可控矽檢測方法與(yu) 經驗

 可控矽（SCR）國際通用名稱為(wei) Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體(ti) 積小等優(you) 點，它是大功率開關(guan) 型半導體(ti) 器件，廣泛應用在電力、電子線路中。

1. 可控矽的特性。

 可控矽分單向可控矽、雙向可控矽。單向可控矽有陽極A、陰極K、控製極G三個(ge) 引出腳。雙向可控矽有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控製極G三個(ge) 引出腳。
隻有當單向可控矽陽極A與(yu) 陰極K之間加有正向電壓，同時控製極G與(yu) 陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與(yu) 陰極K間壓降約1V。單向可控矽導通後，控製器G即使失去觸發電壓，隻要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控矽繼續處於(yu) 低阻導通狀態。隻有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控矽才由低阻導通狀態轉換為(wei) 高阻截止狀態。單向可控矽一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控製極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控矽的導通與(yu) 截止狀態相當於(yu) 開關(guan) 的閉合與(yu) 斷開狀態，用它可製成無觸點開關(guan) 。

雙向可控矽第一陽極A1與(yu) 第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，隻要控製極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為(wei) 1V。雙向可控矽一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。隻有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於(yu) 維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控矽才截斷，此時隻有重新加觸發電壓方可導通。2. 單向可控矽的檢測。

萬(wan) 用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩(liang) 表筆分別測任意兩(liang) 引腳間正反向電阻直至找出讀數為(wei) 數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為(wei) 控製極G，紅表筆的引腳為(wei) 陰極K，另一空腳為(wei) 陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬(wan) 用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控製極G，此時萬(wan) 用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為(wei) 10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬(wan) 用表指針發生偏轉，說明該單向可控矽已擊穿損壞。

3. 雙向可控矽的檢測。

用萬(wan) 用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩(liang) 表筆分別測任意兩(liang) 引腳間正反向電阻，結果其中兩(liang) 組讀數為(wei) 無窮大。若一組為(wei) 數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩(liang) 引腳為(wei) 第一陽極A1和控製極G，另一空腳即為(wei) 第二陽極A2。確定A1、G極後，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為(wei) 第一陽極A1，紅表筆所接引腳為(wei) 控製極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬(wan) 用表指針不應發生偏轉，阻值為(wei) 無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨後斷開A2、G間短接線，萬(wan) 用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬(wan) 用表指針應不發生偏轉，阻值為(wei) 無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨後斷開A2、G極間短接線，萬(wan) 用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控矽未損壞且三個(ge) 引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控矽時，需要在萬(wan) 用表黑筆中串接一節1.5V幹電池，以提高觸發電壓。

晶閘管(可控矽)的管腳判別
晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬(wan) 用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩(liang) 腳分別為(wei) 控製極和陰極，所剩的一腳為(wei) 陽極。再將萬(wan) 用表置於(yu) R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩(liang) 腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為(wei) 陰極，不擺動則為(wei) 控製極。

場效應管檢測
一、用指針式萬(wan) 用表對場效應管進行判別

（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極

根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個(ge) 電極。具體(ti) 方法：將萬(wan) 用表撥在R×1k檔上，任選兩(liang) 個(ge) 電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩(liang) 個(ge) 電極的正、反向電阻值相等，且為(wei) 幾千歐姆時，則該兩(liang) 個(ge) 電極分別是漏極D和源極S。因為(wei) 對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬(wan) 用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(ge) 電極，另一隻表筆依次去接觸其餘(yu) 的兩(liang) 個(ge) 電極，測其電阻值。當出現兩(liang) 次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為(wei) 柵極，其餘(yu) 兩(liang) 電極分別為(wei) 漏極和源極。若兩(liang) 次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩(liang) 次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，判定為(wei) Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為(wei) 止。

（2）用測電阻法判別場效應管的好壞

測電阻法是用萬(wan) 用表測量場效應管的源極與(yu) 漏極、柵極與(yu) 源極、柵極與(yu) 漏極、柵極Ｇ1與(yu) 柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊(ce) 標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體(ti) 方法：首先將萬(wan) 用表置於(yu) Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與(yu) 漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐範圍（在手冊(ce) 中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大於(yu) 正常值，可能是由於(yu) 內(nei) 部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nei) 部斷極。然後把萬(wan) 用表置於(yu) Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與(yu) Ｇ2之間、柵極與(yu) 源極、柵極與(yu) 漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為(wei) 無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為(wei) 通路，則說明管是壞的。要注意，若兩(liang) 個(ge) 柵極在管內(nei) 斷極，可用元件代換法進行檢測。

