MOS管和IGBT管作為(wei) 現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xi) 以為(wei) 常。可是MOS管和IGBT管由於(yu) 外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為(wei) 選擇、判斷、使用掃清障礙！

MOS管

MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體(ti) 絕緣柵場效應管。其特性，輸入阻抗高、開關(guan) 速度快、熱穩定性好、電壓控製電流等特性。

IGBT管

IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體(ti) 管，是MOS管與(yu) 晶體(ti) 三極管的組合，MOS是作為(wei) 輸入管，而晶體(ti) 三極管作為(wei) 輸出管。於(yu) 是三極管的功率做的挺大，因此兩(liang) 者組合後即得到了MOS管的優(you) 點又獲得了晶體(ti) 三極管的優(you) 點。

綜上所述的兩(liang) 種晶體(ti) 管，是目前電子設備使用頻率很高的電子元器件，兩(liang) 者在外形及靜態參數極其相似，某些電子產(chan) 品是存在技術壟斷， 在電路中有時它們(men) 的型號是被擦掉的，截止目前，它們(men) 在命名標準及型號統又沒有統一標準，而外型及管腳的排列相似，根本無規律可循，成為(wei) 維修過程中的攔路虎，如何區分和判斷成為(wei) 必要手段。

MOS管和IGBT管的辨別

帶阻尼的NPN型IGBT管與(yu) N溝道增強型MOMS管的識別

帶阻尼的NPN型IGBT管與(yu) N溝道增強型MOMS管它們(men) 的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應，對它們(men) 的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。

一、靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞

先將兩(liang) 個(ge) 管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與(yu) S極之間有個(ge) PN接，正向導通反向截止，於(yu) 是有Rgd＝Rgs＝Rds＝無窮大，Rsd＝幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為(wei) 無窮大，即Rgc＝Rge＝無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向導電反向截止特性，即Rce＝無窮大，Rec＝幾千歐。從(cong) 這裏隻能用萬(wan) 用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區分不出是那種管子。測量得阻值很小，則說明管子被擊穿，測量阻值很大，說明管子內(nei) 部斷路。

動態測量區分MOS管和IGBT管

先用萬(wan) 用表給管子的柵極施加電壓，是場效應管建立起溝道，然後測量D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。

用萬(wan) 用表的電阻檔測量兩(liang) 個(ge) 管子的D、S及c、e之間的電阻，由於(yu) 場效應管已經建立溝道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce，晶體(ti) 三極管處於(yu) 放大狀態的導通電阻，Rec為(wei) 內(nei) 部阻尼二極管的導通電阻，兩(liang) 者均為(wei) 幾千歐。因此根據測量可知，兩(liang) 個(ge) 管子的導通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小於(yu) IGBT管c、e之間的電阻值，於(yu) 是可以分辨出MOS與(yu) IGBT管。