MOS管燒毀，我相信90%以上的硬件工程師在職場生涯中都會(hui) 遇到這類問題。然而這類問題也總是讓人防不勝防。那麽(me) 今天小白就給大家講解一下MOS管燒毀的幾個(ge) 常見原因。

在講解前，小白給大家畫一下MOS管的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管舉(ju) 例)。

給大家介紹幾個(ge) 必須掌握的名詞
VDSS:漏極於(yu) 源極之間所施加的最大電壓值。
VGSS:柵極與(yu) 源極之間所能施加的最大電壓值。
IDC:漏極允許通過的最大直流電流值。
Tch:MOS管的溝道的上限溫度
熱阻：表示熱傳(chuan) 導的難易程度，熱阻值越小，散熱性能越好。
IDSS:漏極與(yu) 源極之間的漏電流。VGS=0時，D與(yu) S之間加VDSS
IGSS:柵極與(yu) 源極之間的漏電流。VDS=0時，G與(yu) S之間加VGSS。
RDS(on)：漏極/源極間的導通阻抗。MOS管處於(yu) 導通狀態下的阻抗。導通阻抗越大，則開啟時損耗越大。因此此參與(yu) 盡量要小些。 RDS(on)=VDS/ID。

MOD管燒毀的原因主要有以下四種

1. 過壓：VDS，VGS過大，沒有嚴(yan) 格按照規格式設計,超過了其本身的額定電壓，並且達到擊穿電壓。

2. 過流：持續大電流或者瞬間大電流，超過了MOS所能承受的最大值。

3. 靜電：MOS管屬於(yu) ESD敏感器件。本身輸入阻抗很高，加之還有結電容，因此在外界有電磁場或者靜電幹擾的話，會(hui) 積累電荷。當電荷積累到一定程度後，電壓升高會(hui) 導致管子損壞。同時在靜電較強的場合難以泄放靜電，易擊穿。電壓瞬間升高會(hui) 帶來短暫的大電流，MOS發熱的發熱量來不及散熱就被擊穿燒壞。

4. 發熱損壞：由於(yu) 超過SOA安全區域引起的發熱而導致的。其中發熱的原因主要分為(wei) 直流功率與(yu) 瞬態功率。

直流功率原因：導通電阻RDS(on)損耗（高溫時該阻值會(hui) 增大，導致在一定的電流下，產(chan) 生過高的熱量）
由漏電流IDSS引起的功耗

瞬態功率原因：負載出現短路。
開關(guan) 損耗

總之MOS管燒毀的原因有很多，我這裏羅列一些我了解的，大家如果還有遇到過其他情況的，歡迎評論區補充。