純淨半導體(ti) 中摻入微量的雜質元素，形成的半導體(ti) 稱為(wei) 雜質半導體(ti) 。半導體(ti) 根據摻入的雜質元素的不同，可以分為(wei) P型半導體(ti) 和N型半導體(ti) 。二極管有PN結，采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體(ti) 和N型半導體(ti) 製作在同一塊半導體(ti) 基片上，在它們(men) 的交界處形成空間電荷區稱之為(wei) PN結，PN結具有單向導電性。
　　當把P型半導體(ti) 和N型半導體(ti) 製作在一起時，在它們(men) 的交界麵處，由於(yu) 兩(liang) 種半導體(ti) 多數載流子的濃度差很大，因此P區的空穴會(hui) 向N區擴散，同時，N區的自由電子也會(hui) 向P區擴散，如圖1所示。圖中 虛線箭頭表示P區中空穴的移動方向，實線箭頭表示N區中自由電子的移動方向。

 
　　圖1 P區與(yu) N區中多數載流子的擴散運動

　　擴散到P區的自由電子遇到空穴會(hui) 複合，擴散到N區的空穴與(yu) 自由電子也會(hui) 複合，所以在交界麵處多子的濃度會(hui) 下降，P區出現負離子區，N區出現正離子區，稱為(wei) 空間電荷區。出現空間電荷區以後， 由於(yu) 正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區會(hui) 形成一個(ge) 電場，電場方向由帶正電的N區指向帶負電的P區。由於(yu) 這個(ge) 電場是由載流子擴散運動（即內(nei) 部運動）形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為(wei) 內(nei) 電場。隨著擴散運動的進行，空間電荷區會(hui) 加寬，內(nei) 電場增強，其方向正好阻止了P區中的多子空穴和N區中的多子自由電子的擴散。
　　在內(nei) 電場電場力的作用下，P區的少子自由電子會(hui) 向N區漂移，N區的少子空穴也會(hui) 向P區漂移。漂移運動的方向正好與(yu) 擴散運動的方向相反。從(cong) N區漂移到P區的空穴補充了原來交界麵上P區失去的空穴， 而從(cong) P區漂移到N區的自由電子補充了原來交界麵上N區所失去的自由電子，這就使得空間電荷變少。由此可見，漂移運動的作用是使空間 電荷區變窄，與(yu) 擴散運動的作用正好相反。在無外加電場和其他激發作用下，參與(yu) 擴散運動的多子數目與(yu) 參與(yu) 漂移運動的少子數目相等時，達到動態平衡，這是交界麵兩(liang) 側(ce) 形成的一定厚度的空間電荷區，稱為(wei) PN結。這個(ge) 空間電荷區阻礙多子的擴散，因此也稱阻擋層；又由於(yu) 其中幾乎沒有載流子，因此又稱耗盡層。PN結如圖2所示。

 
　　圖2 平衡狀態下的PN結