三極管截止與(yu) 飽合狀態       截止狀態       三極管作為(wei) 開關(guan) 使用時，仍是處於(yu) 下列兩(liang) 種狀態下工作。 1.截止(cut off)狀態:如圖5所示，當三極管之基極不加偏壓或 加上反向偏壓使BE極截止時(BE極之特性和二極管相同，須加 上大於(yu) 0.7V之正向偏壓時才態導通)，基極電流IB=0，因為(wei) IC=β IB，所以IC=IE=0，此時CE極之間相當於(yu) 斷路，負載無電流。 a)基極(B)不加偏壓使    基極電流IB等於零 (b)基極(B)加上反向偏    壓使基極電流IB等於零 (c)此時集極(C)與射極(E)    之間形同段路，負載無    電流通過                                                          圖5 三極管截止狀態 飽合狀態                 飽合(saturation)狀態:如圖6所示，當三極管之基極加入駛 大的電流時，因為IC≒IE=β×IB，射極和集極的電流亦非常大，此 時，集極與射極之間的電壓降非常低(VCE為0.4V以下)，其意義相 當於集極與射極之間完全導通，此一狀態稱為三極管飽合。 圖6 (a)基極加上足夠的順向                                                 (b)此時C-E極之間視同             偏壓使IB足夠大                                                              導通狀態   晶體(ti) 管的電路符號和各三個(ge) 電極的名稱如下    圖7 PNP型三極管          圖8 NPN型三極管 三極管的特性曲線 1、輸入特性 圖2 （b)是三極管的輸入特性曲線，它表示Ib隨Ube的變化關(guan) 係，其特點是：1）當Uce在0-2伏範圍內(nei) ，曲線位置和形狀與(yu) Uce有關(guan) ，但當Uce高於(yu) 2伏後，曲線Uce基本無關(guan) 通常輸入特性由兩(liang) 條曲線（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。 2）當Ube＜UbeR時，Ib≈O稱（0～UbeR)的區段為(wei) “死區”當Ube＞UbeR時，Ib隨Ube增加而增加，放大時，三極管工作在較直線的區段。 3）三極管輸入電阻，定義(yi) 為(wei) : rbe=(△Ube/△Ib)Q點，其估算公式為(wei) ： rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb為(wei) 三極管的基區電阻，對低頻小功率管，rb約為(wei) 300歐。 2、輸出特性 輸出特性表示Ic隨Uce的變化關(guan) 係（以Ib為(wei) 參數）從(cong) 圖9（C）所示的輸出特性可見，它分為(wei) 三個(ge) 區域：截止區、放大區和飽和區。 截止區當Ube＜0時，則Ib≈0，發射區沒有電子注入基區，但由於(yu) 分子的熱運動，集電集仍有小量電流通過，即Ic=Iceo稱為(wei) 穿透電流，常溫時Iceo約為(wei) 幾微安，鍺管約為(wei) 幾十微安至幾百微安，它與(yu) 集電極反向電流Icbo的關(guan) 係是： Icbo=(1+β)Icbo 常溫時矽管的Icbo小於(yu) 1微安，鍺管的Icbo約為(wei) 10微安，對於(yu) 鍺管，溫度每升高12℃，Icbo數值增加一倍，而對於(yu) 矽管溫度每升高8℃， Icbo數值增大一倍，雖然矽管的Icbo隨溫度變化更劇烈，但由於(yu) 鍺管的Icbo值本身比矽管大，所以鍺管仍然受溫度影響較嚴(yan) 重的管，放大區，當晶體(ti) 三極管發射結處於(yu) 正偏而集電結於(yu) 反偏工作時，Ic隨Ib近似作線性變化，放大區是三極管工作在放大狀態的區域。 飽和區當發射結和集電結均處於(yu) 正偏狀態時，Ic基本上不隨Ib而變化，失去了放大功能。根據三極管發射結和集電結偏置情況，可能判別其工作狀態。                   圖9 三極管的主要參數 1、直流參數 （1）集電極一基極反向飽和電流Icbo，發射極開路（Ie=0)時，基極和集電極之間加上規定的反向電壓Vcb時的集電極反向電流，它隻與(yu) 溫度有關(guan) ，在一定溫度下是個(ge) 常數，所以稱為(wei) 集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管，Icbo很小，小功率鍺管的Icbo約為(wei) 1～10微安，大功率鍺管的Icbo可達數毫安培，而矽管的Icbo則非常小，是毫微安級。 （2）集電極一發射極反向電流Iceo(穿透電流）基極開路（Ib=0）時，集電極和發射極之間加上規定反向電壓Vce時的集電極電流。 Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受溫度影響極大，它們(men) 是衡量管子熱穩定性的重要參數，其值越小，性能越穩定，小功率鍺管的Iceo比矽管大。 （3）發射極---基極反向電流Iebo集電極開路時，在發射極與(yu) 基極之間加上規定的反向電壓時發射極的電流，它實際上是發射結的反向飽和電流。 （4）直流電流放大係數β1（或hEF）這是指共發射接法，沒有交流信號輸入時，集電極輸出的直流電流與(yu) 基極輸入的直流電流的比值，即： β1=Ic/Ib 2、交流參數 （1）交流電流放大係數β（或hfe）這是指共發射極接法，集電極輸出電流的變化量△Ic與(yu) 基極輸入電流的變化量△Ib之比，即： β= △Ic/△Ib 一般電晶體(ti) 的β大約在10-200之間，如果β太小，電流放大作用差，如果β太大，電流放大作用雖然大，但性能往往不穩定。 （2）共基極交流放大係數α（或hfb）這是指共基接法時，集電極輸出電流的變化是△Ic與(yu) 發射極電流的變化量△Ie之比，即： α=△Ic/△Ie 因為(wei) △Ic＜△Ie，故α＜1。高頻三極管的α＞0.90就可以使用 α與(yu) β之間的關(guan) 係： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截止頻率fβ、fα當β下降到低頻時0.707倍的頻率，就什發射極的截止頻率fβ；當α下降到低頻時的0.707倍的頻率，就什基極的截止頻率fαo fβ、 fα是表明管子頻率特性的重要參數，它們(men) 之間的關(guan) 係為(wei) ： fβ≈（1-α）fα （4）特征頻率fT因為(wei) 頻率f上升時，β就下降，當β下降到1時，對應的fT是全麵地反映電晶體(ti) 的高頻放大性能的重要參數。 3、極限參數 （1）集電極最大允許電流ICM當集電極電流Ic增加到某一數值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2，這時的Ic值稱為(wei) ICM。所以當Ic超過ICM時，雖然不致使管子損壞，但β值顯著下降，影響放大品質。 （2）集電極----基極擊穿電壓BVCBO當發射極開路時，集電結的反向擊穿電壓稱為(wei) BVEBO。 （3）發射極-----基極反向擊穿電壓BVEBO當集電極開路時，發射結的反向擊穿電壓稱為(wei) BVEBO。 （4）集電極-----發射極擊穿電壓BVCEO當基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓，使用時如果Vce＞BVceo，管子就會(hui) 被擊穿。 （5）集電極最大允許耗散功率PCM集電流過Ic，溫度要升高，管子因受熱而引起參數的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率稱為(wei) PCM。管子實際的耗散功率於(yu) 集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc=Uce×Ic.使用時慶使Pc＜PCM。 PCM與(yu) 散熱條件有關(guan) ，增加散熱片可提高PCM。