(1)截止區:簡單的講就是三極管未導通,Ube<打開電壓,一般是小於0.5或者0.7V,此時Ib=0,Ic=Iceo≈0.
(2)放大區:發射結正偏(Ube>0),集電結反偏(Ubc<0),此時Ic=βIb,成線性放大關係。
(3)飽和區:發射結正片,集電結正偏(Uce<Ube),βIb>Ic,Uce≈0.3V。飽和區的理解較為難,簡單的講有兩種情況下會出現飽和區,一是集電極供電電壓低,另外一種情況是隨著基極電流Ib的不斷增大,集電極電流不可能一直線性倍數增大,當基極電流增大到一定數值後,集電極的電流就不變了,此時會出現一個臨界值,會導致集電結反偏,進而出現飽和區。可見,進入飽和區的一個重要點就是要Ib足夠大。在這裏不要對照下圖曲線,這個曲線會讓你更迷糊,記住概念就好。
對於集電極電壓,需要按照公式Uce=VCC-βIb 來計算,隨著Ib的增大,Uce會減小,這樣就會出現Ube>Uce即集電結正偏的情況。
在嵌入式中常用三極管的截止區和飽和區配合實現“開關(guan) ”的原理,當三極管處於(yu) 截止區時,“開關(guan) ”打開,Uce≈VCC,當三極管處於(yu) 飽和區時,“開關(guan) ”關(guan) 閉,Uce≈0V.驅動三極管在截止區和飽和區之間進行切換,需要CPU輸出脈衝(chong) 信號,隻有高低電平,而不是模擬信號。