半導體二極管的伏安特性曲線如圖1所示。處於第一象限的是正向伏安特性曲線，處於第三象限的是反向伏安特性曲線。

1. 正向特性
    當V＞0，即處於(yu) 正向特性區域。正向區又分為(wei) 兩(liang) 段：
    當0＜V＜V_th時，正向電流為(wei) 零，V_th稱為(wei) 死區電壓或開啟電壓。
    當V＞V_th時，開始出現正向電流，並按指數規律增長。
    矽二極管的死區電壓V_th＝0.5 V左右，
    鍺二極管的死區電壓V_th＝0.1 V左右。
2. 反向特性
    當V＜0時，即處於(yu) 反向特性區域。反向區也分兩(liang) 個(ge) 區域：  
    當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流I_S。
    當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為(wei) 反向擊穿電壓。
    在反向區，矽二極管和鍺二極管的特性有所不同。矽二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從(cong) 擊穿的機理上看，矽二極管若|V_BR|≥7V時，主要是雪崩擊穿；若V_BR≤4V則主要是齊納擊穿，當在4V～7V之間兩(liang) 種擊穿都有，有可能獲得零溫度係數點。