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PLC功能指令使用基礎:數據類型與尋址方式,你學會了嗎?

作者:佚名    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2024/3/5

一、數據類型


1.字長

S7-200 SMART PLC的存儲(chu) 單元(即編程元件)存儲(chu) 的數據都是二進製數。數據的長度稱為(wei) 字長,字長可分為(wei) 位(1位二進製數,用b表示)、字節(8位二進製數,用B表示)、字(16位二進製數,用W表示)和雙字(32位二進製數,用D表示)。


2. 數據的類型和範圍

S7-200 SMART PLC的存儲(chu) 單元存儲(chu) 的數據類型可分為(wei) 布爾型、整數型和實數型(浮點數)。

1)布爾型布爾型數據隻有1位,又稱位型,用來表示開關量(或稱數字量)的兩種不同狀態。當某編程元件為1時,稱該元件為1狀態,或稱該元件處於ON狀態,該元件對應的線圈“通電”,其常開觸點閉合,常閉觸點斷開;當該元件為0時,稱該元件為0狀態,或稱該元件處於OFF狀態,該元件對應的線圈“失電”,其常開觸點斷開,常閉觸點閉合。例如,輸出繼電器Q0.0的數據為布爾型。
2)整數型

整數型數據不帶小數點,它分為(wei) 無符號整數和有符號整數,有符號整數需要占用1個(ge) 最高位表示數據的正負,通常規定最高位為(wei) 0表示數據為(wei) 正數,為(wei) 1表示數據為(wei) 負數。表1列出了不同字長的整數表示的數值範圍。

表1不同字長的整數表示的數值範圍

 

3)實數型

實數型數據也稱為(wei) 浮點型數據,是一種帶小數點的數據,它采用32位來表示(即字長為(wei) 雙字),其數據範圍很大,正數範圍為(wei) +1.175495E-38~+3.402823E+38,負數範圍為(wei) -1.175495E-38~-3.402823E+38。


3.常數的編程書(shu) 寫(xie) 格式

常數在編程時經常要用到。常數的長度可為(wei) 字節、字和雙字,常數在PLC中也是以二進製數形式存儲(chu) 的,但編程時常數可以十進製、十六進製、二進製、ASCII碼或浮點數(實數)形式編寫(xie) ,然後由編程軟件自動編譯成二進製數下載到PLC中。、

常數的編程書(shu) 寫(xie) 格式見表2。

表2常數的編程書(shu) 寫(xie) 格式

 

二、尋址方式


在S7 -200 SMART PLC中,數據是存於(yu) 存儲(chu) 器中的,為(wei) 了存取方便,需要對存儲(chu) 器的每個(ge) 存儲(chu) 單元進行編址。在訪問數據時,隻要找到某單元的地址,就能對該單元的數據進行存取。S7 -200 PLC的尋址方式主要有兩(liang) 種:直接尋址和間接尋址。


1.直接尋址

1)編址

要了解存儲(chu) 器的尋址方法,須先掌握其編址方法。S7 -200 SMART PLC的存儲(chu) 單元編址有一定的規律,它將存儲(chu) 器按功能不同劃分成若幹個(ge) 區,如I區(輸入繼電器區)、Q區(輸出繼電器區)、M區、SM區、V區、L區等,由於(yu) 每個(ge) 區又有很多存儲(chu) 單元,因而這些單元需要進行編址。PLC存儲(chu) 區常采用以下方式編址。

①I、Q、M、SM、S區按位順序編址,如I0.0~I15.7、M0.0~M1.7。

②V、L區按字節順序編址,如VB0~VB2047、LB0~LB63。

③AI、AQ區按字順序編址,如AIW0~AIW30、AQW0~AQW30。

④T、C、HC、AC區直接按編號大小編址,如T0~T255、C0~C255、AC0~AC3。

2)直接尋址方法

直接尋址通過直接指定要訪問存儲單元的區域、長度和位置來查找到該單元。S7 -200 SMART PLC直接尋址方法主要有:

①位尋址。位尋址格式為(wei) :位單元尋址=存儲(chu) 區名(元件名)+字節地址。位地址例如,尋址時給出I2.3,要查找的地址是I存儲(chu) 區第2字節的第3位,如圖1所示。

 

圖1 位尋址舉(ju) 例

可進行位尋址的存儲(chu) 區有I、Q、M、SM、L、V、S。字節/字/雙字尋址。

②字節/字/雙字尋址是以字節、字或雙字為單位進行的,尋址格式為:

