級聯放大器是一個(ge) 兩(liang) 級電路由緩衝(chong) 放大器的跨導放大器組成。從(cong) 那句“級聯”級聯“字起源陰極”。該電路有很多優(you) 勢，在單級放大器一樣，更好的輸入輸出隔離，更好的收益，提高帶寬，更高的輸入阻抗，輸出阻抗高，穩定性更好，更高的壓擺率等帶寬的增加背後的原因是減少米勒效果。級聯放大器一般構造使用FET（場效應晶體(ti) 管），BJT（雙極晶體(ti) 管）。一個(ge) 階段將在共同的源/共發射極模式通常有線和有線其他階段將在共同的基礎/共發射極模式。

米勒效應。

米勒效應實際上是漏源寄生電容的電壓增益的乘積。漏源寄生電容總是降低帶寬的形勢進一步惡化的電壓增益時，它就會(hui) 成倍增加。雜散電容mulitiplication增加了有效的輸入電容和放大器，因為(wei) 我們(men) 知道，在輸入電容的增加提高頻率低切，這意味著減少帶寬。米勒效應可減少加在放大器的輸出電流緩衝(chong) 級，或加入之前，輸入電壓的緩衝(chong) 階段。

FET級聯放大器。

 

FET共源共柵放大器

上麵顯示了一個(ge) 典型的共源共柵FET放大器的電路圖。電路的輸入級是FET的共源放大器和輸入電壓（Vin）應用於(yu) 其門。輸出級是一個(ge) FET共柵放大器輸入級驅動。路是輸出級的漏極電阻。從(cong) Q2的漏極輸出電壓（Vout）。由於(yu) Q2的柵極接地，場效應管Q2的電壓源和場效應管Q1的漏極電壓幾乎不變。這意味著上FET Q2提供了一個(ge) 較低的FET Q1的低輸入阻抗。這減少了較低的FET Q1的增益和米勒效應也因此被減少，這在增加帶寬的結果。在較低的FET Q1的增益減少不影響整體(ti) 的增益，因為(wei) 上部場效應管Q2的補償(chang) 。上部FET Q2被米勒效應的影響，因為(wei) 漏源的雜散電容的充電和放電通過漏極電阻和負載和頻率響應，如果隻為(wei) 高頻率的影響（遠遠超過音頻範圍內(nei) ） 。

在疊接的配置，輸入輸出分離。第一季度，??在漏極和源終端幾乎恒定的電壓，而第二季度有其源極和柵極端子電壓幾乎不變，幾乎沒有什麽(me) 養(yang) 活輸出輸入。在電壓方麵的重要性，隻有點的輸入和輸出端子，他們(men) 是由中央連接恒壓分離。

實際級聯放大器電路。

 

實際級聯放大器電路

一個(ge) 實用的級聯放大器電路的基礎上場效應管上麵顯示。場效應管Q2的電阻R4和R5組成一個(ge) 分壓器偏置網絡。R3是Q2的漏電阻和漏電流限製。R2是Q1的源電阻和C1是由通電容。R1確保在Q1的柵極在零電壓零信號條件。