如圖所示,電路以555為(wei) 核心,與(yu) 光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強弱呈現不同的阻值,利用555內(nei) 部的兩(liang) 個(ge) 比較器的複位和置位特性,便可組成施密特觸發器。當光強時,RG呈低阻,2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發電平),555置位,K不動作;當光弱時,RG呈高阻,6腳電平高於(yu) 2/3 VDD閾值電平,555複位,K吸合。
如圖所示,電路以555為(wei) 核心,與(yu) 光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強弱呈現不同的阻值,利用555內(nei) 部的兩(liang) 個(ge) 比較器的複位和置位特性,便可組成施密特觸發器。當光強時,RG呈低阻,2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發電平),555置位,K不動作;當光弱時,RG呈高阻,6腳電平高於(yu) 2/3 VDD閾值電平,555複位,K吸合。