晶閘管，又稱可控矽（單向ＳＣＲ、雙向ＢＣＲ）是一種４層的（ＰＮＰＮ）三端器件。在電子技術和工業(ye) 控製中，被派作整流和電子開關(guan) 等用場。在這裏，筆者介紹它們(men) 的基本特性和幾種典型應用電路。 
    

１． 鎖存器電路。 圖１是一種由繼電器Ｊ、電源（＋１２Ｖ）、開關(guan) Ｋ１和微動開關(guan) Ｋ２組成的鎖存器電路。當電源開關(guan) Ｋ１閉合時，因Ｊ回路中的開關(guan) Ｋ２和其觸點Ｊ－１是斷開的，繼電器Ｊ不工作，其觸點Ｊ－２也未閉合，所以電珠Ｌ不亮。一旦人工觸動一下Ｋ２，Ｊ得電激活，對應的觸點Ｊ－１、Ｊ－２閉合，Ｌ點亮。此時微動開關(guan) Ｋ２不再起作用（已自鎖）。要使電珠Ｌ熄滅，隻有斷開電源開關(guan) Ｋ１使繼電器釋放，電珠Ｌ才會(hui) 熄滅。所以該電路具有鎖存器（Ｊ－１自鎖）的功能。
    圖２電路是用單向可控矽ＳＣＲ代替圖１中的繼電器Ｊ，仍可完成圖１的鎖存器功能，即開關(guan) Ｋ１閉合時，電路不工作，電珠Ｌ不亮。當觸動一下微動開關(guan) Ｋ２時，ＳＣＲ因電源電壓通過Ｒ１對門極加電而被觸發導通且自鎖，Ｌ點亮，此時Ｋ２不再起作用，要使Ｌ熄滅，隻有斷開Ｋ１。由此可見，圖２電路也具有鎖存器的功能。圖２與(yu) 圖１雖然都具有鎖存器功能，但它們(men) 的工作條件仍有區別：（１）圖１的鎖存功能是利用繼電器觸點的閉合維持其Ｊ線圈和Ｌ的電流，但圖２中，是利用ＳＣＲ自身導通完成鎖存功能。（２）圖１的Ｊ與(yu) 控製器件Ｌ完全處於(yu) 隔離狀態，但圖２中的ＳＣＲ與(yu) Ｌ不能隔離。所以在實際應用電路中，常把圖１和圖２電路混合使用，完成所需的鎖存器功能。
    ２． 單向可控矽ＳＣＲ振蕩器。 圖３電路是利用ＳＣＲ的鎖存性製作的低頻振蕩器電路。圖中的揚聲器ＬＳ（８Ω／０．５Ｗ）作為(wei) 振蕩器的負載。當電路接上電源時，由於(yu) 電源通過Ｒ１對Ｃ１充電，初始時，Ｃ１電壓很低，Ａ、Ｂ端的電位器Ｗ的分壓不能觸發ＳＣＲ，ＳＣＲ不導通。當Ｃ１充得電壓達到一定值時，Ａ、Ｂ端電壓升高，ＳＣＲ被觸發而導通。一旦ＳＣＲ導通，電容器Ｃ１通過ＳＣＲ和ＬＳ放電，結果Ａ、Ｂ端的電壓又下降，當Ａ、Ｂ端電壓下降到很低時，又使ＳＣＲ截止，一旦ＳＣＲ截止，電容器Ｃ１又通過Ｒ１充電，這種充放電過程反複進行形成電路的振蕩，此時ＬＳ發出響聲。電路中的Ｗ可用來調節ＳＣＲ門極電壓的大小，以達到控製振蕩器的頻率變化。按圖中元件數據，Ｃ１取值為(wei) ０．２２～４μＦ，電路均可正常工作。
    ３． ＳＣＲ半波整流穩壓電源。 如圖４電路，是一種輸出電壓為(wei) ＋１２Ｖ的穩壓電源。該電路的特點是變壓器Ｂ將２２０Ｖ的電壓變換為(wei) 低壓（１６～２０Ｖ），采用單向可控矽ＳＣＲ半波整流。ＳＣＲ的門極Ｇ從(cong) Ｒ１、Ｄ１和Ｄ２的回路中的Ｃ點取出約１３．４Ｖ的電壓作為(wei) ＳＣＲ門陰間的偏置電壓。電容器Ｃ１起濾波和儲(chu) 能作用。在輸出ＣＤ端可獲得約＋１２Ｖ的穩壓。
