（1）熱敏特性

　　隨著環境溫度的升高，半導體(ti) 的電阻率下降，導電能力增強。

　　（2）光敏特性

　　有些半導體(ti) 材料（硫化銅）受到光照時，電阻率明顯下降，導電能力變得很強;無光照時，又變得像絕緣體(ti) 一樣不導電，利用這一特性可製成各種光敏器件。

　　（3）摻雜特性

　　在純淨的半導體(ti) 中摻入某種合適的微量雜質元素，就能增加半導體(ti) 中載流子的濃度，從(cong) 而可以增強半導體(ti) 的導電能力。

　　（4）其他敏感特性

　　有些半導體(ti) 材料具有壓敏、磁敏、濕敏、嗅敏、氣敏等特性，還有些半導體(ti) 材料，它們(men) 的上述某些特性還能逆轉。

　　常用的半導體(ti) 材料是單晶矽和單晶鍺。所謂單晶，是指整塊晶體(ti) 中的原子按一定規則整齊地排列著的晶體(ti) 。非常純淨的單晶半導體(ti) 稱為(wei) 本征半導體(ti) 。

　　雜質半導體的導電特性

　　本征半導體(ti) 的導電能力很弱，熱穩定性也很差，因此，不宜直接用它製造半導體(ti) 器件。半導體(ti) 器件多數是用含有一定數量的某種雜質的半導體(ti) 製成。根據摻入雜質性質的不同，雜質半導體(ti) 分為(wei) N型半導體(ti) 和P型半導體(ti) 兩(liang) 種。

　　一、N型半導體(ti)

　　在本征半導體(ti) 矽（或鍺）中摻入微量的5價(jia) 元素，例如磷，則磷原子就取代了矽晶體(ti) 中少量的矽原子，占據晶格上的某些位置。如圖Z0103所示。

　　由圖可見，磷原子最外層有5個(ge) 價(jia) 電子，其中4個(ge) 價(jia) 電子分別與(yu) 鄰近4個(ge) 矽原子形成共價(jia) 鍵結構，多餘(yu) 的1個(ge) 價(jia) 電子在共價(jia) 鍵之外，隻受到磷原子對它微弱的束縛，因此在室溫下，即可獲得掙脫束縛所需要的能量而成為(wei) 自由電子，遊離於(yu) 晶格之間。失去電子的磷原子則成為(wei) 不能移動的正離子。磷原子由於(yu) 可以釋放1個(ge) 電子而被稱為(wei) 施主原子，又稱施主雜質。

　　在本征半導體(ti) 中每摻入1個(ge) 磷原子就可產(chan) 生1個(ge) 自由電子，而本征激發產(chan) 生的空穴的數目不變。這樣，在摻入磷的半導體(ti) 中，自由電子的數目就遠遠超過了空穴數目，成為(wei) 多數載流子（簡稱多子），空穴則為(wei) 少數載流子（簡稱少子）。顯然，參與(yu) 導電的主要是電子，故這種半導體(ti) 稱為(wei) 電子型半導體(ti) ，簡稱N型半導體(ti) 。

　　二、P型半導體(ti)

　　在本征半導體(ti) 矽（或鍺）中，若摻入微量的3價(jia) 元素，如硼，這時硼原子就取代了晶體(ti) 中的少量矽原子，占據晶格上的某些位置，如圖Z0104所示。由圖可知，硼原子的3個(ge) 價(jia) 電子分別與(yu) 其鄰近的3個(ge) 矽原子中的3個(ge) 價(jia) 電子組成完整的共價(jia) 鍵，而與(yu) 其相鄰的另1個(ge) 矽原子的共價(jia) 鍵中則缺少1個(ge) 電子，出現了1個(ge) 空穴。這個(ge) 空穴被附近矽原子中的價(jia) 電子來填充後，使3價(jia) 的硼原子獲得了1個(ge) 電子而變成負離子。同時，鄰近共價(jia) 鍵上出現1個(ge) 空穴。由於(yu) 硼原子起著接受電子的作用，故稱為(wei) 受主原子，又稱受主雜質。

　　在本征半導體(ti) 中每摻入1個(ge) 硼原子就可以提供1個(ge) 空穴，當摻入一定數量的硼原子時，就可以使半導體(ti) 中空穴的數目遠大於(yu) 本征激發電子的數目，成為(wei) 多數載流於(yu) ，而電子則成為(wei) 少數載流子。顯然，參與(yu) 導電的主要是空穴，故這種半導體(ti) 稱為(wei) 空穴型半導體(ti) ，簡稱P型半導體(ti) 。