雙向可控矽是在普通可控矽的基礎上發展而成的，它不僅(jin) 能代替兩(liang) 隻反極性並聯的可控矽，而且僅(jin) 需一個(ge) 觸發電路，是比較理想的交流開關(guan) 器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guan) 之意。

導讀：可控矽工作原理

雙向可控矽為(wei) 什麽(me) 稱為(wei) “TRIAC”?三端：TRIode(取前三個(ge) 字母)
交流半導體(ti) 開關(guan) ：ACsemiconductorswitch
(取前兩(liang) 個(ge) 字母)
以上兩(liang) 組名詞組合成“TRIAC”
中文譯意“三端雙向可控矽開關(guan) ”。

三端雙向可控矽
由此可見“TRIAC”是雙向可控矽的統稱。
雙　向：Bi-directional(取第一個(ge) 字母)
控　製：Controlled(取第一個(ge) 字母)
整流器：Rectifier(取第一個(ge) 字母)
再由這三組英文名詞的首個(ge) 字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控矽。以“BCR”來命名雙向可控矽的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
雙　向：Bi-directional(取第一個(ge) 字母)
三　端：Triode(取第一個(ge) 字母)
由以上兩(liang) 組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控矽產(chan) 品的型號命名，典型的生產(chan) 商如：意法ST公司、荷蘭(lan) 飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控矽。
代表型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控矽；
Philips公司的產(chan) 品型號前綴為(wei) “BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控矽。
而意法ST公司，則以“BT”字母為(wei) 前綴來命名元件的型號並且在“BT”後加“A”或“B”來表示絕緣與(yu) 非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”係列的雙向可控矽型號，如：
三象限/絕緣型/雙向可控矽:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；
四象限/非絕緣/雙向可控矽:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；
ST公司所有產(chan) 品型號的後綴字母(型號最後一個(ge) 字母)帶“W”的，均為(wei) “三象限雙向可控矽”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
至於(yu) 型號後綴字母的觸發電流，各個(ge) 廠家的代表含義(yi) 如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，
型號沒有後綴字母之觸發電流，通常為(wei) 25-35mA；
PHILIPS公司的觸發電流代表字母沒有統一的定義(yi) ，以產(chan) 品的封裝不同而不同。
意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發電流均有一個(ge) 上下起始誤差範圍，產(chan) 品PDF文件中均有詳細說明
一般分為(wei) 最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(ge) 參數值。[1]

參數符號
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向反複峰值電壓
IDRM--斷態重複峰值電流
ITSM--通態一個(ge) 周波不反複浪湧電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨(lin) 界上升率
di/dt--通態電流臨(lin) 界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--斷態重複峰值電壓
IRRM--反向重複峰值電流
IF(AV)--正向平均電流

常用可控矽的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

伏安特性:

反向特性

當控製極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J3結反偏。此時隻能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後，接差J3結也擊穿，電流迅
速增加，特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控矽會(hui) 發生永久性反向。
正向特性

當控製極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與(yu) 普通PN結的反向特性相似，也隻能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由於(yu) 電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產(chan) 生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與(yu) 由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合，同樣，進入P2區的空穴與(yu) 由N2區通過J3結注入P2區的電子複合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與(yu) 進入P2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，隻要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
這時J1、J2、J3三個(ge) 結均處於(yu) 正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與(yu) 普通的PN結正向特性相似