場效應管單級放大電路原理圖

場效應晶體(ti) 管(Field Effect Transistor縮寫(xie) (FET))簡稱場效應管。主要有兩(liang) 種類型(junction FET-JFET)和金屬 - 氧化物半導體(ti) 場效應管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與(yu) 導電，也稱為(wei) 單極型晶體(ti) 管。它屬於(yu) 電壓控製型半導體(ti) 器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於(yu) 集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(you) 點，現已成為(wei) 雙極型晶體(ti) 管和功率晶體(ti) 管的強大競爭(zheng) 者。

場效應管(FET)是利用控製輸入回路的電場效應來控製輸出回路電流的一種半導體(ti) 器件，並以此命名。

由於(yu) 它僅(jin) 靠半導體(ti) 中的多數載流子導電，又稱單極型晶體(ti) 管。

FET 英文為(wei) Field Effect Transistor，簡寫(xie) 成FET。

場效應管是常見的電子元件，屬於(yu) 電壓控製型半導體(ti) 器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於(yu) 集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(you) 點。