半導體(ti) 材料可按化學組成來分，再將結構與(yu) 性能比較特殊的非晶態與(yu) 液態半導體(ti) 單獨列為(wei) 一類。按照這樣分類方法可將半導體(ti) 材料分為(wei) 元素半導體(ti) 、無機化合物半導體(ti) 、有機化合物半導體(ti) 和非晶態與(yu) 液態半導體(ti) 。

　　元素半導體(ti) ：

　　在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11種具有半導性的元素，其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體(ti) 與(yu) 半導體(ti) 兩(liang) 種形態;B、Si、Ge、Te具有半導性；Sn、As、Sb具有半導體(ti) 與(yu) 金屬兩(liang) 種形態。P的熔點與(yu) 沸點太低，Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們(men) 的實用價(jia) 值不大。As、Sb、Sn的穩定態是金屬，半導體(ti) 是不穩定的形態。B、C、Te也因製備工藝上的困難和性能方麵的局限性而尚未被利用。

　　因此這11種元素半導體(ti) 中隻有Ge、Si、Se 3種元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半導體(ti) 材料中應用最廣的兩(liang) 種材料。

　　無機化合物半導體(ti) ：

　　分二元係、三元係、四元係等。 二元係包括：

　　①Ⅳ-Ⅳ族：SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結構。

　　②Ⅲ-Ⅴ族：由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為(wei) GaAs。它們(men) 都具有閃鋅礦結構，它們(men) 在應用方麵僅(jin) 次於(yu) Ge、Si，有很大的發展前途。

　　③Ⅱ-Ⅵ族：Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結構。

　　④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結構。

　　⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式，如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的溫差電材料。

　　⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物，為(wei) 主要的熱敏電阻材料。

　　⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm與(yu) Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。

　　有機化合物半導體(ti) ：

　　已知的有機半導體(ti) 有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們(men) 作為(wei) 半導體(ti) 尚未得到應用。

　　非晶態與(yu) 液態半導體(ti) ：

　　這類半導體(ti) 與(yu) 晶態半導體(ti) 的最大區別是不具有嚴(yan) 格周期性排列的晶體(ti) 結構。