（3）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力

具體(ti) 方法：用萬(wan) 用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場效應管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然後用手捏住結型場效應管的柵極Ｇ，將人體(ti) 的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由於(yu) 管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。

根據上述方法，我們(men) 用萬(wan) 用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測得漏源電阻RDS為(wei) 600Ω，用手捏住Ｇ極後，表針向左擺動，指示的電阻RDS為(wei) 12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，並有較大的放大能力。

運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬(wan) 用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由於(yu) 人體(ti) 感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動；少數管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，隻要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用於(yu) 握螺絲(si) 刀的絕緣柄，用金屬杆去碰觸柵極，以防止人體(ti) 感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是因為(wei) G-S結電容上會(hui) 充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，隻有將G-S極間電荷短路放掉才行。

（4）用測電阻法判別無標誌的場效應管

首先用測量電阻的方法找出兩(liang) 個(ge) 有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，餘(yu) 下兩(liang) 個(ge) 腳為(wei) 第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩(liang) 表筆測的源極Ｓ與(yu) 漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩(liang) 次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為(wei) 漏極Ｄ；紅表筆所接的為(wei) 源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩(liang) 種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置後，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會(hui) 依次對準位置，這就確定了兩(liang) 個(ge) 柵極G1、G2的位置，從(cong) 而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。

（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小

對ＶＭＯＳ Ｎ溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當於(yu) 在源、漏極之間加了一個(ge) 反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬(wan) 用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內(nei) 電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時，會(hui) 發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

二、.場效應管的使用注意事項
（1）為(wei) 了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴(yan) 格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。

（3）MOS場效應管由於(yu) 輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內(nei) ，保存時最好放在金屬盒內(nei) ，同時也要注意管的防潮。

（4）為(wei) 了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀(yi) 器、工作台、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完後才把短接材料去掉；從(cong) 元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體(ti) 接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，並且確保安全；在未關(guan) 斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從(cong) 電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為(wei) 了防管件振動，有必要將管殼體(ti) 緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大於(yu) 根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

對於(yu) 功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為(wei) 功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體(ti) 溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。

總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專(zhuan) 業(ye) 技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。

三.VMOS場效應管
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為(wei) V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之後新發展起來的高效、功率開關(guan) 器件。它不僅(jin) 繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關(guan) 速度快等優(you) 良特性。正是由於(yu) 它將電子管與(yu) 功率晶體(ti) 管之優(you) 點集於(yu) 一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關(guan) 電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優(you) 點，尤其是其具有負的電流溫度係數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會(hui) 隨管溫升高而減小，故不存在由於(yu) “二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的並聯得到廣泛應用。

眾(zhong) 所周知，傳(chuan) 統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處於(yu) 同一水平麵的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從(cong) 圖1上可以看出其兩(liang) 大結構特點:第一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由於(yu) 漏極是從(cong) 芯片的背麵引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最後垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為(wei) 流通截麵積增大，所以能通過大電流。由於(yu) 在柵極與(yu) 芯片之間有二氧化矽絕緣層，因此它仍屬於(yu) 絕緣柵型MOS場效應管。

國內(nei) 生產(chan) VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體(ti) 器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chan) 品有VN401、VN672、VMPT2等。

下麵介紹檢測VMOS管的方法。
1．判定柵極G

將萬(wan) 用表撥至R×1k檔分別測量三個(ge) 管腳之間的電阻。若發現某腳與(yu) 其字兩(liang) 腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為(wei) 無窮大，則證明此腳為(wei) G極，因為(wei) 它和另外兩(liang) 個(ge) 管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

 

由圖1可見，在源-漏之間有一個(ge) PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與(yu) D極。用交換表筆法測兩(liang) 次電阻，其中電阻值較低（一般為(wei) 幾千歐至十幾千歐）的一次為(wei) 正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

 3．測量漏-源通態電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬(wan) 用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為(wei) 幾歐至十幾歐。

由於(yu) 測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊(ce) 中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wan) 用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大於(yu) 0.58W（典型值）。

4．檢查跨導

將萬(wan) 用表置於(yu) R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲(si) 刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與(yu) P溝道管，但絕大多數產(chan) 品屬於(yu) N溝道管。對於(yu) P溝道管，測量時應交換表筆的位置。

