MOS管是金屬—氧化物-半導體(ti) 場效應晶體(ti) 管，或者稱是金屬—絕緣體(ti) —半導體(ti) 。MOS管的source和drain是可以對調的，他們(men) 都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(ge) 兩(liang) 個(ge) 區是一樣的，即使兩(liang) 端對調也不會(hui) 影響器件的性能。這樣的器件被認為(wei) 是對稱的。雙極型晶體(ti) 管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個(ge) 大的電流變化。雙極型晶體(ti) 管的增益就定義(yi) 為(wei) 輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體(ti) 管，叫做場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為(wei) 輸出電流的變化。FET的增益等於(yu) 它的transconductance，定義(yi) 為(wei) 輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市麵上常有的一般為(wei) N溝道和P溝道，以下為(wei) N溝道和P溝道符號。
 
用指針式萬(wan) 用表對MOS管進行判別

根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個(ge) 電極。

具體(ti) 方法：將萬(wan) 用表撥在R×1k檔上，任選兩(liang) 個(ge) 電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩(liang) 個(ge) 電極的正、反向電阻值相等，且為(wei) 幾千歐姆時，則該兩(liang) 個(ge) 電極分別是漏極D和源極S。因為(wei) 對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wan) 用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(ge) 電極，另一隻表筆依次去接觸其餘(yu) 的兩(liang) 個(ge) 電極，測其電阻值。當出現兩(liang) 次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為(wei) 柵極，其餘(yu) 兩(liang) 電極分別為(wei) 漏極和源極。若兩(liang) 次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極;若兩(liang) 次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為(wei) P溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為(wei) 止。

測電阻法檢測MOS管是用萬(wan) 用表測量場效應管的源極與(yu) 漏極、柵極與(yu) 源極、柵極與(yu) 漏極、柵極G1與(yu) 柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊(ce) 標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。MOS管引腳

具體(ti) 方法：首先將萬(wan) 用表置於(yu) R×10或R×100檔，測量源極S與(yu) 漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐範圍(在手冊(ce) 中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的)，如果測得阻值大於(yu) 正常值，可能是由於(yu) 內(nei) 部接觸不良;如果測得阻值是無窮大，可能是內(nei) 部斷極。然後把萬(wan) 用表置於(yu) R×10k檔，再測柵極G1與(yu) G2之間、柵極與(yu) 源極、柵極與(yu) 漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為(wei) 無窮大，則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為(wei) 通路，則說明管是壞的。要注意，若兩(liang) 個(ge) 柵極在管內(nei) 斷極，可用元件代換法進行檢測。

具體(ti) 方法：用萬(wan) 用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場效應管加上1.5V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然後用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體(ti) 的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由於(yu) 管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差;表針擺動較大，表明管的放大能力大;若表針不動，說明管是壞的。

根據上述方法，我們(men) 用萬(wan) 用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路，測得漏源電阻RDS為(wei) 600Ω，用手捏住G極後，表針向左擺動，指示的電阻RDS為(wei) 12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，並有較大的放大能力。

首先用測量電阻的方法檢測MOS管得找出兩(liang) 個(ge) 有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，餘(yu) 下兩(liang) 個(ge) 腳為(wei) 第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩(liang) 表筆測的源極S與(yu) 漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩(liang) 次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為(wei) 漏極D;紅表筆所接的為(wei) 源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極，兩(liang) 種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置後，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會(hui) 依次對準位置，這就確定了兩(liang) 個(ge) 柵極G1、G2的位置，從(cong) 而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

對VMOSN溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當於(yu) 在源、漏極之間加了一個(ge) 反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬(wan) 用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內(nei) 電壓較高。當用手接觸柵極G時，會(hui) 發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高;如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

①柵極G的測定：用萬(wan) 用表R&TImes;100檔，測任意兩(liang) 腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為(wei) 數百Ω)，該兩(liang) 腳是D、S，第三腳為(wei) G。

②漏極D、源極S及類型判定：用萬(wan) 用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為(wei) 0.2&TImes;10kΩ，反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳後，與(yu) G碰一下，然後回去再接原引腳，出現兩(liang) 種情況：

a.若讀數由原來較大值變為(wei) 0(0&TImes;10kΩ)，則紅表筆所接為(wei) S，黑表筆為(wei) D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為(wei) 0Ω，還可證明該管為(wei) N溝道。

b.若讀數仍為(wei) 較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之後立即回到原腳，此時若讀數為(wei) 0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為(wei) D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為(wei) P溝道。