一、 電容基本分類

     從(cong) 基本原理而言，電容器就是能夠儲(chu) 存電荷的“容器”。其所存儲(chu) 的正負電荷等量地分布於(yu) 兩(liang) 塊不直接導通的導體(ti) 板上。可以此般描述電容器的基本結構：兩(liang) 塊導體(ti) 板（通常為(wei) 金屬板）中間隔以電介質，即構成電容器的基本模型。由於(yu) 絕緣材料、構造工藝等的不同，所製成之電容器種類也有所不同：
a 、按結構可分為(wei) ：固定電容，可變電容，微調電容。
b 、按介質材料可分為(wei) ： CBB 電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、獨石電容、電解電容、鉭電容等。 c 、按極性分為(wei) ：有極性電容和無極性電容。

     一般地，電容絕緣材料（介質）決(jue) 定了電容的關(guan) 鍵特性。根據介質的不同，同時結合實際應用中的具體(ti) 情況，這裏把電容器簡單分為(wei) 三類
　第一類：電解類
　電解電容器是指在鋁、鉭、铌、鈦等閥金屬的表麵采用陽極氧化法生成一薄層氧化物作為(wei) 電介質，以電解質作為(wei) 陰極而構成的電容器。目前最常用的電解電容有鋁電解和鉭電解。
　廣義(yi) 上講，電解質包括電解液、二氧化錳、有機半導體(ti) TCNQ 、導體(ti) 聚合物（ PPy 、 PEDT ）、凝膠電解質 PEO 等。後麵的幾種是目前比較尖端的電容器。
　這裏要注意“電解質”和“電介質”概念的不同。
　第二類：薄膜類
　以塑料薄膜作為(wei) 電介質。以往的紙介電容器、塑料薄膜電容器多用板狀或條狀的鋁箔作為(wei) 電極，現在，大多采用真空蒸鍍的方式在電容器紙、有機薄膜等的表麵塗覆金屬薄層作為(wei) 電極。金屬化工藝使得電極更為(wei) 纖薄和節省空間，該類電容器在小型化和片式化方麵有了長足的發展。
　第三類：瓷介類
　陶瓷電容器采用鈦酸鋇、鈦酸鍶等高介電常數的陶瓷材料作為(wei) 電介質，在電介質的表麵印刷電極漿料，經低溫燒結製成。陶瓷電容器的外形以片式居多，也有管形、圓片形等形狀。

     如下表格是常用電容的結構和關(guan) 鍵特點：

二 、 單位

    電容的基本單位是： F （法），此外還有 μF （微法）、 pF （皮法）、 nF （納法），由於(yu) 電容 F 的容量非常大，所以我們(men) 看到的一般都是 μF 、 nF 、 pF 的單位，而不是 F 的單位。
具體(ti) 換算如下：

1F ＝ 1×10⁶μF =10×10⁹nF=10×10¹²pF

三、 標識

     直接標稱法：由於(yu) 電容體(ti) 積要比電阻大，所以一般都使用直接標稱法。如果數字是 0.001 ，那它代表的是 0.001uF ＝ 1nF ，如果是 10n ，那麽(me) 就是 10nF ，同樣 100p 就是 100pF 。

數碼表示法：用 1~4 位數字表示，容量單位為(wei) pF ，如 350 為(wei) 350pF ， 3 為(wei) 3pF ， 0.5 為(wei) 0.5pF 。

色碼表示法：沿電容引線方向，用不同的顏色表示不同的數字，第一，二種環表示電容量，第三種顏色表示有效數字後零的個(ge) 數（單位為(wei) pF ）。
顏色意義(yi) ：黑 =0 、棕 =1 、紅 =2 、橙 =3 、黃 =4 、綠 =5 、藍 =6 、紫 =7 、灰 =8 、白 =9 。

四、基本作用

電容器在電子線路中的作用一般概括為(wei) ：通交流、阻直流。電容器通常起濾波、旁路、耦合、去耦、轉相等電氣作用。用作貯能元件也是電容器的一個(ge) 重要應用領域，同電池等儲(chu) 能元件相比，電容器可以瞬時充放電，並且充放電電流基本上不受限製，可以為(wei) 某些設備提供大功率的瞬時脈衝(chong) 電流。

1 、隔直流：作用是阻止直流而讓交流通過。
2 、旁路（去耦）：為(wei) 交流電路中某些並聯的元件提供低阻抗通路。
3 、耦合：作為(wei) 兩(liang) 個(ge) 電路之間的連接，允許交流信號通過並傳(chuan) 輸到下一級電路
4 、平滑或濾波： 將整流以後的脈狀波變為(wei) 接近直流的平滑波，或將紋波及幹擾波慮除。
5 、溫度補償(chang) ：針對其它元件對溫度的適應性不夠帶來的影響，而進行補償(chang) ，改善電路的溫度穩定性。
6 、計時：電容器與(yu) 電阻器配合使用，確定電路的時間常數。
7 、調諧：對與(yu) 頻率相關(guan) 的電路進行係統調諧，比如手機、收音機、電視機。

8 、儲(chu) 能： 儲(chu) 能型電容器通過整流器收集電荷，並將存儲(chu) 的能量通過變換器引線傳(chuan) 送至電源的輸出端。電壓額定值為(wei) 40 ～ 450VDC 、電容值在 220 ～ 150 000μF 之間的鋁電解電容器為(wei) 較常見的規格。根據不同的電源要求，器件有時會(hui) 采用串聯、並聯或其組合的形式， 對於(yu) 功率級超過 10KW 的電源，通常采用體(ti) 積較大的罐形螺旋端子電容器。

9、浪湧電壓保護： 開關(guan) 頻率很高的現代功率半導體(ti) 器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈衝(chong) 的影響。跨接在功率半導體(ti) 器件兩(liang) 端的浪湧電壓保護電容器通過吸收電壓脈衝(chong) 限製了峰值電壓，從(cong) 而對半導體(ti) 器件起到了保護作用，使得浪湧電壓保護電容器成為(wei) 功率元件庫中的重要一員。

半導體(ti) 器件的額定電壓和電流值及其開關(guan) 頻率左右著浪湧電壓保護電容器的選擇。由於(yu) 這些電容器承受著很陡的 dv/dt 值，因此，對於(yu) 這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。不能僅(jin) 根據電容值 / 電壓值來選擇電容器。在選擇浪湧電壓保護電容器時，還應考慮所需的 dv/dt 值。

10 、 EMI/RFI 抑製： 這些電容器連接在電源的輸入端，以減輕由半導體(ti) 所產(chan) 生的電磁或無線電幹擾。由於(yu) 直接與(yu) 主輸入線相連，這些電容器易遭受到破壞性的過壓和瞬態電壓。采用塑膜技術的 X- 級和 Y- 級電容器提供了最為(wei) 廉價(jia) 的抑製方法之一。抑製電容器的阻抗隨著頻率的增加而減小，允許高頻電流通過電容器。 X 電容器在線路之間對此電流提供“短路”， Y 電容器則在線路與(yu) 接地設備之間對此電流提供“短路”。

11 、控製和邏輯電路 ：各類電容器均可能被應用於(yu) 電源控製電路中。除非是在惡劣環境條件的要求，否則這些電容器的選擇一般都是低電壓低損耗的通用型元件。