概述

　　 場效應晶體(ti) 管：英文名稱為(wei) Field Effect Transistor，縮寫(xie) 為(wei) FET，簡稱場效應管。
　　各類場效應管根據其溝道所采用的半導體(ti) 材料，可分為(wei) N型溝道和P型溝道兩(liang) 種。所謂溝道，就是電流通道。
　　半導體(ti) 的場效應，是在半導體(ti) 表麵的垂直方向上加一電場時，電子和空穴在表麵電場作用下發生運動，半導體(ti) 表麵載流子的重新分布，因而半導體(ti) 表麵的導電能力受到電場的作用而改變，即改變為(wei) 加電壓的大小和方向，可以控製半導體(ti) 表麵層中多數載流子的濃度和類型，或控製PN結空間電荷區的寬度，這種現象稱半導體(ti) 的場效應。 
　　場效應管屬於(yu) 電壓控製元件，這一點類似於(yu) 電子管的三極管，但它的構造與(yu) 工作原理和電子管是截然不同的，與(yu) 雙極型晶體(ti) 管相比，場效應晶體(ti) 管具有如下特點：
　　（1）輸入阻抗高；
　　（2）輸入功耗小；
　　（3）溫度穩定性好；
　　（4）信號放大穩定性好，信號失真小；
　　（5）由於(yu) 不存在雜亂(luan) 運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
　　根據構造和工藝的不同，場效應管分為(wei) 結型和絕緣型兩(liang) 大類。

　　結型場效應管
　　圖十一(a)是結型場效應管的結構示意圖。
　　圖十一(b)是N型導電溝道結型場效應管的電路符號。
 

  
　　在兩(liang) 個(ge) 高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩(liang) 個(ge) PN結。在N區的兩(liang) 端各做一個(ge) 歐姆接觸電極，在兩(liang) 個(ge) P區上也做上歐姆電極，並把這兩(liang) 個(ge) P區連起來，就構成了一個(ge) 場效應管。從(cong) N型區引出的兩(liang) 個(ge) 電極分別為(wei) 源極S和漏極D，從(cong) 兩(liang) 個(ge) P區引出的電極叫柵極G，很薄的N區稱為(wei) 導電溝道。

　　絕緣柵型場效應管

　　絕緣柵型場效應管又分為(wei) 增強型和耗盡型兩(liang) 種，我們(men) 稱在正常情況下導通的為(wei) 耗盡型場效應管，在正常情況下斷開的稱增強型效應管。增強型場效應管特點：當Vgs = 0時Id(漏極電流) = 0，隻有當Vgs增加到某一個(ge) 值時才開始導通，有漏極電流產(chan) 生。並稱開始出現漏極電流時的柵源電壓Vgs為(wei) 開啟電壓。 　　耗盡型場效應管的特點，它可以在正或負的柵源電壓(正或負偏壓)下工作，而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻)。
　　結型柵場效應管應用的電路可以使用絕緣柵型場效應管，但絕緣柵增強型場效管應用的電路不能用結型 柵場效應管代替。