單結晶體(ti) 管（UJT）又稱基極二極管，下麵是早期國產(chan) 單結晶體(ti) 管BT32參數，它分為(wei) A~H共8個(ge) 具體(ti) 型號。

BT32A參數

分壓比（η）：0.3~0.55
基極間電阻（R_BB）：3~6kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32B參數

分壓比（η）：0.3~0.55
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32C參數

分壓比（η）：0.45~0.75
基極間電阻（R_BB）：3~6kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32D參數

分壓比（η）：0.45~0.75
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32E參數

分壓比（η）：0.65~0.85
基極間電阻（R_BB）：3~6kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32F參數

分壓比（η）：0.65~0.85
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32G參數

分壓比（η）：0.55~0.75
基極間電阻（R_BB）：10~15kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32H參數

分壓比（η）：0.55~0.75
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥40V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調製電流：9~35mA
耗散功率：300mW

測試條件

基極間電阻：U_BB=20V；I_E=0
E對B1間反向電壓：I_EO=1μA
反向電流：U_EBO=60V
峰值電流：U_BB=20V
飽和壓降：U_BB=20V；I_E=50mA
調製電流：U_BB=20V；I_E=50mA