

MOS管的寄生電容

寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。

實際上，一個(ge) 電阻等效於(yu) 一個(ge) 電容，一個(ge) 電感，一個(ge) 電阻的串聯，低頻情況下表現不明顯，而高頻情況下，等效值會(hui) 增大。

MOS管用於(yu) 控製大電流通斷，經常被要求數十K乃至數M的開關(guan) 頻率，在這種用途中，柵極信號具有交流特征，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。消耗的電能、產(chan) 生的熱量不可忽視。

加在 G 極的弱驅動信號瞬間變為(wei) 高電平，但是為(wei) 了“灌滿”寄生電容需要時間，就會(hui) 產(chan) 生上升沿變緩，影響開關(guan) 頻率。

在MOS管的規格書(shu) 中，有這麽(me) 幾個(ge) 電容參數：

 

對於(yu) 這幾個(ge) 電容參數，看下圖所示：

 

一般從(cong) 單片機普通應用來說，我們(men) 對這個(ge) 開關(guan) 要求沒那麽(me) 高，如果不是特殊應用場合可以不用深究。

但是不能忽略寄生電容，所以在我們(men) 的MOS使用時候，就會(hui) 在GS級加上一個(ge) 電阻，用來釋放寄生電容的電流。

米勒電容

這三個(ge) 等效電容是構成串並聯組合關(guan) 係，它們(men) 並不是獨立的，而是相互影響，其中一個(ge) 關(guan) 鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(ge) 電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時會(hui) 影響柵極和源極電容的充電。

額外說明一下，三極管也有米勒電容和米勒效應，但是相對來說MOS管的米勒電容會(hui) 比三極管的大很多（具體(ti) 原因由於(yu) 工藝問題和MOS管特性問題，阻抗大 —> 電流小 —> 充電時間長 —> 等效電容大）。

米勒效應會(hui) 嚴(yan) 重增加MOS的開通損耗，因為(wei) 它延長了MOS的開通時間，同時會(hui) 降低MOS的開關(guan) 速度。但因為(wei) MOS管的製造工藝，一定會(hui) 產(chan) 生Cgd，也就是米勒電容一定會(hui) 存在，所以米勒效應不能避免，隻有采用適當的方法減緩。

一般有四種方法：

①選擇合適的門極驅動電阻RG

②在 G 和 S 之間增加電容

③采用負壓驅動

④門極有源鉗位

如果想具體(ti) 了解的朋友，詳細說明請參考這篇博文：米勒電容和米勒效應

為什麽常在MOS管GS並聯電阻？

借用我實際使用的一個(ge) 電路：

 

其中 R1，就是我們(men) 現在說的GS間的並聯電阻，上文說到過，電阻的作用是用來釋放寄生電容的電流。

那麽(me) 原因我們(men) 來分析一下，還是要借用一下上麵的圖：

 

總結一下：

1、起到防ESD靜電的作用，避免處在一個(ge) 高阻態。這個(ge) 電阻可以把它當作是一個(ge) 泄放電阻，避免MOS管誤動作，從(cong) 而 損壞MOS管的柵GS極；

2、提供固定偏置，在前級電路開路時，這個(ge) 的電阻可以保證MOS有效的關(guan) 斷（理由：G極開路，當電壓加在DS端時候，會(hui) 對Cgd充電，導致G極電壓升高，不能有效關(guan) 斷）

GS端電阻阻值選擇：

建議是一般取5K至數10K左右，太大影響 MOS 管的關(guan) 斷速度。 太小驅動電流會(hui) 增大，驅動功率增大。但是在有些地方大一點也無所謂，比如電源防反接等不需要頻繁開關(guan) 的場合（上麵示例圖）。

為什麽要在MOS管G級串聯電阻？

還是在上麵的示例圖，R2，就是G級的串聯電阻。這個(ge) 電阻有什麽(me) 作用呢？

串聯電阻還是因為(wei) 寄生電容！在G級 串聯一個(ge) 電阻，與(yu) Ciss（Ciss = Cgd+Cgs）形成一個(ge) RC充放電電路，可以減小瞬間電流值， 不至於(yu) 損毀MOS管的驅動芯片。

網上還有一種說法是：抑製振蕩

MOS管接入電路，也會(hui) 有引線產(chan) 生的寄生電感的存在，與(yu) 寄生電容一起，形成LC振蕩電路。對於(yu) 開關(guan) 方波波形，是有很多頻率成分存在的，那麽(me) 很可能與(yu) 諧振頻率相同或者相近，形成串聯諧振電路。

串聯一個(ge) 電阻，可以減小振蕩電路的Q值，是振蕩快速衰減，不至於(yu) 引起電路故障。

G級電阻阻值選擇：

一般不建議太大，網上建議百歐以內(nei) ，會(hui) 減緩MOS管的開啟與(yu) 通斷時間，增加損耗，但是在有些地方大一點也無所謂，比如電源防反接等不需要頻繁開關(guan) 的場合（上麵示例圖）。

最後說明一下上麵這兩(liang) 個(ge) 問題，具體(ti) 情況要具體(ti) 分析，電阻的選擇不是絕對的，比如上麵示例我實際使用的電路，我 GS 的並聯電阻使用了1M，G級串聯的電阻使用了10K，對於(yu) 我的防反接電路來說，也是正常的，大一點還能降低點電量工作時候的功耗。