（2）有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專(zhuan) 供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chan) 的IRFT001型模塊，內(nei) 部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。

（4）現在市售VNF係列（N溝道）產(chan) 品，是美國Supertex公司生產(chan) 的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於(yu) 高速開關(guan) 電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為(wei) 例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30W。

（6）多管並聯後，由於(yu) 極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為(wei) 此，並聯複合管管子一般不超過4個(ge) ，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

單向可控矽、雙向可控矽檢測

可控矽分單向可控矽、雙向可控矽。 單向可控矽有陽極 A 、陰極 K 、控製極 G 三個(ge) 引出腳。雙向可控矽有第一陽極 A1 （ T1 ），第二陽極 A2 （ T2 ）、控製極 G 三個(ge) 引出腳。

隻有當單向可控矽陽極A與(yu) 陰極K之間加有正向電壓，同時控製極G與(yu) 陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與(yu) 陰極K間壓降約1V。單向可控矽導通後，控製器G即使失去觸發電壓，隻要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控矽繼續處於(yu) 低阻導通狀態。隻有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控矽才由低阻導通狀態轉換為(wei) 高阻截止狀態。單向可控矽一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控製極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控矽的導通與(yu) 截止狀態相當於(yu) 開關(guan) 的閉合與(yu) 斷開狀態，用它可製成無觸點開關(guan) 。

雙向可控矽第一陽極A1與(yu) 第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，隻要控製極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為(wei) 1V。雙向可控矽一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。隻有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於(yu) 維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控矽才截斷，此時隻有重新加觸發電壓方可導通。

 單向可控矽的檢測。 萬(wan) 用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩(liang) 表筆分別測任意兩(liang) 引腳間正反向電阻直至找出讀數為(wei) 數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為(wei) 控製極G，紅表筆的引腳為(wei) 陰極K，另一空腳為(wei) 陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬(wan) 用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控製極G，此時萬(wan) 用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為(wei) 10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬(wan) 用表指針發生偏轉，說明該單向可控矽已擊穿損壞。

雙向可控矽的檢測。 用萬(wan) 用表電阻 R*1Ω 擋，用紅、黑兩(liang) 表筆分別測任意兩(liang) 引腳間正反向電阻，結果其中兩(liang) 組讀數為(wei) 無窮大。若一組為(wei) 數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩(liang) 引腳為(wei) 第一陽極 A1 和控製極 G ，另一空腳即為(wei) 第二陽極 A2 。確定 A1 、 G 極後，再仔細測量 A1 、 G 極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為(wei) 第一陽極 A1 ，紅表筆所接引腳為(wei) 控製極 G 。將黑表筆接已確定的第二陽極 A2 ，紅表筆接第一陽極 A1 ，此時萬(wan) 用表指針不應發生偏轉，阻值為(wei) 無窮大。再用短接線將 A2 、 G 極瞬間短接，給 G 極加上正向觸發電壓， A2 、 A1 間阻值約 10 歐姆左右。隨後斷開 A2 、 G 間短接線，萬(wan) 用表讀數應保持 10 歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極 A2 ，黑表筆接第一陽極 A1 。同樣萬(wan) 用表指針應不發生偏轉，阻值為(wei) 無窮大。用短接線將 A2 、 G 極間再次瞬間短接，給 G 極加上負的觸發電壓， A1 、 A2 間的阻值也是 10 歐姆左右。隨後斷開 A2 、 G 極間短接線，萬(wan) 用表讀數應不變，保持在 10 歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控矽未損壞且三個(ge) 引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控矽時，需要在萬(wan) 用表黑筆中串接一節 1.5V 幹電池，以提高觸發電壓。 晶閘管 ( 可控矽 ) 的管腳判別 晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬(wan) 用表 R*1K 擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩(liang) 腳分別為(wei) 控製極和陰極，所剩的一腳為(wei) 陽極。再將萬(wan) 用表置於(yu) R*10K 擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩(liang) 腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為(wei) 陰極，不擺動則為(wei) 控製極。

