無線射頻辨識(RFID)讀寫器的讀、寫距離取決於諸多因素，如讀寫器(RFID讀寫器)的傳輸功率、讀寫器的天線增益、讀寫器IC的靈敏度、讀寫器的總體天線效率、周圍物體(尤其是金屬物體)及來自附近的RFID讀寫器或者類似無線電話的其他外部發射器的射頻(RF)幹擾。

計算功率密度

讀寫天線發射之RF電磁波的功率密度大小計算如公式1所示。其中，Sr=功率密度，Pt=讀寫天線的發射功率，Gt=讀寫天線的增益，R=讀寫天線的發射距離。

Sr = PtGt/4πR2-----------------------------------------------公式1

從公式1可知，功率密度與距離的平方成反比。在理想情況下，此一公式才成立，例如在不存在衰減RF訊號的物體、可能產生幹擾的外部發射器，以及來自同一訊號源產生其他幹擾模式之多徑效應的微波暗室內。以下將針對這些因素進行更詳細地討論。

考慮天線增益

天線增益的單位是dBi，dBi代表一根天線與假設等向天線(Hypothetical Isotropic Antenna)相比之下的正向增益;假設等向天線會在所有方向均勻地分配能量。在設計天線的結構時，應使其在某個方向的輻射能量比另一個方向的還要多，從而實現更高的增益。以灑水頭為例子，就可以對此有比較深入的理解，如集中噴射、水流變窄及水射出的距離增加，此與提高天線增益類似，即在某個方向集中能量輻射。

留意天線3dB波束寬度及半功率點

提高讀寫器的讀/寫距離，必須考慮另一個重要的天線特性，亦即由天線產生的3dB波束寬度圖樣。如圖1所示的3dB波束寬度，包含75%的射頻能量。在此範圍內，讀寫器具有最佳讀、寫性能。3dB波束寬度取決於天線增益。例如，天線增益越高，能量越集中，3dB波束寬度就越窄。



圖1 由天線產生的3dB波束寬度

3dB波束寬度還可用來描述波束的半功率點，即射頻能量減小到一半的位置。此外，圖1還顯示出大部分天線都會展示的旁瓣(Side Lobe)。讀寫器可以在此方向區域上進行讀寫，但是其讀、寫距離將大幅縮短。