電子元件家族當中，有一種隻允許電流由單一方向流過，具有兩(liang) 個(ge) 電極的元件，稱為(wei) 二極管，英文是“Diode”，是現代電子產(chan) 業(ye) 的基石。 早期的二極管 早期的二極管包含“貓須晶體(ti) ”(Cat's Whisker Crystals)和真空管(ThermionicValves)。

1904年，英國物理學家弗萊明根據“愛迪生效應”發明了世界上第一隻電子二極管——真空電子二極管。它是依靠陰極熱發射電子到陽極實現導通。

電源正負極接反則不能導電，它是一種能夠單向傳(chuan) 導電流的電子器件。早期電子二極管存在體(ti) 積大、需預熱、功耗大、易破碎等問題，促使了晶體(ti) 二極管的發明。 晶體(ti) 二極管 又稱半導體(ti) 二極管。1947年，美國人發明。在半導體(ti) 二極管內(nei) 部有一個(ge) PN結和兩(liang) 個(ge) 引出端。

這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳(chuan) 導性。現今最普遍的二極管大多是使用半導體(ti) 材料如矽或鍺。 晶體(ti) 二極管結構 晶體(ti) 二極管的核心是PN結，關(guan) 於(yu) PN結首先要了解三個(ge) 概念。

本征半導體(ti) ：指不含任何摻雜元素的半導體(ti) ，如純矽晶片或純鍺晶片。

P型半導體(ti) ：摻雜了產(chan) 生空穴的含較低電價(jia) 雜質的半導體(ti) ，如在本征半導體(ti) 中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導體(ti) 。

N型半導體(ti) ：摻雜了產(chan) 生空穴的含較低電價(jia) 雜質的半導體(ti) ，如在本征半導體(ti) 中矽Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導體(ti) 。

由P型半導體(ti) 和N型半導體(ti) 相接觸時，就產(chan) 生一個(ge) 獨特的PN結界麵，在界麵的兩(liang) 側(ce) 形成空間電荷層，構成自建電場。

當外加電壓等於(yu) 零時，由於(yu) PN結兩(liang) 邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於(yu) 電平衡狀態，這也是常態下的PN結。

以PN結為(wei) 核心結構，加上引線或引腳形成單向導電的二極管。

當外加電壓方向由P極指向N極時，導通。 晶體(ti) 二極管分類 晶體(ti) 二極管可按材料不同和PN結結構不同，進行分類。

點接觸型二極管 點接觸型二極管是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。

其PN結的靜電容量小，適用於(yu) 高頻電路。因為(wei) 構造簡單，所以價(jia) 格便宜。對於(yu) 小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用範圍較廣的類型。與(yu) 麵結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此不能使用於(yu) 大電流和整流。

製作工藝：將細鋁絲(si) 的一端接在陽極引線上，另一端壓在摻雜過的N型半導體(ti) 上。加上電壓後，細鋁絲(si) 在接觸點處融化並滲入融化部分的中。這樣，接觸點實際上是P型半導體(ti) ，並附著在N型半導體(ti) 上形成PN結。 麵接觸型二極管

麵接觸型二極管的“PN結”麵積較大，允許通過較大的電流(幾安到幾十安)，主要用於(yu) 把交流電變換成直流電的“整流”電路中。麵接觸型晶體(ti) 二極管比較適用於(yu) 大電流開關(guan) 。

平麵型二極管 平麵型二極管是一種特製的矽二極管，得名於(yu) 半導體(ti) 表麵被製作得平整。最初，對於(yu) 被使用的半導體(ti) 材料是采用外延法形成的，故又把平麵型稱為(wei) 外延平麵型。

在半導體(ti) 單晶片(主要地是N型矽單晶片)上，擴散P型雜質，利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅(jin) 選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因PN結合的表麵被氧化膜覆蓋，穩定性好和壽命長。

它不僅(jin) 能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於(yu) 開關(guan) 、脈衝(chong) 及高頻電路中。 晶體(ti) 二極管主要特性 二極管的伏安特性曲線如下：

外加電壓Uw方向為(wei) P→N時，Uw大於(yu) 起動電壓，二極管導通；

外加電壓Uw方向為(wei) N→P時，Uw大於(yu) 反向擊穿電壓，二極管擊穿。

晶體(ti) 二極管性能參數

最大整流電流Idm：二極管連續工作允許通過的最大正向電流；電流過大，二極管會(hui) 因過熱燒毀；大電流整流可加裝散熱片。

最大反向電壓Urm：Urm一般小於(yu) 反向擊穿電壓，選規格以Urm為(wei) 準，並留有餘(yu) 量；過電壓易損壞二極管。

反向飽和電流Is：二極管外加反向電壓時的電流值；Is反向擊穿前很小，變化也很小；Is會(hui) 隨溫度的升高而升高，一般地，常溫下矽管Is<1μA，鍺管Is=30~300μA。