各種晶閘管(可控矽)的檢測方法

1．單向晶閘管的檢測
(1)判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門極G與(yu) 陰極K極之間為(wei) 一個(ge) PN結，具有單向導電特性，而陽極A與(yu) 門極之間有兩(liang) 個(ge) 反極性串聯的PN結。因此，通過用萬(wan) 用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(ge) 電極。
具體(ti) 方法是：將萬(wan) 用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩(liang) 個(ge) 電極。若測量結果有一次阻值為(wei) 幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為(wei) 幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為(wei) 幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為(wei) 幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩(liang) 次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個(ge) 電極為(wei) 止。
也可以測任兩(liang) 腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩(liang) 極即為(wei) 陽極A和陰極K，而另一腳即為(wei) 門極G。
普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。
例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為(wei) 陽極A，較細的引線端為(wei) 門極G，較粗的引線端為(wei) 陰極K。
平板形普通晶閘管的引出線端為(wei) 門極G，平麵端為(wei) 陽極A，另一端為(wei) 陰極K。
金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為(wei) 陽極A。
塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為(wei) 陽極A，且多與(yu) 自帶散熱片相連。
圖1為(wei) 幾種普通晶閘管的引腳排列。

 
(2)判斷其好壞：用萬(wan) 用表R×1 kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與(yu) 陰極K之間的正、反向電阻，正常時均應為(wei) 無窮大(∞)；若測得A、K之間的正、反向電阻值為(wei) 零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nei) 部擊穿短路或漏電。
測量門極G與(yu) 陰極K之間的正、反向電阻值，正常時應有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小於(yu) 2 kΩ)，反向電阻值較大(大於(yu) 80 kΩ)。若兩(liang) 次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效，其G、K極問PN結已失去單向導電作用。
測量陽極A與(yu) 門極G之間的正、反向電阻，正常時兩(liang) 個(ge) 阻值均應為(wei) 幾百千歐姆(kΩ)或無窮大，若出現正、反向電阻值不一樣(有類似二極管的單向導電)。則是G、A極之間反向串聯的兩(liang) 個(ge) PN結中的一個(ge) 已擊穿短路。
(3)觸發能力檢測：對於(yu) 小功率(工作電流為(wei) 5 A以下)的普通晶閘管，可用萬(wan) 用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為(wei) 無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與(yu) 門極短路(見圖2)，相當於(yu) 給G極加上正向觸發電壓，此時若電阻值為(wei) 幾歐姆至幾十歐姆(具體(ti) 阻值根據晶閘管的型號不同會(hui) 有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發而導通。再斷開A極與(yu) G極的連接(A、K極上的表筆不動，隻將G

 

極的觸發電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發性能良好。

對於(yu) 工作電流在5 A以上的中、大功率普通晶閘管，因其通態壓降VT維持電流IH及門極觸發電壓Vo均相對較大，萬(wan) 用表R×1 kΩ檔所提供的電流偏低，晶閘管不能完全導通，故檢測時可在黑表筆端串接一隻200 Ω可調電阻和1～3節1．5 V幹電池(視被測晶閘管的容量而定，其工作電流大於(yu) 100 A的，應用3節1．5 V幹電池)，如圖3所示。 
 
也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發能力。電路中，vT為(wei) 被測晶閘管，HL為(wei) 6．3 V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為(wei) 6 V電源(可使用4節1．5 V幹電池或6 V穩壓電源)，S為(wei) 按鈕，R為(wei) 限流電阻。

 
當按鈕S未接通時，晶閘管VT處於(yu) 阻斷狀態，指示燈HL不亮(若此時HL
亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S後(使S接通一下，為(wei) 晶閘管VT的門極G提供觸發電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明 晶閘管的觸發能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為(wei) 1 v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發性能不良。

2．雙向晶閘管的檢測
(1)判別各電極：用萬(wan) 用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個(ge) 引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與(yu) 其他兩(liang) 腳均不通，則此腳便是主電極T2。
找出T2極之後，剩下的兩(liang) 腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩(liang) 腳之間的正、反向電阻值，會(hui) 測得兩(liang) 個(ge) 均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。
螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為(wei) 主電極T2，較細的引線端為(wei) 門極G，較粗的引線端為(wei) 主電極T1。
金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為(wei) 主電極T2。
塑封(TO—220)雙向晶閘管的中間引腳為(wei) 主電極T2，該極通常與(yu) 自帶小散熱片相連。
圖5是幾種雙向晶閘管的引腳排列。

 
 
