半導體
  1.半導體有光敏、熱敏和摻雜特性。
  2.PN結具有單向導電性，P＋N－導通，P－N＋截止。
  3.二極管的內部就是一個PN結，正向偏置導通，反向偏置截止。
  4.三極管內部有二個PN結，三極管放大的實質是以很小的基極電流控製較大的集電極電流。發射結正偏，集電結反偏，三極管工作在放大狀態，在放大狀態時
       IC＝βIB        IE＝IB＋IC＝（1＋β）IB
  5.場效應管是以很小的柵源電壓控製較大的漏極電流。            
    場效應管是電壓控製元件，三極管是電流控製元件。

基本放大電路

    一、放大電路中“放大”的實質，是通過三極管（或場效應管）的作用進行能量轉換，即將直流電源的能量轉換為(wei) 負載獲得的能量。放大電路的組成原則是必須有電源，核心元件是三極管（或場效應管），要有合適的靜態工作點，並保證放大電路在放大信號的整個(ge) 周期，三極管（或場效應管）都工作在特性曲線的線性放大區。放大電路工作時，電路中各電壓、電流值是直流量和交流量疊加的結果。電路分析由靜態分析和動態分析兩(liang) 部分組成。靜態分析借助直流通路，用估算法或圖解法確定靜態工作點。動態分析借助交流通路，用圖解法或微變等效電路法確定電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻等動態性能指標。常用的穩定工作點電路有射極偏置電路(基極分壓式偏置電路)、集基耦合電路和溫度補償(chang) 電路。
    二、共集電極電路由於(yu) 輸入電阻高，輸出電阻低，並具有電壓跟隨特性，廣泛應用於(yu) 輸出級或隔離級。共基極電路由於(yu) 頻率特性好，常用於(yu) 高頻放大。阻容耦合多級放大電路，由於(yu) 各級放大電路的靜態工作點互不影響，調試方便，常被用來進一步提高放大倍數，但計算每級放大倍數時應考慮前、後級之間的相互影響。場效應管放大電路的分析方法和步驟與(yu) 三極管放大電路類似，各種類型的放大電路與(yu) 相應的三極管放大電路具有類似的特點，隻是模擬電路中多用結型和耗盡型MOS管，而增強型MOS管則多用於(yu) 數字電路。
    三、OCL電路采用雙電源供電。OTL電路采用單電源供電，但需要一個(ge) 大容量輸出耦合電容。電路中，兩(liang) 隻功放管分別在正、負半周交替工作。當輸入信號一定時，能使輸出信號幅度Uom基本上等於(yu) 電源電壓UCC而又不失真的負載稱為(wei) 功放電路的最佳負載。此時功放電路輸出最大功率，具有最高的轉換效率，但兩(liang) 管的功耗不是最大。由於(yu) 集成功放外接元件少，電路結構簡單，應用越來越廣泛，使用時應注意正確選擇型號，識別各引腳的功能。當需要進一步提高輸出功率時，可將兩(liang) 個(ge) OCL電路連接成BTL電路形式。

放大電路

    1．反饋是將輸出信號的一部分或全部以通過反饋網絡送到輸入端。負反饋放大電路有四種不同類型。
由瞬時極性判斷反饋的性質，由輸出端判別電壓或電流反饋，由輸入端判別串聯或並聯反饋。
    2．差分放大電路是抑製零點漂移最有效的電路形式，其特點是電路對稱。
    3．集成運放是一種高增益直接耦合放大器，掌握集成運放理想化條件是分析集成運放在線性和非線性應用時的基本概念和重要原則。理想運放線性應用時，若反相輸入則有u - = u + = 0、i - = i + ；若同相輸入或差分輸入則有u - = u + 、i - = i + 。理想運放組成正弦波振蕩器時，關(guan) 鍵是要滿足振幅條件和相位條件。

直流穩壓電源

    1.直流穩壓電源應包含整流、濾波和穩壓三個(ge) 部分。整流元件為(wei) 二極管，濾波元件有電容和電感，濾波電容應與(yu) 負載並聯，濾波電感應與(yu) 負載串聯。濾波後的直流電壓仍受到電網波動及負載變化的影響，為(wei) 此要采取穩壓措施。
    2.穩壓電路主要有線性穩壓電路和開關(guan) 型穩壓電路兩(liang) 種。小功率電源多用線性調整型穩壓電路，其中三端集成穩壓器由於(yu) 使用方便，應用越來越廣泛。大功率電源多采用開關(guan) 型穩壓電路，一般采用脈寬調製實現穩壓。開關(guan) 型穩壓電路又分串聯型和並聯型，由於(yu) 並聯型開關(guan) 穩壓電路易實現多組電壓輸出和電源與(yu) 負載間電氣隔離，因而應用較廣泛。            
 
晶閘管

    1.晶閘管是一種大功率可控整流器件，其主要特點是具有正反向阻斷特性和觸發導通特性等。廣泛用於(yu) 交流調壓(交流開關(guan) )，直流逆變(直流開關(guan) )等場合。
    2.晶閘管的觸發需要觸發電路提供觸發脈衝(chong) 。一般情況下，觸發電路可由單結管組成。單結管具有負阻特性，與(yu) 電容組合可實現脈衝(chong) 振蕩。改變電容充放電的快慢(τ的大小)，可改變第一個(ge) 觸發脈衝(chong) 出現的時刻，從(cong) 而控製晶閘管導通的時刻，實現晶閘管可控。