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半導體三極管的結構

作者:佚名    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2016-9-18

    雙極型半導體(ti) 三極管的結構示意圖如圖所示。它有兩(liang) 種類型:NPN型和PNP型。中間部分稱為(wei) 基區,相連電極稱為(wei) 基極,用B或b表示(Base);
    一側(ce) 稱為(wei) 發射區,相連電極稱為(wei) 發射極,用E或e表示(Emitter);
    另一側(ce) 稱為(wei) 集電區和集電極,用C或c表示(Collector)。
    E-B間的PN結稱為(wei) 發射(Je),
    C-B間的PN結稱為(wei) 集電(Jc)。

圖 兩(liang) 種極性的雙極型三極管結構原理圖 

圖 兩種極性的雙極型三極管
    雙極型三極管的符號在圖的下方給出,發射極的箭頭代表發射極電流的實際方向。從外表上看兩個N區(或兩個P區)是對稱的,實際上發射區的摻雜濃度大集電區摻雜濃度低,且集電結麵積大。基區要製造得很薄,其厚度一般在幾個微米至幾十個微米。
Tags:半導體三極管,結構,原理  
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