(1)IGBT的基本結構絕緣柵雙極型晶體(ti) 管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是功率場效應管與(yu) 雙極型(PNP或NPN）管複合後的一種新型複合型器件。

其圖形符號如圖11-1所示。IGBT基本結構如圖11-1 ( a）所示，是由柵極G、發射極C、集電極E組成的三端口電壓控製器件，常用N溝道IGBT內(nei) 部結構簡化等器件，常用N溝道IGBT內(nei) 部結構簡化等效電路如圖11-1 (b）所示。IGBT的封裝與(yu) 普通雙極型大功率三極管相同，有多種封裝形式，如圖11-2所示。

(2)IGBT的主要參數

①最大集電極電流Icm:表征IGBT的電流容量，分為(wei) 直流條件下的I和1ms脈衝(chong) 條件下的Icp

②集電極-發射極最高電壓UCES:表征IGBT集電極-發射極的耐壓能力。目前IGBT耐壓等級有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。

③柵極-發射極擊穿電壓UGEM:表征IGBT柵極-發射極之間能承受的最高電壓，其值一般為(wei) ±20V。

④柵極-發射極開啟電壓Uge( th):指IGBT器件在一定的集電極-發射放電壓 Uce下，流過一定的集電極電流Ic時的最小開柵電壓。當柵源電壓等於(yu) 開啟電壓Uge( th ).時，IGBT開始導通。

⑤輸入電容Cies:指IGBT在一定的集電極-發射極電壓Uce和柵極-發射極電壓Uge=0下，柵極-發射極之間的電容，表征柵極驅動瞬態電流特征。

⑥集電極最大功耗Pcm:表征IGBT最大允許功能。