晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標稱值一致。一般來講，有低負載電容（串聯諧振晶體），高負載電容（並聯諧振晶體）之分。在電路上的特征為：晶振串一隻電容跨接在IC兩隻腳上的，則為串聯諧振型；一隻腳接IC，一隻腳接地的，則為並聯型。如確實沒有原型號，需要代用的可采取串聯諧振型電路上的電容再並一個電容，並聯諧振電路上串一隻電容的措施。例如：4.433MHz晶振,並一隻3300PF電容或串一隻70P的微調電容。

   常見的晶振大多是二隻腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為(wei) 一體(ti) 的複合元件。由於(yu) 在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個(ge) 晶振（或其它諧振元件）和兩(liang) 個(ge) 電容組成回路，為(wei) 便於(yu) 簡化電路及工藝，人們(men) 便研製生產(chan) 了這種複合件。其3個(ge) 引腳中，中間的1個(ge) 腳通常是2 個(ge) 電容連接一起的公共端，另外2個(ge) 引腳即為(wei) 晶振兩(liang) 端，也是兩(liang) 個(ge) 電容各自與(yu) 晶振連接的兩(liang) 端。由此可見，這種複合件可用一個(ge) 同頻率晶振和兩(liang) 個(ge) 100～200pF的瓷片電容按常規連接後直接予以代換。

   單片機晶振旁的2個(ge) 電容是晶體(ti) 的匹配電容，隻有在外部所接電容為(wei) 匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差範圍內(nei) 。

   最好按照所提供的數據來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。

   在某些情況下，也可以通過調整這兩(liang) 個(ge) 電容的大小來微調振蕩頻率，當然可調範圍一般在10ppm量級。

    晶振 等效 於(yu) 電感/電容/內(nei) 阻