(2)判別其好壞：用萬(wan) 用表R×1或R×10檔測量雙向晶閘管的主電極T1與(yu) 主電極T2之間、主電極T2與(yu) 門極G之間的正、反向電阻值，正常時均應接近無窮大。若測得電阻值均很小，則說明該晶閘管電極問已擊穿或漏電短路。
測量主電極T1與(yu) 門極G之問的正、反向電阻值，正常時均應在幾十歐姆(Ω)至一百歐姆(Ω)之間(黑表筆接T1極，紅表筆接G極時，測得的正向電阻值較反向電阻值略小一些)。若測得T1極與(yu) G極之間的正、反向電阻值均為(wei) 無窮大，則說明該晶閘管已開路損壞。
(3)觸發能力檢測：對於(yu) 工作電流為(wei) 8 A以下的小功率雙向晶閘管，可用萬(wan) 用表R×1檔直接測量。測量時先將黑表筆接主電極T2，紅表筆接主電極T1，然後用鑷子將T2極與(yu) 門極G短路，給G極加上正極性觸發信號，若此時測得的電阻值由無窮大變為(wei) 十幾歐姆(Ω)，則說明該晶閘管已被觸發導通，導通方向為(wei) T2→T1。
再將黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，用鑷子將T2極與(yu) 門極G之間短路，給G極加上負極性觸發信號時，測得的電阻值應由無窮大變為(wei) 十幾歐姆，則說明該晶閘管已被觸發導通，導通方向為(wei) T1→T2。
若在晶閘管被觸發導通後斷開G極，T2、T1極間不能維持低阻導通狀態而阻值變為(wei) 無窮大，則說明該雙向晶閘管性能不良或已經損壞。若給G極加上正(或負)極性觸發信號後，晶閘管仍不導通(T1與(yu) T2間的正、反向電阻值仍為(wei) 無窮大)，則說明該晶閘管已損壞，無觸發導通能力。
對於(yu) 工作電流在8 A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測量其觸發能力時，可先在萬(wan) 用表的某支表筆上串接1～3節1．5 V幹電池，然後再用R×1檔按上述方法測量。
對於(yu) 耐壓為(wei) 400 V以上的雙向晶閘管，也可以用220 V交流電壓來測試其觸發能力及性能好壞。
圖6是雙向晶閘管的測試電路。電路中，FL為(wei) 60 W／220 V白熾燈泡，VT為(wei) 被測雙向晶閘管，R為(wei) 100Ω限流電阻，S為(wei) 按鈕。

 

將電源插頭接入市電後，雙向晶閘管處於(yu) 截止狀態，燈泡不亮(若此時燈泡正常發光，則說明被測晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短 路；若燈泡微亮，則說明被測晶閘管漏電損壞)。按動一下按鈕S，為(wei) 晶閘管的門極G提供觸發電壓信號，正常時晶閘管應立即被觸發導通，燈泡正常發光。若燈泡不能發光，則說明被測晶閘管內(nei) 部開路損壞。若按動按鈕s時燈泡點亮，鬆手後燈泡又熄滅，則表明被測晶閘管的觸發性能不良。

3.門極關(guan) 斷晶閘管的檢測
1)判別各電極：門極關(guan) 斷晶閘管三個(ge) 電極的判別方法與(yu) 普通晶閘管相同，即用萬(wan) 用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩(liang) 個(ge) 電極，其中一次為(wei) 低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一隻引腳即為(wei) 陽極A。
(2)觸發能力和關(guan) 斷能力的檢測：可關(guan) 斷晶閘管觸發能力的檢測方法與(yu) 普通晶閘管相同。檢測門極關(guan) 斷晶閘管的關(guan) 斷能力時，可先按檢測觸發能力的方法使晶閘管處於(yu) 導通狀態，即用萬(wan) 用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得電阻值為(wei) 無窮大。再將A極與(yu) 門極G短路，給G極加上正向觸發信號時，晶閘管被觸發導通，其A、K極間電阻值由無窮大變為(wei) 低阻狀態。斷開A極與(yu) G極的短路點後，晶閘管維持低阻導通狀
態，說明其觸發能力正常。再在晶閘管的門極G與(yu) 陽極A之間加上反向觸發信號，若此時A極與(yu) K極間電阻值由低阻值變為(wei) 無窮大，則說明晶閘管的關(guan) 斷能力正常，圖7是關(guan) 斷能力的檢測示意圖。