    電路工作時，當Ａ點低壓交流為(wei) 正半周時，ＳＣＲ導通對Ｃ１充電。當充電電壓接近Ｃ點電壓或交流輸入負半周時，ＳＣＲ截止，所以Ｃ１上充得電壓（即輸出端ＣＤ）不會(hui) 高於(yu) Ｃ點的穩壓值。隻有儲(chu) 能電容Ｃ１輸出端對負載放電，其電壓低於(yu) Ｃ點電壓時，在Ａ點的正半周電壓才會(hui) 給Ｃ１即時補充充電，以維持輸出電壓的穩定。圖４電路與(yu) 電池配合已成功用於(yu) 某設備作後備電源。該穩壓電源，按圖中參數其輸出電流可達２～３Ａ。
 　 
　   ４． ＳＣＲ全波整流穩壓電源。 上述的半波整流穩壓電源，其缺點是電源的效率低，其紋波也較大。圖５的ＳＣＲ全波整流穩壓電源，完全克服了上述的缺點。該電路的輸出電壓也為(wei) １２Ｖ（也可改接成其他電壓輸出）。該電路實際是由（上期第十一版）圖４的兩(liang) 個(ge) 半波整流和穩壓電路組合而成。Ｄ１、ＳＣＲ１、Ｄ４等工作在交流的正半周；Ｄ２、ＳＣＲ２、Ｄ６等工作在交流的負半周，他們(men) 共同向輸出的Ｃ、Ｄ端提供電流。電路中的Ｄ３、Ｄ５起隔離作用，即Ｄ３是防止Ａ點交流負半周時，其電流通過Ｒ１；Ｄ５是防止Ａ點交流正半周時，其電流通過Ｒ２的。電路的其他工作過程與(yu) 上期圖４相同。
    ５． 雙向可控矽和固體(ti) 繼電器（ＳＳＲ）。 利用雙向可控矽ＢＣＲ製作調光器是ＢＣＲ最常見的應用，這裏不再複述。筆者剖析過一種Ｓｈａｒｐ（夏普）固體(ti) 繼電器ＳＳＲ（Ｓ２０１Ｓ０２型）產(chan) 品的內(nei) 部電路，以此說明ＢＣＲ的應用，如圖６所示。由圖可見，該ＳＳＲ產(chan) 品是由雙向可控矽ＢＣＲ和光耦合交流過零觸發電路共同組成的，因此該ＳＳＲ的效率高（即功耗小）、自身引起的電噪聲（脈衝(chong) 式幹擾）很小。利用圖６的內(nei) 部電路，讀者完全可以自製ＳＳＲ，並把他應用到控製電路中，如圖７可控製交流（２２０Ｖ）電源的插座電路。圖中的光耦合器ＭＯＣ３０４１為(wei) ＢＣＲ提供交流過流觸發信號。一般ＭＯＣ３０４１的輸入控製電流約２０ｍＡ，所以當控製信號為(wei) ５Ｖ時，其限流電阻取２７０Ω。圖中的Ｒ２是控製ＢＣＲ門極（Ｇ）觸發電流的，該值應隨使用ＢＣＲ型號而調整的，一般６Ａ／７００Ｖ的ＢＣＲ，其Ｇ極所需的觸發電流約１０ｍＡ，即可可靠觸發ＢＣＲ工作。圖中的Ｚ為(wei) 交流電源插座。當圖７中的控製信號輸出５Ｖ電平時，ＢＣＲ導通，Ｚ上即有２２０Ｖ的電壓輸出，反之，Ｚ無輸出電壓。
    ６． 抑製ＲＦ幹擾的輔助電路  當電路中使用了可控矽作多種控製電路時，一般應附加抑製ＲＦ幹擾的輔助電路，尤其是使用了雙向可控矽的電路。一般抑製ＲＦ幹擾的電路是加在交流電源的輸入端，如圖８所示。電路中的電感Ｌ１、Ｌ２和電容器Ｃ１的值已在圖中標注。