飽和狀態: 當輸入電壓v_I大於(yu) 某一數值，使得晶體(ti) 管的發射結和集電結均處於(yu) 正偏時，晶體(ti) 管工作在飽和狀態，此時，晶體(ti) 三極管類似於(yu) 開關(guan) 接通。

　　圖2給出了一個(ge) 簡單的NPN晶體(ti) 三極管共射極開關(guan) 電路和對應的輸出特性曲線。

圖2

　　2．動態特性

　　晶體(ti) 三極管在飽和與(yu) 截止兩(liang) 種狀態轉換過程中具有的特性稱為(wei) 三極管的動態特性。三極管和二極管一樣，管子內(nei) 部也存在著電荷的建立與(yu) 消失過程。因此，飽和與(yu) 截止兩(liang) 種狀態的轉換也需要一定的時間才能完成。晶體(ti) 三極管動態特性通常用“開通時間”和“關(guan) 閉時間”衡量。

　　開通時間: 指三極管從(cong) 截止到飽和導通所需要的時間，記為(wei) t_ON。

開通時間t_ON＝延遲時間t_d＋上升時間t_r

　　關(guan) 閉時間: 指三極管從(cong) 飽和導通到截止所需要的時間，記為(wei) t_OFF。

關(guan) 閉時間tOFF＝存儲(chu) 時間ts＋下降時間tf

三、MOS管的開關(guan) 特性

　　MOS集成電路的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控製器件，它的3個(ge) 電極分別稱為(wei) 柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控製漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為(wei) P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩(liang) 種，每種又可按其工作特性進一步分為(wei) 增強型和耗盡型兩(liang) 類。

　　1．靜態特性

　　MOS管作為(wei) 開關(guan) 應用時，同樣是交替工作在截止與(yu) 飽和兩(liang) 種工作狀態。

　　N溝道增強型MOS管的開關(guan) 特性為(wei) ：當柵源電壓v_GS＜開啟電壓V_TN時，管子工作在截止狀態，類似於(yu) 開關(guan) 斷開；當柵源電壓v_GS＞開啟電壓V_TN（大約在1～2V之間），且漏源電壓加大到一定程度，滿足v_DS≥v_GS-V_TN時，管子工作在飽和狀態，類似於(yu) 開關(guan) 接通。

　　P溝道增強型MOS管與(yu) N型溝道增強型MOS管所不同的是，其工作電壓v_GS和v_DS均為(wei) 負電壓，開啟電壓V_TP一般大約在-2.5～-1.0V之間。

　　2．動態特性

　　MOS管在導通與(yu) 截止兩(liang) 種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決(jue) 於(yu) 與(yu) 電路有關(guan) 的電容充、放電所需的時間，而MOS管內(nei) 部電荷“建立”和“消散”的時間很短。