由於純淨的半導體導電性較差，不能直接用來製造晶體管。於是，人們在純淨的半導體中摻入微量雜質元素，使半導體的導電性能大大增強，這種半導體稱為雜質半導體。根據摻入雜質性質的不同，雜質半導體可分為， P型半導體（或空穴型半導體）和N型半導體（或電子型半導體）兩大類。這裏"P"是指"正"的意思， "N"是指"負"的意思。
（一） P型半導體
　　在矽（或鍺）晶體內摻入微量的三價元素硼B（或銦In、鋁Al），就會多出許多空穴。這類半導體主要靠空穴導電叫P型半導體。在P型半導體中，空穴是多數載流子，自由電子是少數載流子，在外電場作用下， P型半導體中電流主要是空穴電流。
（二） N型半導體
　　在矽（或鍺）晶體內摻入微量的五價元素磷P（或銻Sb、砷As），就會多出許多電子來導電。這是有少數空穴，但自由電子的濃度比空穴的濃度大得多，這類半導體主要靠電子導電叫N型半導體。在N型半導體中，自由電子是多數載流子，空穴是少數載流子，在外電場作用下， N型半導體中電流主要是電子電流。
（三） PN結的單向導電性
　　當PN結加上正向電壓時有較大的電流通過，正向電阻很小， PN結處於導通狀態；當PN結加上反向電壓時隻有很小的電流通過，或者粗略地認為沒有電流通過，反向電阻很大， PN結處於截止狀態。這就是PN結的重要特性--單向導電性。從這裏可以看出， PN結具有單向導電性的關鍵是它的阻擋層的存在，及其隨外加電壓而變化。晶體二極管、晶體三極管及其他各種半導體器件的工作特性，都是以PN結的單向導電特性為基礎的。
　　PN結最重要的特性是單向導電性，它是一切半導體器件的基礎。其它性能如光、熱對PN結的影響，在我們不需要時應盡量避免，在需要時則可利用它的這些特性研製出許多新型器件。