MOS管主要參數：

1.開啟電壓V_T
　　·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
　　·標準的N溝道MOS管，V_T約為(wei) 3～6V；
　　·通過工藝上的改進，可以使MOS管的V_T值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻R_GS
　　·即在柵源極之間加的電壓與(yu) 柵極電流之比
　　·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
　　·MOS管的R_GS可以很容易地超過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BV_DS
　　·在V_GS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使I_D開始劇增時的V_DS稱為(wei) 漏源擊穿電壓BV_DS
　　·I_D劇增的原因有下列兩(liang) 個(ge) 方麵：
　　（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
　　（2）漏源極間的穿通擊穿
　　·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加V_DS會(hui) 使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為(wei) 零，即產(chan) 生漏源間的穿通，穿通後
，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產(chan) 生大的I_D

4. 柵源擊穿電壓BV_GS
　　·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流I_G由零開始劇增時的V_GS，稱為(wei) 柵源擊穿電壓BV_GS。

5. 低頻跨導g_m
　　·在V_DS為(wei) 某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(ge) 變化的柵源電壓微變量之比稱為(wei) 跨導
　　·g_m反映了柵源電壓對漏極電流的控製能力
　　·是表征MOS管放大能力的一個(ge) 重要參數
　　·一般在十分之幾至幾mA/V的範圍內(nei)

6. 導通電阻R_ON
　　·導通電阻R_ON說明了V_DS對I_D的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
　　·在飽和區，I_D幾乎不隨V_DS改變，R_ON的數值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
　　·由於(yu) 在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在V_DS=0的狀態下，所以這時的導通電阻R_ON可用原點的R_ON來近似
　　·對一般的MOS管而言，R_ON的數值在幾百歐以內(nei)

7. 極間電容
　　·三個(ge) 電極之間都存在著極間電容：柵源電容C_GS 、柵漏電容C_GD和漏源電容CDS
　　·C_GS和C_GD約為(wei) 1～3pF
　　·C_DS約在0.1～1pF之間

8. 低頻噪聲係數NF
　　·噪聲是由管子內(nei) 部載流子運動的不規則性所引起的
　　·由於(yu) 它的存在，就使一個(ge) 放大器即便在沒有信號輸人時，在輸　　　出端也出現不規則的電壓或電流變化
　　·噪聲性能的大小通常用噪聲係數NF來表示，它的單位為(wei) 分貝（dB）
　　·這個(ge) 數值越小，代表管子所產(chan) 生的噪聲越小
　　·低頻噪聲係數是在低頻範圍內(nei) 測出的噪聲係數
　　·場效應管的噪聲係數約為(wei) 幾個(ge) 分貝，它比雙極性三極管的要小