 
也可以用圖8所示電路來檢測門極關(guan) 斷晶閘管的觸發能力和關(guan) 斷能力。電路中，EL為(wei) 6．3 V指示燈(小電珠)，S為(wei) 轉換開關(guan) ，VT為(wei) 被測晶閘管。當開關(guan) S關(guan) 斷時，晶閘管不導通，指示燈不亮。將開關(guan) S的K1觸點接通時，為(wei) G極加上正向觸發信號，指示燈亮，說明晶閘管已被觸發導通。若將開關(guan) S斷開，指示燈維持發光，則說明晶閘管的觸發 能力正常。若將開關(guan) s的K2觸點接通，為(wei) G極加上反向 觸發信號，指示燈熄滅，則說明晶閘管的關(guan) 斷能力正常。

 

4．溫控晶閘管的檢測
(1)判別各電極：溫控晶閘管的內(nei) 部結構與(yu) 普通晶 閘管相似，因此也可以用判別普通晶閘管電極的方法 來找出溫控晶閘管的各電極。
(2)性能檢測：溫控晶閘管的好壞也可以用萬(wan) 用表 大致測出來，具體(ti) 方法可參考普通晶閘管的檢測方法。
圖9是溫控晶閘管的測試電路。電路中，R是分流 電阻，用來設定晶閘管VT的開關(guan) 溫度，其阻值越小，開 關(guan) 溫度設置值就越高。c為(wei) 抗幹擾電容，可防止晶閘管 vT誤觸發。HL為(wei) 6．3 v指示燈(小電珠)，S為(wei) 電源開關(guan) 。 
 
接通電源開關(guan) s後，晶閘管VT不導通，指示燈HL不亮。用電吹風“熱風檔”給晶閘管VT加溫，當其溫度達到設定溫度值時，指示燈亮，說明晶閘管VT已被觸發導通。若再用電吹風“冷風”檔給晶閘管VT降溫(或待其自然冷卻)至一定溫度值時，指示燈能熄滅，則說明該晶閘管性能良好。若接通電源開關(guan) 後指示燈即亮或給晶閘管加溫後指示燈不亮，或給晶閘管降溫後指示燈不熄滅，則是被測晶閘管擊穿或性能不良。

5.光控晶閘管檢測
用萬(wan) 用表檢測小功率光控晶閘管時，可將萬(wan) 用表置於(yu) R×1檔，在黑表筆上串接1～3節1．5 V幹電池，測量兩(liang) 引腳之間的正、反向電阻值，正常時均應為(wei) 無窮大。然後再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口，此時應能測出一個(ge) 較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為(wei) 無窮大。在較小電阻值的一次測量中，黑表筆接的是陽極A，紅表筆接的是陰極K。
也可用圖lO中電路對光控晶閘管進行測量。接通電源開關(guan) S，用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為(wei) 其加上觸發光源(大功率光控晶閘管自帶光源，隻要將其光纜中的發光二極管或半導體(ti) 激光器加上工作電壓即可，不用外加光源)後，指示燈EL應點亮，撤離光源後指示燈EL應維持發光。

 

若接通電源開關(guan) S後(尚未加光源)，指示燈FL即點亮，則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關(guan) 、並加上觸發光源後，指示燈EL仍不亮，在被測晶閘管電極連接正 確的情況下，則是該晶閘管內(nei) 部損壞。若加上觸發光源後，指示燈發光，但取消光源後指示燈即熄滅，則說明該晶閘管觸發性能不良。
6.BTG晶閘管的檢測
(1)判別各電極：根據BTG晶閘管的內(nei) 部結構可知，其陽極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個(ge) 正、反向串聯的PN結，而陽極A與(yu) 門極G之問卻隻有一個(ge) PN結。因此，隻要用萬(wan) 用表測出A極和G極即可。
將萬(wan) 用表置於(yu) R×1 kΩ檔，兩(liang) 表筆任接被測晶閘管的某兩(liang) 個(ge) 引腳(測其正、反向電阻值)，若測出某對引腳為(wei) 低阻值時，則黑表筆接的陽極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個(ge) 引腳即是陰極K。
(2)判斷其好壞：用萬(wan) 用表R×1 kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時，陽極A與(yu) 陰極K之間的正、反向電阻均為(wei) 無窮大；陽極A與(yu) 門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時)為(wei) 幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為(wei) 無窮大。若測得某兩(liang) 極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該晶閘管已短路損壞。
(3)觸發能力檢測：將萬(wan) 用表置於(yu) R×1 Ω檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得阻值應為(wei) 無窮大。然後用手指觸摸門極G，給其加一個(ge) 人體(ti) 感應信號，若此時A、K極之間的電阻值由無窮大變為(wei) 低阻值(數歐姆)，則說明晶閘管的觸發能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。