晶振構成的振蕩電路，簡單的晶體振蕩器電路圖大全（十款晶體振蕩器電路圖）

[導讀] 晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。本文主要了十款晶體振蕩器電路圖。

　　晶體(ti) 振蕩器是指從(cong) 一塊石英晶體(ti) 上按一定方位角切下薄片（簡稱為(wei) 晶片），石英晶體(ti) 諧振器，簡稱為(wei) 石英晶體(ti) 或晶體(ti) 、晶振；而在封裝內(nei) 部添加IC組成振蕩電路的晶體(ti) 元件稱為(wei) 晶體(ti) 振蕩器。其產(chan) 品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

　　（一）

　　如圖所示是由A1的三個(ge) 門、四個(ge) 電阻、調諧電容和一塊晶體(ti) 所構成簡單的晶體(ti) 振蕩器電路。晶體(ti) 振蕩電路　　在圖中，其中A1和晶體(ti) 諧振子SJT及電容組成4069kHz的方波信號。將開關(guan) 置1點，送至A2，經A2的二分頻後，獲得2048kHz振蕩信號；將開關(guan) 置於(yu) 3點，送至A3，經A3的二分頻後，獲得128kHz振蕩信號。調諧電容C1和C2，可使頻率準確的調諧在中心頻率上。　　由晶體(ti) SJT連接在A1的輸入和輸出端之間，用以提供反饋回路，在晶體(ti) 的基頻上

　　在圖中，其中A1和晶體(ti) 諧振子SJT及電容組成4069kHz的方波信號。將開關(guan) 置1點，送至A2，經A2的二分頻後，獲得2048kHz振蕩信號；將開關(guan) 置於(yu) 3點，送至A3，經A3的二分頻後，獲得128kHz振蕩信號。調諧電容C1和C2，可使頻率準確的調諧在中心頻率上。

　　由晶體(ti) SJT連接在A1的輸入和輸出端之間，用以提供反饋回路，在晶體(ti) 的基頻上產(chan) 生振蕩。

　　簡單的晶體振蕩器電路圖大全（二）

　　極管TV2進行信號放大，經電容C8耦合輸出。其中，電阻RI、R2和電阻R5、R6、R7是三極管VT1和VT2的直流偏置元件。L2是高頻扼流線圈，給振蕩管VT1的集電極電流提供一個(ge) 直流通路。C2為(wei) 隔直電容。C3、C7是交流旁路電容，使VT1的發射極處於(yu) 交流零電位，但直流電位不為(wei) 零。電感L1，電容C6，電阻R3為(wei) 改善電源濾波電路，其作用是減少紋波電壓以振高直流分量。略調電容C4、C8，可以改變耦合信號的大小。

簡單的晶體(ti)

　　1.元器件選擇

　　電容C1為(wei) 20p，C2為(wei) 100p，C3、C7為(wei) 820p，C4為(wei) 56p，C5、C8為(wei) 47p，C6為(wei) 47u/50V。電感L1為(wei) 22uH（色碼電感），L2為(wei) 0.3uH。電阻R1為(wei) 1.6kΩ，R2為(wei) 1kΩ，R3為(wei) 750Ω，R4為(wei) 180Ω、1W，R5為(wei) 1.3kΩ，R6為(wei) 3kΩ，R7為(wei) 360Ω，R8為(wei) 470Ω，R9—R12為(wei) 300Ω、2W。三極管VT1、VT2選3DG82B，65≤β≤115。晶體(ti) SJT用JA9B型－70MHz。繼電器KM為(wei) JUC-1M。

　　2.使用時應注意

　　（1）在應用石英晶體(ti) 時，有一個(ge) 必須注意的實際問題，這就是晶體(ti) 本身的

　　激勵功率。激勵功率較大時，輸出功率也大，這時，晶體(ti) 三極管引入的噪聲影響不大。但是，晶體(ti) 激勵功率過大會(hui) 使晶體(ti) 長期穩定性（老化特性）變壞。晶體(ti) 激勵功率小時，長期穩定性較好，但是使用低噪聲晶體(ti) 三極管較佳。

　　（2）由於(yu) 晶體(ti) 頻率受溫度影響很大，為(wei) 保證對晶體(ti) 頻率穩定度的要求，必

　　須注意晶體(ti) 恒溫。即將晶體(ti) 放在恒溫槽內(nei) ，由恒溫控製電路來保證恒溫槽內(nei) 的溫度使其維持在晶體(ti) 的拐點溫度。因此，為(wei) 使振蕩頻率和震蕩幅度穩定，將晶體(ti) SJT和VT1、VT2放入恒溫箱內(nei) 。恒溫箱是用R9－R12四隻2W金屬膜電阻加熱，一隻小型密封溫度繼電器KM作溫度控製元件。箱內(nei) 溫度在+55℃（所用晶體(ti) 的拐點溫度一般在+60±5℃）。為(wei) 減小恒溫箱的體(ti) 積，其電路中的元器件盡可能選其體(ti) 積越小越好。如箱內(nei) 溫度高於(yu) +55℃時，KM－1.2觸點斷開；如≤+55℃時，KM－1.2觸點閉合，以保證箱內(nei) 溫度溫定在+55℃。

　　簡單的晶體振蕩器電路圖大全（三）

　　該電路振蕩頻率範圍為(wei) 100kHz－5MHz。工作特性由源極電阻確定。利用微調電容可以調節頻率。輸出電阻較高，後接一個(ge) 源極跟隨器作隔離器則可以客服這一缺點。

　　簡單的晶體振蕩器電路圖大全（四）

　　這個(ge) 簡單又廉價(jia) 的晶體(ti) 振蕩器由74LS04的兩(liang) 個(ge) 門及外圍元件組成，電路如圖3所示：

簡單的晶體(ti)

　　電阻R1和R2將兩(liang) 個(ge) 反相器F1、F2偏置在線性範圍內(nei) ，並由晶體(ti) SJT提供反饋回路，其在晶體(ti) 的基頻上產(chan) 生20MHz振蕩頻率，然後由反相器F3送至由74LS74構成的D型觸發器進行分頻。若要進行二分頻或四分頻、八分頻等，則需遵循2n分頻規律（n為(wei) 級數）。n=1，則21=2分頻，即將20MHz經A1＝分頻電路後，Q1輸出10MHz；若四分頻，n=2，則22=4分頻，即將20MHz經A1、A2四分頻電路後，Q2輸出5MHz；若進行三分頻，當f第三個(ge) 脈衝(chong) 過後，Q1=1，Q2=1，這時Q1¯=0， Q2¯=0，或非門HF1輸出為(wei) 1，至R端複位，將Q1、Q2複位為(wei) 00，結果經A1、A2三分頻後，Q2輸出約6.7MHz；若需五分頻，當計數為(wei) 5時，Q1Q2Q3=101，即Q1¯=0， Q3¯=0，或非門HF2輸出為(wei) 1，將Q1、Q2、Q3複位為(wei) 000，結果Q3輸出4MHz頻率。

　　明確輸出狀態由D決(jue) 定，而輸出狀態的翻轉則由CP來控製這一點，則可產(chan) 生多種適合自己需要的頻率。