變容二極管(Varactor Diodes)又稱"可變電抗二極管"。是一種利用PN結電容（勢壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依 賴關係及原理製成的二極管。所用材料多為矽或砷化镓單晶，並采用外延工藝技術。反偏電壓愈大，則結電容愈小。變容二極管具有與襯底材料電阻率有關的串聯電 阻。主要參量是：零偏結電容、零偏壓優值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標稱電容、電容變化範圍（以皮法為單位）以及截止頻率等，對於不同用途，應選用不 同C和Vr特性的變容二極管，如有專用於諧振電路調諧的電調變容二極管、適用於參放的參放變容二極管以及用於固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變容二極管 等。 　　用於自動頻率控製（AFC）和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。日本廠商方麵也有其它許多叫 法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用於自動頻率控製、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用矽的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、 外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的二極管，因為這些二極管對於電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧 回路、振蕩電路、鎖相環路，常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以矽材料製作。

變容二極管及的作用

1、變容二極管的作用變容二極管是利用PN結之間電容可變的原理製成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。
 
變容二極管屬於反偏壓二極管，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與結電容之間的關係是非線性的。
變容二極管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無引線表麵封裝等多種封裝形式、如圖4-18所示。通常，中小功率的變容二極管采用玻封、塑封或表麵封裝，而功率較大的變容二極管多采用金封。

2．常用的變容二極管 常用的國產變容二極管有2CC係列和2CB係列，表4-23為其主要參數。