雖然不能給出絕對的參考，但是我們(men) 分析了電阻大小對電路的影響，所以根據自己使用的場合才能最終確定自己合適的阻值。

六、MOS管的封裝

不同的封裝形式，MOS管對應的極限電流、電壓和散熱效果都會(hui) 不一樣，這裏根據博主使用過的和一些常見的做一些介紹。

1、SOT-23

一般單片機方案中最常用的封裝，適於(yu) 幾A電流、60V及以下電壓環境中采用。

比如：AO3401 ，BSS84

 

2、SOT-223

也是單片機方案中最常用的封裝，一般也是幾A電流、60V及以下電壓環境。

比如：IRFL9014TRPBF， ZXMP6A17GTA

 

3、TO-252

是目前主流封裝之一，電流可以到70A，電壓100V以內(nei) （電壓與(yu) 電流成反比，電流越大，電壓越小）。

比如：SM4286T9RL

 

4、TO-220/220F

這兩(liang) 種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用，不過TO-220背部有散熱片，其散熱效果比TO-220F要好些，價(jia) 格相對也要貴些。這兩(liang) 個(ge) 封裝產(chan) 品適於(yu) 中壓大電流120A以下、高壓大電流20A以下的場合應用。　

比如： IRF4905PBF，NCE6050A

 

另外還有一些其他的封裝：TO-263，TO-3P/247，TO-251，TO-92，SOP-8，就不一一介紹了。

主要在單片機係統領域，其他的封裝用得不太多，博主確實也沒用過。

七、MOS管判別

以下圖封裝的MOS管為(wei) 例說明，除了SOT-23 封裝，隻要是這種類型3腳的封裝，

那麽(me) 他的G、D、S一定是按照下圖所示的方向定義(yi) 的（有錯誤請指出）：

 

重要：如果用測量之前將MOS的3個(ge) 極短接，泄放MOS管內(nei) 部電荷，確保MOS截止！！！

判別是NMOS 還是 PMOS 以及MOS管好壞。

將萬(wan) 用表調至二極管檔，將紅表筆接在MOS的S極，黑表筆接在D極， 如果這時候萬(wan) 用表顯示0.4V~0.9V（二極管特性，不同MOS管有一定差異）電壓值，說明這很可能是一個(ge) NMOS；如果沒有讀數，說明這很可能是一個(ge) PMOS，

為(wei) 什麽(me) 說很可能是，因為(wei) 得考慮到一種情況，MOS管D和S已經擊穿損壞或者是寄生二極管開路損壞。

所以隻需要將上麵的紅黑表筆返回來再測試一遍，如果情況相反，那麽(me) 就能夠判斷是 NMOS 還是PMOS。

如果上麵操作萬(wan) 用表都顯示一定的電壓值，代表MOS管D和S已經擊穿損壞。

如果上麵操作萬(wan) 用表都顯示1，代表MOS管寄生二極管開路損壞。

將萬(wan) 用表調至蜂鳴器檔或者電阻檔，將紅表筆接在MOS的G極，黑表筆接在S極，蜂鳴器不會(hui) 響，GS阻抗比較大，代表GS沒有擊穿損壞。

另外說明：網上確實有文章使用萬(wan) 用表判斷一個(ge) MOS管的G，S，D級，可這裏我在實際工作中，確實真沒有用到過，但並不表示我認為(wei) 沒有用。如果今後真實遇到，我會(hui) 來更新此部分。

八、MOS管應用

前麵也提到過，現在芯片內(nei) 部集成的幾乎都是MOS管。可見MOS管現在在電子產(chan) 品的地位，

MOS管產(chan) 品可廣泛的應用於(yu) 電源，通訊，汽車電子，節能燈，家電等產(chan) 品。

具體(ti) 比如：開關(guan) 電源應用，恒流源，MOS管可應用於(yu) 放大，阻抗變換，可變電阻等。

MOS管的應用 是基於(yu) MOS管的特點優(you) 勢來決(jue) 定的。

我這裏大話不說，針對自己的行業(ye) 單領域，總結了幾個(ge) 比較實際的應用場合：

1、作開關(guan) 管用

可參考博主電路小課堂的幾篇博文：

分享一款實用的太陽能充電電路（室內(nei) 光照可用）

聊聊電源自動切換電路（常用自動切換電路總結）

2、防反接用

相對於(yu) 二極管來說，MOS管還是有很大的優(you) 勢，我下一篇電路小課堂會(hui) 更新防反接電路。

 

電路小課堂已經更新：

結合實際聊聊防反接電路（防反接電路總結）

3、作電平轉換用

電路小課堂會(hui) 更新電平轉換電路。

 

結合實際聊聊電平轉換電路（常用電平轉換電路總結）

4、彌勒平台用於(yu) 緩啟電路

請稍等……

當然正如本節開頭所說，MOS管的應用非常的廣，這裏的列舉(ju) 隻是針對單片機係統領域的小型電子產(chan) 品應用而言。 如果以後有機會(hui) 接觸到其他應用，博主回來更新說明！！！

最後，需要特別推薦一下 郭天祥老師的MOS管係列視頻，可以搜索 郭天祥-MOS管在網上找到。