最高工作頻率Fm：指二極管能保持良好工作特性的最高工作頻率。

不同用途的二極管差異整流二極管 大部分二極管所具備的電流方向性我們(men) 通常稱之為(wei) “整流(Rectifying)”功能， 將交流電能轉變為(wei) 直流電能。

麵接觸結構，多采用矽材料，能承受較大的正向電流和較高的反向電壓。性能較穩定，但因結電容較大，不宜工作在高頻電路中，所以不能作為(wei) 檢波管使用。有金屬和塑料封裝。

檢波二極管 檢波二極管是用於(yu) 把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。

鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為(wei) 2AP型。

類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用於(yu) 檢波外，還能夠用於(yu) 限幅、削波、調製、混頻、開關(guan) 等電路。也有為(wei) 調頻檢波專(zhuan) 用的特性一致性好的兩(liang) 隻二極管組合件。

多采用玻璃封裝或陶瓷外殼封裝，以獲得良好的高頻特性。

開關(guan) 二極管 關(guan) 二極管是半導體(ti) 二極管的一種，是為(wei) 在電路上進行“開”、“關(guan) ”而特殊設計製造的一類二極管。它由導通變為(wei) 截止或由截止變為(wei) 導通所需的時間比一般二極管短。

開關(guan) 二極管的勢壘電容一般極小，這就相當於(yu) 堵住了勢壘電容這條路，達到了在高頻條件下還可以保持好的單向導電性的效果。

開關(guan) 二極管從(cong) 截止(高阻狀態)到導通(低阻狀態)的時間叫開通時間；從(cong) 導通到截止的時間叫反向恢複時間；兩(liang) 個(ge) 時間之和稱為(wei) 開關(guan) 時間。一般反向恢複時間大於(yu) 開通時間，故在開關(guan) 二極管的使用參數上隻給出反向恢複時間。開關(guan) 二極管的開關(guan) 速度是相當快的，像矽開關(guan) 二極管的反向恢複時間隻有幾納秒，即使是鍺開關(guan) 二極管，也不過幾百納秒。

開關(guan) 二極管具有開關(guan) 速度快、體(ti) 積小、壽命長、可靠性高等特點，廣泛應用於(yu) 電子設備的開關(guan) 電路、檢波電路、高頻和脈衝(chong) 整流電路及自動控製電路中。

穩壓二極管 穩壓二極管，是指利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內(nei) 變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的二極管。

穩壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低於(yu) 反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨(lin) 近反向電壓的臨(lin) 界值時，反向電流驟然增大，稱為(wei) 擊穿。

變容二極管 變容二極管(Varactor Diodes)又稱"可變電抗二極管"。材料多為(wei) 矽或砷化镓單晶，並采用外延工藝技術。

它一種利用PN結電容(勢壘電容)與(yu) 其反向偏置電壓Vr的依賴關(guan) 係及原理製成的二極管，其結構圖如下。

變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理製成的半導體(ti) 器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。

變容二極管屬於(yu) 反偏壓二極管，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與(yu) 結電容之間的關(guan) 係是非線性的。

變容二極管的電容值與(yu) 反向偏壓值的關(guan) 係圖解：

反向偏壓增加，造成電容減少；

反向偏壓減少，造成電容增加；

反偏電壓愈大，則結電容愈小。

發光二極管 發光二極管簡稱為(wei) LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物製成。

當電子與(yu) 空穴複合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光二極管。砷化镓二極管發紅光，磷化镓二極管發綠光，碳化矽二極管發黃光，氮化镓二極管發藍光。因化學性質又分有機發光二極管OLED和無機發光二極管LED。

阻尼二極管 阻尼二極管類似於(yu) 高頻、高壓整流二極管，其特點是具有較低有電壓降和較高的工作頻率，且能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。

阻尼二極管主要用在電視機中，作為(wei) 阻尼二極管、升壓整流二極管或大電流開關(guan) 二極管使用。 二極管芯組 整流橋堆(半橋、全橋)：

高壓矽堆(多個(ge) 矽二極管串聯)：

二極管的檢測