字節/字/雙字尋址=存儲(chu) 區名(元件名)+字長(字節、字或雙字)+首字節地址

例如,尋址時給出VB100,要查找的地址為(wei) V存儲(chu) 區的第100字節;若給出VW100,則要查找的地址為(wei) V存儲(chu) 區的第100、101兩(liang) 個(ge) 字節;若給出VD100,則要查找的地址為(wei) V存儲(chu) 區的第100~103四個(ge) 字節。VB100、VW100、VD100之間的關(guan) 係如圖2所示,VW100即為(wei) VB100和VB101,VD100即為(wei) VB100~VB103。當VW100單元存儲(chu) 16位二進製數時,VB100存高字節(高8位),VB101存低字節(低8位);當VD100單元存儲(chu) 32位二進製數時,VB100存最高字節,VB103存最低字節。

VB100、VW100、VD100之間的關係 

圖2 VB100、VW100、VD100之間的關(guan) 係

可進行字節尋址的存儲區有I、Q、M、SM、L、V、AC(僅低8位)、常數;可進行字尋址的存儲區有I、Q、M、SM、L、V、T、C、AC(僅低16位)、常數;可進行雙字尋址的存儲區有I、Q、M、SM、L、V、AC(32位)、常數。

2.間接尋址

間接尋址是指不直接給出要訪問單元的地址,而是將該單元的地址存在某些特殊存儲(chu) 單元中,這個(ge) 用來存儲(chu) 地址的特殊存儲(chu) 單元稱為(wei) 指針,指針隻能由V、L或AC(累加器)來承擔。采用間接尋址方式在訪問連續地址中的數據時很方便,使編程非常靈活。

間接尋址存取數據一般有三個過程:建立指針、用指針存取數據和修改指針。

1)建立指針

建立指針必須用雙字傳(chuan) 送指令(MOVD),利用該指令將要訪問單元的地址存入指針(用來存儲(chu) 地址的特殊存儲(chu) 單元)中。指針建立舉(ju) 例如下。

MOVD &VB200, AC1 //將存儲(chu) 單元VB200的地址存入累加器AC1中指令中操作數前的“&”為(wei) 地址符號,“&VB200”表示VB200的地址(而不是VB200中存儲(chu) 的數據),“//”為(wei) 注釋符號,它後麵的文字用來對指令進行注釋說明,軟件不會(hui) 對其後麵的內(nei) 容進行編譯。在建立指針時,指令中的第2個(ge) 操作數的字長必必須是雙字存儲(chu) 單元,如AC、VD、LD。

2)用指針存取數據

指針建立後,就可以利用指針來存取數據。舉(ju) 例如下。

MOVD &VB200,AC0 //建立指針,將存儲(chu) 單元VB200的地址存入累加器AC0中

MOVW *AC0, AC1 //以AC0中的地址(VB200的地址)作為(wei) 首地址,將連續兩(liang) 個(ge) 字節(一個(ge) 字,即VB200、VB201)單元中的數據存入AC1中

MOVD*AC0, AC1 //以AC0中的地址(VB200的地址)作為(wei) 首地址,將連續四個(ge) 字節(雙字,即VB200~VB203)單元中的數據存入AC1中

指令中操作數前的“*”表示該操作數是一個(ge) 指針(存有地址的存儲(chu) 單元)。下麵通過圖3來說明上述指令的執行過程。

間接尋址說明圖 

圖3 間接尋址說明圖

“MOVD &VB200, AC0”指令執行的結果是AC0中存入存儲(chu) 單元VB200的地址;“MOVW *AC0, AC1”指令執行的結果是以AC0中的VB200地址作為(wei) 首地址,將連續兩(liang) 個(ge) 字節單元(VB200、VB201)中的數據存入AC1中,如果VB200、VB201單元中的數據分別為(wei) 12、34,則該指令執行後,AC1的低16位就存入了“1234”;“MOVD *AC0, AC1”指令執行的結果是以AC0中的VB200地址作為(wei) 首地址,將連續四個(ge) 字節單元(VB200~VB203)中的數據存入AC1中,該指令執行後,AC1中就存入了“12345678”。

3)修改指針

指針(用來存儲地址的特殊存儲單元)的字長為雙字(32位),修改指針值需要用雙字指令。常用的雙字指令有雙字加法指令(ADDD)和雙字加1指令(INCD)。在修改指針值、存取字節時,指針值加1;存取字時,指針值加2;存取雙字時,指針值加4。修改指針值舉例如下。

MOVD &VB200, AC0 //建立指針

INCD AC0      //將AC0中的值加1(即地址值增1)

INCD AC0      //將AC0中的地址值再增1

MOVW *AC0, AC1 //讀指針

以AC0中的新地址作為(wei) 首地址,將它所對應連續兩(liang) 個(ge) 字節單元中的數據存入AC1中。

以圖6-3為(wei) 例,上述程序執行的結果是以AC0中的VB202單元地址為(wei) 首地址,將VB202、VB203單元中的數據56、78存入AC1的低16位。

Tags:間接尋址,西門子plc,200SMART  
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